近日，業(yè)內(nèi)資深分析師王艷麗在發(fā)表以《2023中國(guó)IGBT市場(chǎng)研究報(bào)告》為主題的演講時(shí)透露，截至2022年，全球IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)至76億美元，并預(yù)計(jì)，今年風(fēng)光儲(chǔ)增速提升有望繼續(xù)帶動(dòng)全球IGBT兩位數(shù)增長(zhǎng)，2023年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)86.2億美元，增速約13%。

IGBT是多類場(chǎng)景的核心器件

資料顯示，IGBT全稱Insulate-Gate Bipolar Transistor，也叫絕緣柵雙極型晶體管，可用于逆變器、車載充電機(jī)、DC-DC變換器等多類場(chǎng)景中，是光伏逆變器、風(fēng)電變流器及儲(chǔ)能變流器的核心器件，也是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件。

從IGBT的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT單管、IPM和IGBT模塊。其中IGBT單管和IPM模塊主要應(yīng)用在中小功率場(chǎng)景，前者應(yīng)用在小功率的家用電器、分部式光伏逆變器等；后者應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電產(chǎn)品。

而IGBT模塊應(yīng)用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領(lǐng)域。IGBT模塊占光伏逆變器成本的15%至20%。

國(guó)內(nèi)風(fēng)光儲(chǔ)IGBT市場(chǎng)規(guī)模約占全球33%

王艷麗分析，風(fēng)光儲(chǔ)IGBT市場(chǎng)增速在未來(lái)幾年有望超過(guò)汽車，市場(chǎng)份額逐年提升，2025年提升至9.7%。隨著，2025年國(guó)內(nèi)新型儲(chǔ)能由商業(yè)化初期步入規(guī)模化發(fā)展階段，預(yù)計(jì)未來(lái)新型儲(chǔ)能所需的IGBT市場(chǎng)有望迎來(lái)爆發(fā)，CAGR（復(fù)合年均增長(zhǎng)率）達(dá)54% 。整體來(lái)看，中國(guó)是全球最大的IGBT需求市場(chǎng)，需求量約占全球超四成，且需求占比有望持續(xù)提升。據(jù)東方財(cái)富研究，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模到2025年將增長(zhǎng)至522億，CAGR達(dá)22%。

有數(shù)據(jù)顯示，2022年全球風(fēng)光儲(chǔ)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為72.3億元，同比增長(zhǎng)33.2%，預(yù)計(jì)2025年有望達(dá)133.7億元，CAGR（2022-2025）為22.8%。

其中，2022年中國(guó)風(fēng)光儲(chǔ)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23.8億元，同比增長(zhǎng)48%，約占全球33%的市場(chǎng)份額。預(yù)計(jì)2025年有望達(dá)45億元，CAGR為23.7%。

整體IGBT國(guó)產(chǎn)化率已提升至約30%-35%

目前全球IGBT市場(chǎng)前五大廠商分別為海外的英飛凌、三菱、富士電機(jī)、安森美和賽米控。國(guó)內(nèi)方面，有分析，2021年及以前，我國(guó)8、9成IGBT產(chǎn)品均需要進(jìn)口，2022年整體IGBT國(guó)產(chǎn)化率提升至約30%-35%，車規(guī)級(jí)IGBT廠商在中國(guó)的市場(chǎng)份額已經(jīng)從2021年的32%提升到2022年的45%—50%。

目前中國(guó) IGBT 行業(yè)已經(jīng)能夠具備一定的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力，士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、時(shí)代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠商已經(jīng)IGBT國(guó)產(chǎn)替代方面取得了很大進(jìn)展。士蘭微以IGBT單管和IPM模塊為主，2021年公司在全球IGBT單管/IPM模塊市占率達(dá)2.6%、2.2%，均位列國(guó)內(nèi)品類第一。其重點(diǎn)應(yīng)用在工控和家電領(lǐng)域。

值得注意的是，國(guó)內(nèi)在IGBT制造工藝水平，模塊封裝的散熱效率上與國(guó)外英飛凌等廠商存在一定差距。

目前國(guó)產(chǎn)IGBT廠家產(chǎn)品在35KW以內(nèi)的光伏應(yīng)用場(chǎng)景性能指標(biāo)已經(jīng)基本滿足需求，可以應(yīng)用于全球戶用光伏市場(chǎng)，但較大功率的逆變器所需的IGBT模塊仍存在國(guó)產(chǎn)替代空間。

從IGBT廠商產(chǎn)品電壓覆蓋范圍來(lái)看，英飛凌、三菱電機(jī)、意法半導(dǎo)體、安森美等海外廠商基本覆蓋600V—6500V全系列電壓，在1700V以上中高壓領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，而國(guó)內(nèi)廠商多集中在中低壓領(lǐng)域，產(chǎn)品主要集中在1500V以下的IGBT市場(chǎng)。

賽晶科技此前正式推出1700V IGBT芯片，各項(xiàng)性能都達(dá)到甚至超越了國(guó)際龍頭的同類產(chǎn)品。該芯片能夠應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電和儲(chǔ)能及工控領(lǐng)域，尤其是在儲(chǔ)能和風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域。此外，公司還在新能源汽車上加速布局，其1200V的IGBT已經(jīng)打入國(guó)內(nèi)頭部新能源汽車的供應(yīng)鏈。同時(shí)，全新設(shè)計(jì)的車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品也在蓄勢(shì)待發(fā)。

值得一提的還有，時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)已經(jīng)有高壓3300V及以上的產(chǎn)品應(yīng)用。時(shí)代電氣2018年公司6英寸SiC生產(chǎn)線首批芯片試制成功，具備了完整的 SiC 芯片制造生產(chǎn)能力；2020年進(jìn)行以第六代IGBT技術(shù)為基礎(chǔ)的汽車用功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線建設(shè)。公司表示，IGBT已經(jīng)批量應(yīng)用于輸配電、軌道交通、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、高壓變頻器等領(lǐng)域。時(shí)代電氣在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域大幅領(lǐng)先，在國(guó)內(nèi)IGBT模塊市場(chǎng)中位居第二位，僅次于斯達(dá)半導(dǎo)。

斯達(dá)半導(dǎo)優(yōu)勢(shì)在于IGBT模塊，模塊營(yíng)收占比超80%，主要覆蓋新能源汽車和工控領(lǐng)域，早在2013年就專注新能源汽車IGBT模塊的研發(fā)，在高壁壘的IGBT行業(yè)，先發(fā)優(yōu)勢(shì)更為明顯。綜合來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商中斯達(dá)半導(dǎo)在IGBT上的技術(shù)和產(chǎn)能相對(duì)領(lǐng)先，率先實(shí)現(xiàn)突圍的幾率較大。

IGBT需求“高燒不退”

隨著新能源的爆火，IGBT缺貨成了近年來(lái)的“家常便飯”，海外大廠交期普遍在50周以上。2022年英飛凌積壓訂單金額達(dá)430億歐元，是同年?duì)I收142億歐元的3倍有余。而安森美早在2022年5月就宣布到2023年底不再接受新訂單。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，IGBT在工業(yè)、車用領(lǐng)域供貨仍吃緊，且主流IDM廠一路看好其長(zhǎng)期需求。業(yè)內(nèi)人士分析，IGBT缺貨有二大原因，一是當(dāng)前太陽(yáng)能逆變器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于調(diào)整期，不僅產(chǎn)能有限，而且許多產(chǎn)能都被電動(dòng)車廠搶走，在排擠效應(yīng)下，導(dǎo)致IGBT缺貨。

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編輯：黃飛

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