IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
浪涌電壓/電流產(chǎn)生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當某些大容量的電氣設(shè)備接通或斷開時間，由于電網(wǎng)中存在電感，將在電網(wǎng)產(chǎn)生“浪涌電壓”，從而引發(fā)浪涌電流。 簡單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產(chǎn)生的？
2021-09-29 07:30:33
能力；4、保護絕大多數(shù)的敏感負載；對于不同的技術(shù)方式來實現(xiàn)由以下兩種：1、電壓限制型；2、電壓開關(guān)型浪拓電子浪涌過電壓保護器件分為鉗位型和開關(guān)型器件。鉗位型過壓保護器件：瞬態(tài)抑制二極管TVS、壓敏電阻
2019-11-08 16:07:56
的過電壓可能是由內(nèi)部干擾或大氣噴發(fā)引起的。根據(jù)過電壓的產(chǎn)生，電壓浪涌分為兩類。這些是 內(nèi)部過壓 外部過壓 內(nèi)部過壓 當系統(tǒng)中的電壓自行升高到超過額定電壓時，這種類型的電壓稱為內(nèi)部過電壓。內(nèi)部電壓
2023-04-20 17:46:59
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 編輯
關(guān)于電壓源與電流源串聯(lián)之后電壓源無法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負極接基極
2020-08-11 10:04:29
聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大都沒有防靜電的措施，所以在保管及應(yīng)用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時產(chǎn)生
2016-12-20 17:01:13
傳說中的米勒電容。 這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨立的，而是相互影響，其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
Multisim里單獨一個PMOS管什么也不接只給源極加個電壓，用示波器測它漏極為什么會有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
Pspice的電壓指數(shù)脈沖源（VEXP）只能產(chǎn)生單次脈沖？還能產(chǎn)生多次脈沖嗎？能產(chǎn)生多次脈沖的話，怎么產(chǎn)生呢？
2020-12-28 09:35:17
）、柵極－源極（發(fā)射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發(fā)射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關(guān)的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
應(yīng)用角度來看，驅(qū)動回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個電壓型控制的開關(guān)器件，其開通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來決定。 從圖1模型來看，有幾個參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動電路電壓源為mos結(jié)電容充電時經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
等于Rs * Id的壓降，從而使源極端的電勢高于0v或接地電平。由于漏極電流而導(dǎo)致的Rs兩端的電壓降為柵極電阻R2兩端提供了必要的反向偏置條件，從而有效地產(chǎn)生了負反饋。因此，為了保持柵極-源極結(jié)的反向
2020-09-16 09:40:54
兩端將產(chǎn)生等于Rs * Id的壓降，從而使源極端的電勢高于0v或接地電平。由于漏極電流引起的Rs兩端的電壓降為柵極電阻R2兩端提供了必要的反向偏置條件，從而有效地產(chǎn)生了負反饋。因此，為了保持柵極-源極結(jié)
2020-11-03 09:34:54
器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和?！ D1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型 電感中流過變化的電流時，其產(chǎn)生的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
源極電壓的最大值V（BR）DSS、柵極閾值電壓V（BR）GS以及SOA。V（BR）DSS漏源極電壓的最大值：V（BR）DSS漏源極電壓的最大值必須高于最高電源電壓。如果在出現(xiàn)輸出短路接地或在過壓
2022-04-02 10:33:47
電容充電，充電峰值電流會超過了單片機的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時間而減小柵極充電電流?！ 〉谌?b class="flag-6" style="color: red">柵極關(guān)斷時，MOS管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範顟B(tài)時，漏源極電壓VDS會迅速增加
2023-03-10 15:06:47
電壓。將這些式子結(jié)合起來，可得到MOSFET柵極驅(qū)動電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書下載：
2021-04-08 11:37:38
。充電時間結(jié)束后，產(chǎn)生單次觸發(fā)脈沖，同時觸發(fā)隔離單元及被試器件，通過電壓源放電產(chǎn)生LC振蕩，為被試元件提供浪涌電流。浪涌電流信號通過FL分流器取得，浪涌電流隔離后反饋給工控機，由工控機運算后顯示在界面
2018-08-02 18:23:37
浪涌保護與之相近的是ESD靜電防護。浪涌電壓是導(dǎo)致計算機誤動作、數(shù)據(jù)丟失的主要原因。浪涌電壓也會導(dǎo)致計算機軟損傷，軟損傷就是...
2021-09-13 06:37:58
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導(dǎo)通程度怎么還會改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號變化無關(guān)??！而書上說起導(dǎo)通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
至nVo。因此初級總漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之間發(fā)生諧振，產(chǎn)生高頻和高壓浪涌，MOSFET上過高的電壓可能導(dǎo)致故障。反激式轉(zhuǎn)換器可以工作在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)（如圖2）和不連續(xù)導(dǎo)
2018-10-10 20:44:59
開關(guān)損耗降低多達 26%。 電流源驅(qū)動器 （CSD） 和電壓源驅(qū)動器 （VSD）： 圖1顯示了柵極驅(qū)動器BM61M41RFV-C（傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動器）與BM60059FV-C（電流源驅(qū)動器）的框圖。還
2023-02-21 16:36:47
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
如果只給mos管偏置電流，柵極為什么會產(chǎn)生偏置電壓？一般不都是給偏置電壓，產(chǎn)生偏置電流嗎？反過來也可以嗎，有沒有大佬解釋一下，謝謝。電流鏡和這個有關(guān)系嗎？大佬方便解釋一下嗎，謝謝。
2021-06-24 07:24:50
很多開關(guān)電源(特別是大功率開關(guān)電源)在加電瞬間要汲取一個較大的電流。這個浪涌電流可能達到電源靜態(tài)工作電流的1O倍～100倍。由此，至少有可能產(chǎn)生兩個方面的問題。第一，如果直流電源不能供給足夠的啟動
2015-09-11 10:42:13
過程引起的微浪涌電壓，給電機的絕緣帶來影響，造成電機損傷。這里把浪涌稱為微浪涌是為了區(qū)別于雷電等突發(fā)的強大浪涌，微浪涌從示波器上看是密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 ??本文對微浪涌電壓的發(fā)生
2021-03-10 07:35:56
用繼電器(24VDC)控制交流接觸器220VAC，產(chǎn)生的浪涌嚴重影響控制電路，怎么防止或吸收浪涌？
2018-03-23 19:39:14
來源：互聯(lián)網(wǎng)浪涌，就是瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值，它包括浪涌電壓和浪涌電流。產(chǎn)生浪涌有很多方面的原因。可能引起浪涌的原因有：重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動機。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收
2020-10-22 18:37:10
求大神幫忙推薦一個輸入12v電壓的場效應(yīng)管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無輸入電壓時，源極與漏極截止，當柵極輸入電壓時，源極與漏極導(dǎo)通，求大神推薦一下產(chǎn)品，順便告知一下電阻選用哪個范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
。第五種：柵極電涌、靜電破壞主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞
2019-03-13 06:00:00
耦合后會在MOS管的
柵極輸入端
產(chǎn)生振蕩
電壓,振蕩
電壓會破壞MOS管的氧化層?！ ∪OS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏
極的高
電壓會通過MOS管內(nèi)部的漏
源電容偶合到功率MOS管的
柵極處,使MOS管受損?！ ∷?/div>
2018-10-19 16:21:14
?！ ∥?、柵極電涌、靜電破壞 主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而弓起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
2018-11-21 13:52:55
*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會輸出相應(yīng)的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實現(xiàn)所需的浪涌電流波形，<span] 運放組成基本的反向運算電路，驅(qū)動VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
1.肖特基二極管的電流源分析 電流源產(chǎn)生的電流流過正向肖特基二極管，此時系統(tǒng)的電壓U為： 按題主的意思，肖特基二極管是所謂“理想的”，因此它的正向電阻為零，于是有： 現(xiàn)在，我們把肖特基
2021-12-31 06:26:43
1.題主的電流源分析 電流源產(chǎn)生的電流流過正向肖特基二極管，此時系統(tǒng)的電壓U為： 按題主的意思，肖特基二極管是所謂“理想的”，因此它的正向電阻為零，于是有： 現(xiàn)在，我們把肖特基二極管反接
2022-01-03 06:56:53
破壞主要是在柵極和源極之間存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞。
2021-11-10 07:00:00
`設(shè)計了一個D類功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測量功放管的柵極處的驅(qū)動信號是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時，驅(qū)動信號有毛刺，導(dǎo)致電源保護，請問大神們有遇到過這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時柵源極驅(qū)動信號波形。`
2019-02-21 11:23:53
兩層電源板，板子設(shè)計中有4個MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個MOSFET管的3個源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會不會受影響？
2018-07-24 16:19:28
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流?！鲐撦d開關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對
2019-07-23 01:13:34
開關(guān)操作) 前端保護向浪涌電壓過渡 像二極管整流橋一樣，混合式整流橋也與市電插座直接相連，如果有浪涌電壓，很可能會燒毀整流橋和PFC芯片(例如，圖1中的旁通二極管D4)。 按照IEC61000-4-5
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
極之間連接幾nF的電容。如果希望進一步了解詳細信息，請參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來是關(guān)斷時的波形?？梢钥闯觯琓O-247N封裝產(chǎn)品（淺藍色實線
2022-06-17 16:06:12
比例不斷縮小，對芯片面積的挑戰(zhàn)越來越嚴重，雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個非常嚴重的問題。在此，提出一種通過兩個工作在飽和區(qū)的MOS管的柵源電壓差原理，產(chǎn)生一個與絕對溫度成正比
2018-11-30 16:38:24
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時升高，其幅度達到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌電壓基本知識
電路在遭雷擊和在接通、斷開電感負載或大型負載時常常會產(chǎn)生很高
2009-06-30 13:35:41
1833 
浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開電感負載或大型負載時常常會產(chǎn)生很高的操作過電壓，這種瞬時過電壓（或過電流）
2009-07-09 14:59:522076 
繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開關(guān)斷開的一瞬間，會產(chǎn)生一個巨大的直流浪涌電壓，這個電壓在高邊開關(guān)的時候是負電
2009-11-21 14:24:046015 浪涌（Electrical surge），顧名思義就是瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值，它包括浪涌電壓和浪涌電流。浪涌也叫突波，顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講，浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬
2017-08-18 08:59:4613596 開關(guān)電源雷擊浪涌的產(chǎn)生與防護 雷擊浪涌的產(chǎn)生 雷擊浪涌在開關(guān)電源中的流通回路的分析（共模信號與差模信號） 一種防雷擊浪涌的開關(guān)電源電路的設(shè)計。 雷擊浪涌電路的人工產(chǎn)生與防雷擊浪涌的電路的可靠性測試
2017-11-06 17:39:065621 
但當變頻器和電機之間的接線距離很長時，電機接線端因變頻器的高速開關(guān)過程引起的微浪涌電壓，給電機的絕緣帶來影響，造成電機損傷。這里把浪涌稱為微浪涌是為了區(qū)別于雷電等突發(fā)的強大浪涌，微浪涌從示波器上看是
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個，一個是雷電，另一個是電網(wǎng)上的大型負荷接通或斷開（包括補償電容的投切）時產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
平時在做浪涌測試時，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經(jīng)?？紤]這個問題，TVS哪個參數(shù)能對應(yīng)出不同的浪涌電壓值。
2021-03-17 23:57:5734 中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 電壓浪涌保護器 適用于TN和TT,IT供電系統(tǒng) 具有遙信觸點和失效指示功能 可插拔模塊方便更換 內(nèi)置過溫保護，更安全的失效保護 電壓浪涌保護器應(yīng)用： 交直流系統(tǒng) 新能源 民用建筑 通信 數(shù)據(jù)中心
2022-10-18 14:28:12465 
為了提高電子產(chǎn)品的可靠性和人體自身的安全性，必須對電壓瞬變和浪涌采取防護措施。 產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。 電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。
2022-12-08 09:37:104841 MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
2023-02-08 13:43:24284 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 集成電路電浪涌的產(chǎn)生和預(yù)防
2022-07-29 10:33:111713 
浪涌電流怎么產(chǎn)生？ 浪涌電流是指在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，由于突發(fā)的電力波動或電壓變異等原因而引發(fā)的瞬時電流。這些電壓波動和變異可以是由于閃電、開關(guān)電源的切換、短路、電力故障等引起的，它們都可以導(dǎo)致
2023-09-04 17:48:072865 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
2023-12-05 16:35:57129 
引起：閘刀的合、分閘操作；雷電、閃電等自然災(zāi)害；大功率設(shè)備的開關(guān)操作；電力系統(tǒng)中的故障產(chǎn)生等。 首先，人們需要了解浪涌過電壓的危害。浪涌過電壓對電力設(shè)備和電子設(shè)備都會造成一定程度的破壞，嚴重情況下甚至會引發(fā)火災(zāi)和安
2024-01-03 11:20:57463 由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
2024-01-24 14:10:33139 
如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓？ 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見的組件，其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉(zhuǎn)換過程中，常常會產(chǎn)生浪涌電壓，這可能對電子設(shè)備及其周圍的電路產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:00322 
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