SiC MOSFET 在開關狀態下工作。然而，了解其在線性狀態下的行為是有用的，這可能發生在驅動器發生故障的情況下，或者出于某些目的，當設計者編程時會發生這種情況。
2022-07-29 08:07:04
489 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現優異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現都很優異
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同的導通電阻。 不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試，結果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
研究開發法人科學技術振興機構合作開發，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電子世界帶來革命性的希望。IGBT為我們提供了一個同時能夠阻止高電壓的晶體管，具有低導通狀態（即導通）損耗和良好控制的開關。然而，該裝置的切換速度有限，這導致高開關損耗，大而昂貴的熱管理以及功率轉換系統效率
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩定工作。
2019-07-23 04:20:21
誤導通的話，將有可能發生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的開關引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低邊和高邊電流監測器的架構和應用是什么
2021-03-11 07:39:28
上面原理圖是 用51單片機控制mosfet（NPN）開關的單相全波整流電路，整流橋采用的是IN4007二極管。焊接完畢后變壓器上電，mosfet始終處于導通狀態，無論單片機輸出什么信號，即便是把
2019-01-23 11:17:05
MOSFET和逐漸成熟的高壓GaN MOSFET，這些器件都有非常廣泛的應用，這里不一一舉例，而這些常用的應用按驅動劃分的話，我覺得可以分為低邊驅動和非低邊驅動，低邊驅動例如PFC中的MOSFET
2016-11-28 13:38:47
的導通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結溫下工作。該技術還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC ) 發布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
Arduino引腳為低電平時，MOSFET保持導通狀態。如果后面的系統沒有剩余電源（這里與電路無關），這是為Arduino本身提供電流。由于這個限制，這樣的電路： 當arduino輸入為低電平時，將
2018-08-23 10:30:01
、SOURCE引腳的狀態，將二極管電橋的整流電壓轉換為所需的穩定DC電壓。通過FB引腳和SOURCE引腳來控制開關SiC MOSFET的ON寬度（關斷），通過ZT引腳來控制其OFF寬度（導通）。如欲了解更詳細
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技術規格書中的規格值的比較，Eon為開關導通損耗，Eoff為開關關斷損耗、Err為恢復損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒有Irr而極其微小。結論是開關損耗
2018-11-27 16:37:30
SiC-MOSFET關斷時導通該MOSFET，強制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評估電路中的確認使用評估電路來確認柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅動電路示例，柵極驅動L為負電壓驅動。CN1
2018-11-27 16:41:26
1700V高耐壓，還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件，還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的反向恢復導致連續導通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯的lGBT被認為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計，目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經直接焊接
2022-09-20 08:00:00
MOSFET幾乎立即完全導通，而相比之下，IGBT顯示出明顯的斜率。這導致Eon能量損失大幅下降。在相同的實驗室條件下操作快速開關IGBT和東芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
非常接近，但是，SiC器件可以提供更低的柵極電荷和更好的熱規格。頻譜的另一端是IGBT器件。很明顯，由于SiC MOSFET的低RDSon，這些器件無疑優于IGBT，更不用說更低的柵極電荷了。 當以
2023-02-24 15:03:59
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉換器，以減少二極管數量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復會導致連續導通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
不能降低高壓MOSFET的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他
2023-02-27 11:52:38
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 SiC MOSFET在開/關切換模式下運行。然而，了解其在線性狀態下的行為是有用的，當驅動程序發生故障或設計人員為特定目的對其進行編程時，可能會發生這種情況。
2022-07-25 08:05:24974 
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發揮其高頻特性，實現電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
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