8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結(jié)果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)時的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時和ON→OFF時的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值？確認(rèn)絕對最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開關(guān)電路，試計算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
或FET電路的必要性 1．1．1 僅使用IC的場合 1．1．2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計空間 1．2 晶體管和FET的工作原理 1．2．1 何謂放大工作 1．2．2 晶體管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立
2019-04-10 06:20:24
相對于晶體管的主要評估項(xiàng)目的特征。 對于各項(xiàng)目的評估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
CD/CMOS模組加裝防***的必要性是什么？
2022-01-14 06:24:39
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-07-06 09:46:43
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2018-07-06 09:47:57
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2018-07-13 14:16:37
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療
2018-11-12 11:02:34
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
我正在瀏覽上面提到的Amp的數(shù)據(jù)表，任何人都可以解釋一下TDA7498MV中頻移的必要性
2019-08-13 06:59:46
`TGF2933分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2933報價TGF2933代理TGF2933 TGF2933現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠科技有限公司Qorvo TGF2933是SiC上的7 W（P
2019-07-19 21:01:07
`TGF2935分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2935報價TGF2935代理TGF2935 TGF2935現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠科技有限公司該器件采用Qorvo經(jīng)過驗(yàn)證的QGaN15構(gòu)建處理
2019-07-19 21:04:35
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有． 幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進(jìn)
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機(jī)、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優(yōu)點(diǎn)是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
FinFET的問題更多的是制造而不是泄漏。它可能會對幾個節(jié)點(diǎn)有所幫助，這可能意味著十多年的額外使用。盡管如此，制造過程中連續(xù)性的損失可能是重大且昂貴的?！ ■捠綀鲂?yīng)晶體管綜述 CMOS技術(shù)的創(chuàng)新
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
何為去耦技術(shù)？正確去耦有何必要性？去耦電容有哪些類型？不良去耦技術(shù)對性能的影響是什么
2021-03-11 08:14:14
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
用一個運(yùn)放和一個分立的外接晶體管就可以實(shí)現(xiàn)一個恒流電路，但也可以用一只運(yùn)放和一些電阻器，設(shè)計出一個雙極型的電流源或接收器。
2021-04-08 06:24:36
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
文章目錄【 0. 接口電路 】【P0口】【P1口】【P2口】【P3口】【 0. 接口電路 】接口電路的必要性：\color{red}{接口電路的必要性：}接口電路的必要性：?計算機(jī)對外設(shè)進(jìn)行數(shù)據(jù)操作
2021-07-29 08:09:28
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時，基極電流IB需要相對
2019-04-22 05:39:52
機(jī)床數(shù)控化改造的必要性及其改造方法 ： 本文首先介紹了機(jī)床數(shù)控化改造的必要性，然后簡單介紹了機(jī)床數(shù)控化改造的內(nèi)容及其的優(yōu)缺點(diǎn)，而重點(diǎn)在于介紹如何進(jìn)行機(jī)床數(shù)控化改造，包括數(shù)控系統(tǒng)的選擇、數(shù)控改造中
2021-09-09 08:27:52
機(jī)床進(jìn)行數(shù)控化改造的必要性是什么？如何進(jìn)行改造？
2021-11-04 06:37:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
100GHz以上。 電子管是利用靜電場對電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
（RDS（on））。理想情況下，所選器件應(yīng)均勻匹配，以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次，在動態(tài)開關(guān)過程中，如果晶體管柵極缺乏對稱性，不僅會導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡，動態(tài)電流和電路寄生參數(shù)
2021-01-19 16:48:15
直流電源的紋波系數(shù)監(jiān)測必要性介紹了紋波的產(chǎn)生；分析了對紋波進(jìn)行監(jiān)測的原因，直流紋波系數(shù)監(jiān)測對電網(wǎng)安全運(yùn)行的重要性，及目前直流電源成套裝置存在的問題，并結(jié)合實(shí)際闡述了常規(guī)監(jiān)測的方式，說明了對直流電源的紋波系數(shù)進(jìn)行監(jiān)測的必要性。 [hide][/hide]
2009-12-22 11:16:30
`芯片返修即通過將失效的元件從失效位置取下，代之以正確的元件，從而恢復(fù)產(chǎn)品全部正確特性的工藝過程。芯片返修的必要性：1.高價值的產(chǎn)品2.工藝復(fù)雜的產(chǎn)品3.科研需要4.OEM/EMS成本控制的需要`
2020-05-09 16:34:01
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
虛擬儀器由那幾部構(gòu)成？虛擬儀器為什么要校準(zhǔn)？有什么必要性？
2021-04-12 06:10:39
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
什么是車載Ethernet車載Ethernet降噪措施的必要性
2020-12-30 06:49:44
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
之所欲。 嚴(yán)格地說，提出過多過高的要求，或者指望神秘莫測、不是人所熟知的器件，可能會使選型過程復(fù)雜化，提高IC和分立晶體管的成本。因此，切勿奢求難以找到的器件或不必要的參數(shù)。 但是，IC比單一晶體管
2018-09-26 17:46:50
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