摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過(guò)程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物,還可以消除包含特征的蝕刻金屬
2021-12-27 14:45:132565 硅結(jié)構(gòu)。因此,<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過(guò)程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚,該過(guò)程
2022-03-08 14:07:251769 在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷,我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì),作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ),外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長(zhǎng)的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測(cè),以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:421024 引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無(wú)論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能,對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335070 在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過(guò)濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過(guò)程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522866 本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素
2022-07-12 14:01:131364 本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:042263 他方向上的蝕刻速度快,而各向同性蝕刻(如HF)會(huì)向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性,同時(shí)保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中,以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性,并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062774 濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見(jiàn)下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913992 通過(guò)高選擇性蝕刻,專(zhuān)用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
2023-03-20 09:41:492006 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 1) 導(dǎo)線精細(xì)化,通孔微小化,提升了對(duì)PCB加工設(shè)備和工藝控制水平的要求, 同時(shí)也是對(duì)PCB工廠整體管理能力和員工個(gè)人能力的考驗(yàn)。6/6mil 的線寬/線距制作能力,在當(dāng)前的設(shè)備和物料,以及工藝控制
2012-11-24 14:17:29
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液1.特性1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層,如鍍覆金、鎳、錫鉛合金,錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。 2)蝕刻速率快,側(cè)蝕小,溶銅能力高,蝕刻速率容易控制。 3)蝕刻液可以
2018-02-09 09:26:59
PCB的制造工藝發(fā)展很快,不同類(lèi)型和不同要求的PCB采取不同的工藝,但其基本工藝流程是一致的。一般都要經(jīng)歷膠片制版、圖形轉(zhuǎn)移、化學(xué)蝕刻、過(guò)孔和銅箔處理、助焊和阻焊處理等過(guò)程 PCB制作過(guò)程
2018-08-30 10:07:20
PCB的8步指南通過(guò)在整個(gè)基板上粘合銅層來(lái)制作PCB。有時(shí),基板的兩面都被銅層覆蓋。進(jìn)行PCB蝕刻工藝(也稱(chēng)為受控水平工藝)是使用臨時(shí)掩模從PCB面板上去除多余的銅。在蝕刻過(guò)程之后,電路板上留有
2020-11-03 18:45:50
。 ②僅在孔和圖形上覆蓋干膜,以干膜作抗蝕層。 ③在酸性蝕刻液中蝕去多余的銅,從而得到所需要的導(dǎo)線圖形。 (3) 特點(diǎn) ①工序較圖形電鍍蝕刻法簡(jiǎn)單,但工藝控制會(huì)困難些。日本不少企業(yè)用此工藝
2018-09-21 16:45:08
,做到嚴(yán)格的控制工藝條件,就能夠更好的改善溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)。 2)粘度:蝕刻過(guò)程中,隨著銅的不斷溶解,蝕刻液的粘度就會(huì)增加,使蝕刻液在基板銅箔表面上流動(dòng)性就差,直接影響蝕刻效果。要達(dá)到理想的蝕刻液的最佳狀態(tài)就要充分利用蝕刻機(jī)的功能,確保溶液的流動(dòng)性。
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
工序(底片由于劃傷或者垃圾造成的問(wèn)題,包括曝光機(jī)問(wèn)題,曝光局部不足等),顯影工序(顯影不清),蝕刻工序(噴嘴壓力過(guò)大,蝕刻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)),電鍍問(wèn)題(電鍍不均勻,或者表面有吸附),操作不當(dāng)(基本是劃傷造成的)。 關(guān)鍵看PCB斷線的形式,所以工藝工程師經(jīng)驗(yàn)技術(shù)很重要。
2013-02-19 17:30:52
1.問(wèn)題:印制電路中蝕刻速率降低 原因: 由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)引起的 解決方法: 按工藝要求進(jìn)行檢查及調(diào)整溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等工藝參數(shù)到工藝規(guī)定值。 2.
2018-09-19 16:00:15
目前,印刷電路板(pcb)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi):浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
課程設(shè)計(jì)總結(jié)。 第二章 蒸餾塔頂和回流槽的過(guò)程控制圖的分析2.1 工藝流程分析1、工藝流程圖本設(shè)計(jì)的工藝流程圖如下圖所示: 圖2.1 工藝流程圖2、工藝流程圖的說(shuō)明如圖2.1所示
2013-04-20 14:15:29
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中,濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過(guò)程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過(guò)程旨在去除微粒,而另一些則是去除有機(jī)和/或無(wú)機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào):JFSJ-21-045作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情,請(qǐng)加V獲取:hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度,它可以通過(guò)幾種
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩爾)。這是一個(gè)相對(duì)較高的值,這是蝕刻工藝的典型值,其速率受化學(xué)反應(yīng)本身的限制,而不是受反應(yīng)產(chǎn)物的溶解或反應(yīng)物質(zhì)向蝕刻表面擴(kuò)散的限制。類(lèi)似地,使用光學(xué)顯微鏡觀察到的蝕刻表面的光滑度表明蝕刻過(guò)程
2021-07-09 10:23:37
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào):JFSJ-21-0作者:炬豐科技網(wǎng)址:http
2021-07-06 09:39:22
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑(例如過(guò)氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
和復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。反過(guò)來(lái)說(shuō)它又是一個(gè)易于進(jìn)行的工作。一旦工藝上調(diào)通,就可以連續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)。關(guān)鍵是一旦開(kāi)機(jī)就需保持連續(xù)工作狀態(tài),不宜干干停停。蝕刻工藝在極大的程度上依賴(lài)設(shè)備的良好工作狀態(tài)。就目前
2018-04-05 19:27:39
各位大佬:想咨詢(xún)國(guó)內(nèi)是否有如下這樣的工藝:多層PCB/FPC,top層的走線銅,不同的回路,銅厚不一樣。我的理解在理論上是可行的,先使用全板銅蝕刻后得到不同的回路,然后對(duì)特定的回路進(jìn)行電鍍工藝,增加特定回路的銅厚,各位大佬如果有供應(yīng)商資源可以和我一起探討一下,聯(lián)系方式:***
2022-11-22 14:45:08
摘要:在印制電路制作過(guò)程中,蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以,研究印制電路的蝕刻過(guò)程具有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義,特別是對(duì)于精細(xì)線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型,并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
電子零件連接需求時(shí),便可將電路布置于基板的兩面,并在板上布建通孔電路以連通板面兩側(cè)電路。這種類(lèi)型的pcb板就叫做雙層pcb板。 雙層PCB板制作過(guò)程與工藝 雙層PCB板制作生產(chǎn)流程大體上可以分成以下幾個(gè)
2018-09-20 10:54:16
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開(kāi)機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
的問(wèn)題,大多數(shù)電路板都是使用蝕刻工藝進(jìn)行生產(chǎn)的,工藝流程中就會(huì)出現(xiàn)因?yàn)殇J角區(qū)域較為狹窄而導(dǎo)致有腐蝕性化學(xué)物質(zhì)殘留,最后導(dǎo)致Acid Traps現(xiàn)象。那么銳角不可以,直角是否可以呢,這個(gè)問(wèn)題有很多大佬們?cè)诟鞔笳搲懻摗€(gè)人認(rèn)為如果沒(méi)有特殊要求,走線時(shí)用鈍角既美觀有安全,除非部分要求,最好不要使用直角。
2020-07-17 08:30:00
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即
2018-09-19 15:39:21
一.概述 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖
2006-04-16 21:23:42903 過(guò)程控制控制接口
該電路可以用作雙線
2009-09-18 16:08:57543 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前,集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì),許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù),但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題,因
2010-03-30 16:43:081181 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式
2010-10-25 12:36:45650 提綱 1.無(wú)處不在的無(wú)線通信 2.過(guò)程控制中無(wú)線應(yīng)用要求 3.過(guò)程控制中應(yīng)用的無(wú)線技術(shù) 4.工業(yè)無(wú)線通信展望
2011-03-20 17:03:1031 過(guò)程控制系統(tǒng)和應(yīng)用-俞金壽,有需要的下來(lái)看看
2016-03-22 11:23:120 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1628232 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn),其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn),最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解,具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940469 蝕刻液的種類(lèi):不同的蝕刻液化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來(lái)的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕,達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開(kāi)發(fā)。
2018-10-12 11:27:366335 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。
2019-08-16 11:31:004646 蝕刻過(guò)程是PCB生產(chǎn)過(guò)程中基本步驟之一,簡(jiǎn)單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋,沒(méi)有被抗蝕層保護(hù)的銅與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng),從而被咬蝕掉,最終形成設(shè)計(jì)線路圖形和焊盤(pán)的過(guò)程。當(dāng)然,蝕刻原理用幾句話就可以輕而易舉
2019-07-23 14:30:313894 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352708 要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個(gè)
2019-07-08 14:51:342430 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。
2019-07-01 16:33:532423 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅。
2019-05-07 15:16:344042 本視頻主要詳細(xì)介紹了pcb濕膜工藝流程,刷板(基板前處理)→絲網(wǎng)印刷→烘干→曝光→顯影→蝕刻→去膜。
2019-05-07 17:52:068623 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步——蝕刻進(jìn)行解析。
2019-05-31 16:14:093307 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。
2019-07-06 10:13:218077 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用”圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化 學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻。
2019-07-09 10:09:343924 1.問(wèn)題:印制電路中蝕刻速率降低
原因:
由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)引起的
解決方法:
按工藝要求進(jìn)行檢查及調(diào)整溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等工藝參數(shù)到工藝規(guī)定值。
2020-01-15 15:10:533128 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過(guò)程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝,是一種可行但低效的方法。在蝕刻過(guò)程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分,正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路,負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來(lái)保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤(pán)的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 ,錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應(yīng)基本原理 1.酸性氯化銅蝕刻液 ①.特性 -蝕刻速度容易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達(dá)到高的蝕刻質(zhì)量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②.主要反應(yīng)原理 蝕刻過(guò)程中,Cu2+有氧化性,將板面銅氧化成Cu+:Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:587458 大型PCB制造商使用電鍍和蝕刻工藝在板上生產(chǎn)走線。對(duì)于電鍍,生產(chǎn)過(guò)程始于覆蓋外層板基板的電鍍銅。 光刻膠蝕刻也用作生產(chǎn)印刷電路板的另一個(gè)關(guān)鍵步驟。在蝕刻過(guò)程中保護(hù)所需的銅需要在去除不希望有的銅和在
2020-12-31 11:38:583561 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過(guò)程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031008 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個(gè)階段,接下來(lái)詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段,內(nèi)層穿過(guò)化學(xué)制劑生產(chǎn)線。銅表面會(huì)出現(xiàn)粗糙度,這對(duì)于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162160 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過(guò)程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè),特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241860 功率、施加到襯底支架的負(fù)偏壓和氫氣流速對(duì)蝕刻過(guò)程速率的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果首次評(píng)估了工藝參數(shù)對(duì)刻蝕速率的影響。結(jié)果表明,工藝參數(shù)對(duì)所研究條件的影響依次為:反應(yīng)室壓力、偏壓、射頻功率、氫氣流速。
2022-02-17 15:25:421804 的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對(duì)這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類(lèi)和確定,評(píng)估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種濕蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 我們開(kāi)發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝,通過(guò)在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來(lái)制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過(guò)程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19666 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過(guò)程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19591 拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片),然后進(jìn)行稱(chēng)為研磨的平整過(guò)程,該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37668 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無(wú)關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過(guò)程。加入BCl以開(kāi)始
2022-06-13 14:33:14904 和蝕刻殘留物。開(kāi)發(fā)的最終工藝產(chǎn)生了具有大約80度的單斜面?zhèn)缺谳喞拇┻^(guò)襯底的通孔,該通孔清除了蝕刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57516 目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁的典型均方根(rms)粗糙度約為
2022-07-12 17:19:243454 蝕刻工藝 蝕刻過(guò)程分類(lèi)
2022-08-08 16:35:34736 MELSEC iQ-R 編程手冊(cè)(過(guò)程控制FB/指令篇) 產(chǎn)品規(guī)格書(shū).創(chuàng)建過(guò)程控制用程序時(shí),可以使用過(guò)程控制指令與將過(guò)程控制指令編入到內(nèi)部的過(guò)程控制FB
2022-08-26 14:28:180 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比,在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:362363 何時(shí)完全蝕刻了一個(gè)特定的層并到達(dá)下一個(gè)層。通過(guò)監(jiān)測(cè)等離子體在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生的發(fā)射線,可以精確跟蹤蝕刻過(guò)程。這種終點(diǎn)檢測(cè)對(duì)于使用基于等離子體的蝕刻工藝的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)至關(guān)重要。 等離子體是一種被激發(fā)的、類(lèi)似氣
2022-09-21 14:18:37694 可編程邏輯控制器 (PLC) 可節(jié)省過(guò)程控制系統(tǒng)的時(shí)間、金錢(qián)和能源。它們簡(jiǎn)化了系統(tǒng)。制造工藝的簡(jiǎn)史為如何使用現(xiàn)代IC取代分立元件奠定了基礎(chǔ)。這些 IC 允許輕松進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)并擴(kuò)展監(jiān)控,以提高設(shè)備
2023-02-27 15:20:31576 金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 其實(shí)不同顏色的PCB,它們的制造的材料、制造工序都是一樣的,包括敷銅層的位置也是一樣的,經(jīng)過(guò)蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線,例如下圖這塊剛經(jīng)過(guò)蝕刻工藝的PCB,敷銅走線就是原本的銅色,而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會(huì)變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué),以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 關(guān)鍵詞:氫能源技術(shù)材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象,通常發(fā)生在頂部,這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中,在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕,稱(chēng)為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670
評(píng)論
查看更多