化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
微波是指波長在1mm~1000mm頻率在300MHz-300GHz范圍之間的電磁波，因為它的波長與長波、中波和短波相比來說，要“微小”得多，所以稱之為“微波”。工作在微波波段（頻率為300
2018-02-08 14:07:30
微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點，本文以環形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。
2019-06-26 08:09:02
多年來，微波器件公司一直為諸如核磁共振成像(MRI)系統等醫療成像應用提供器件。雖然成像應用繼續提供了堅實的機會，但許多其它醫療應用領域也開始為無線微波和射頻技術敞開了大門。例如，遠程監控支持病人
2019-08-08 06:49:31
多年來，微波器件公司一直為諸如核磁共振成像(MRI)系統等醫療成像應用提供器件。雖然成像應用繼續提供了堅實的機會，但許多其它醫療應用領域也開始為無線微波和射頻技術敞開了大門。例如，遠程監控支持在病人
2019-07-29 07:55:51
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業加熱和干燥。從工業角度
2018-01-18 10:56:28
技術時經常用到“變革性”一詞，考慮到這些技術對日常生活的深遠影響時，確實如此。在本篇文章中，我們將評估氮化鎵微波射頻在醫療應用領域的前景，基于氮化鎵的射頻設備將在全球范圍內提高醫生挽救生命的能力并改善
2017-12-27 10:48:11
提到雷達，大家印象里就會浮現出用于軍事探測領域的雷達技術。隨著時間的不斷發展，已從軍用過渡到民用市場，直到今天，雷達已成為親民化產品，微波雷達技術是紅外線、激光、超聲波技術的有力競爭者，應用領域廣泛
2021-08-23 15:54:54
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經在射頻應用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常規芯片FHC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產品介紹FHX45X詢價熱FHX45X現貨王先生 深圳市首質誠科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
?無外部匹配?針對每個頻段進行了優化筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化鎵場效應管FLM5964-18F砷化鎵場效應管FLM5964-25F砷化鎵場效應管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化鎵晶體管產品介紹FLM8596-8F報價FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F現貨, 深圳市首質誠科技有限公司FLM8596-8F是一種功率
2019-07-10 09:40:09
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
特性 應用領域 l 超高穩定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強l 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件盤裝
2013-11-13 10:56:14
和相位測量，低電平直流—交流轉換器，無觸點電位器等特性 應用領域 l 超高穩定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強l 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅動能力強l 小型化
2013-11-13 10:54:57
轉換器，無觸點電位器等特性 應用領域 l 超高穩定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強l 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件
2013-11-13 10:53:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用。”意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
` 本帖最后由 MACOM 于 2017-6-6 15:11 編輯
AlGaAs技術在微波行業采用能隙工程生產新型半導體結構已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質結的各種性質，已制造出由
2017-06-06 14:37:19
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
`SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGC1112-100A-R報價SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨詢熱線SGC1112-100A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGC8598-100A-R報價SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨詢熱SGC8598-100A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1011-25A報價SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨詢熱SGK1011-25A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1314-25A報價SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨詢熱SGK1314-25A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1314-30A報價SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGK5254-120A-R報價SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式連續作業筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化鎵場效應管ELM5964-7PS砷化鎵場效應管ELM6472-4PS砷化鎵場效應管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產品介紹SGM6901VU報價SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現貨, 深圳市首質誠科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應用。產品型號：TGF2160產品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
讀者使用。 基于砷化鎵（GaAs）技術的微波單片集成電路（MMlC）具有體積小、性能優越的主要特點，其應用越來越廣泛。MMIC應用的電子系統有：衛星通信、相控陣雷達系統、電子戰、以及其他軍事系統，同時
2018-01-24 17:52:01
微波技術最初用于軍事領域，而如今，這種技術已在商用、工業、醫療和汽車領域全面開花結果。在我們享受微波技術給我們的生活和生產帶來便利和翻天覆地的變化的同時，請不要忘記通過改革和發明，塑造微波產業的眾多傳奇人物、地方和事件的故事及其卓越貢獻。
2019-08-27 07:49:44
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
制造商正在從傳統的全硅工藝轉向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用這些器件進行設計時應牢記哪些事項？
2019-08-01 07:44:46
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
簡介模擬衰減器在射頻以及微波網絡方面得到了很廣泛的應用。無論是采用砷化鎵微波集成電路（GaAs MMICs）還是采用PIN管的網絡，它們都是通過電壓來控制射頻信號的功率的。在商業應用中，比如蜂窩電話
2019-07-09 07:03:59
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測量磁場的傳感器，兩個輸入端，兩個輸出端。我把十二個砷化鎵串聯使用，三個一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測試的時候，所有的單個砷化鎵都對磁場有響應，但是把四組串聯
2016-04-23 16:13:19
能水平非常接近SiC。重要的是，這些砷化鎵二極管的成本僅為同等SiC器件的70%左右，這為設計人員提供了一個理想的機會，可以在小幅性能降低和顯著成本節約之間進行權衡。
2023-02-21 16:27:41
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調，可以根據資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經驗值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
簡介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-05-21 14:45:25
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-21 14:41:41
南京諾茲爾通信技術有限公司成立于2006年，公司成立以來一直從事射頻/微波組件的研發、生產和銷售。公司在5年多的運作過程中積累了大量有關射頻/微波元器件采購渠道的人脈，在去年7月1號正式成立元器件
2012-03-31 11:28:39
的。除了高可靠性外，性能也必須具有最高水準，在至少十年時間內盡量減小性能的劣化(見圖)。在為太空應用設計任何射頻/微波元件或子系統時確保可靠性是很重要的一步，但這只是電子器件可以認為是“合格太空”品之前
2019-06-21 07:36:54
。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領先技術，在制程縮微方面，也已經切入0.1微米領域，高階制程持續領先同業。
穩懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術都自行開發而非客戶技轉( 宏捷科由
2019-05-27 09:17:13
半導體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe半導體技術集成高質量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度的行為
2016-09-15 11:28:41
在微波爐拆后，如何來安全的檢測半數字化電腦面板結構中，電子器件，及常規故障的反應點
2018-12-22 06:38:07
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
微波器件是現代通信中的重要電子器件，在移動通信基站中有廣泛應用。特別是波導等微波信號傳輸結構，由于對信號的損耗有嚴格要求，因此，要求微波產品的各個制造環節都要有嚴格的工藝控制，以保證整機產品的通信
2019-08-19 06:19:29
硅的μamb產生過大的串聯電阻，已開始使用μamb值更大的材料，例如砷化鎵(GaAs)。對于毫米波(mmW)應用，即便使用μamb值更大的砷化鎵也存在缺點。為了滿足在毫米波頻率下對更優電阻和更低電容
2018-03-22 10:59:54
的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。 半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機和衛星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導體的摻雜溝道導電，而是通過在兩個帶隙不同的半導體
2023-02-27 15:46:36
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
XU1006-QB砷化鎵變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發射器在整個頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個平衡的電阻式 pHEMT 混頻器，后跟一個
2022-12-28 15:31:26
高線性度與優異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產品描述：JM8630是一款高線性度與優異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22
用于電動摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產品概述：GS302SA-3通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷化鎵場效應管，設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
ADPA7009CHIP：重塑微波領域的強大力量ADPA7009CHIP，一款砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)分布式功率放大器，憑借其卓越的性能，在
2024-01-14 22:56:26
ADL8106ACEZ：重塑微波領域的強大力量ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)寬帶低噪聲放大器。其卓越的性能
2024-01-14 22:58:46
本文開始介紹了微波器件的分類與微波器件的作用，其次介紹了微波器件的應用，最后介紹了微波遙感器件理論的研究現狀與微波遙感器件的發展趨勢進行了分析。
2018-02-08 11:39:42
21155 本文開始介紹了什么是微波器件以及微波器件的分類，其次介紹了微波器件的作用，最后介紹了微波器件的應用及微波開關在微波無源器件自動化測試中的應用案例。
2018-02-08 16:44:2713873 射頻微波器件是無線通信、衛星通信、軍事和醫療領域的關鍵組成部分。在這個競爭激烈的市場中，啟源微波以其創新的產品系列、卓越的性能和卓越的客戶服務一直處于行業的前沿。 為什么選擇啟源微波的射頻器件
2023-11-15 18:24:55256 微波器件 （Microwave Devices）是指工作在微波波段 (300MHz ~ 300GHz)的器件，常應用在信號發送機、信號接收機、雷達系統、手機移動通信系統等電子產品中。微波器件包括微波真空器件、微波半導體器件等，由于后者的可集成性，本詞條主要描述后者。?
2024-01-03 09:52:47314
電子發燒友App
工商網監
評論