摘要：本文介紹了一個(gè)簡(jiǎn)單、具有快速響應(yīng)時(shí)間的過(guò)流故障檢測(cè)器，用于低壓系統(tǒng)的電路保護(hù)。該方案與專(zhuān)用的熱插拔控制器不同，專(zhuān)用的熱插拔控制器跳出欠壓狀態(tài)后往往具有較長(zhǎng)的啟動(dòng)延時(shí)，而本文介紹的電路在輸入電壓超過(guò)2.7V后僅150μs后就可提供保護(hù)。此外，在上電過(guò)程中，該電路會(huì)通過(guò)限制外部p溝道開(kāi)關(guān)的柵極電壓來(lái)限制浪涌電流。

概述

圖1所示為完整的輸出鎖定過(guò)流故障檢測(cè)器電路。上電后，比較器輸出COUT的電壓接近0V。由Q2和Q3組成的同相緩沖器確保Q1 (具有非常低的導(dǎo)通阻抗、低門(mén)限電壓的p溝道功率MOSFET)的柵極完全導(dǎo)通。通過(guò)高邊檢流放大器測(cè)量流入負(fù)載中的電流，將檢流電阻RSENSE兩端的小電壓信號(hào)按比例放大、轉(zhuǎn)換為以地為參考的電壓，從OUT引腳輸出。該輸出電壓與負(fù)載電流成正比，最后經(jīng)過(guò)分壓后送入帶鎖存的同相比較器的輸入端。

當(dāng)負(fù)載電流超出R1和R2設(shè)置的門(mén)限電壓時(shí)，比較器翻轉(zhuǎn)，輸出電壓被R3拉高。由于柵-源電壓跌落至柵極門(mén)限以下，p溝道MOSFET關(guān)斷。同相緩沖器Q2-Q3確保Q1柵極具有足夠的充電電流和放電電流，實(shí)現(xiàn)快速切換。


圖1. 由集成的檢流放大器、鎖存比較器以及基準(zhǔn)構(gòu)成的快速響應(yīng)、低壓過(guò)流保護(hù)電路

元件選擇

控制器
MAX4373是一款采用+3.3V供電，具有快速響應(yīng)特性的電流鎖定限流檢測(cè)器。MAX4373內(nèi)部集成了實(shí)現(xiàn)這一功能的所有需要的模塊：包括高共模電壓差分電壓檢測(cè)器、基準(zhǔn)源以及帶低電平有效復(fù)位輸出的鎖存比較器。VCC上電后，典型啟動(dòng)延遲為500μs，比較器傳輸延遲典型值為4μs。

檢流電阻
合理選擇的檢流電阻以保證獲得最佳的增益精度(典型值為1%至1.5%)，增益范圍為+20V/V和+50V/V (MAX4373的T和F版本)時(shí)，額定電流下的壓差應(yīng)在75mV至100mV范圍內(nèi)。按照下列公式計(jì)算檢流電阻值以及該電阻消耗的功率：





輸出動(dòng)態(tài)范圍也是一個(gè)重要的考慮因素。應(yīng)將標(biāo)稱輸出電壓(相對(duì)于工作/檢測(cè)電流)設(shè)為電源電壓的一半。需要注意的是：VOUT的最大值應(yīng)比電源電壓VCC低250mV。因此，VCC = +3.3V時(shí)，VOUT的標(biāo)稱值應(yīng)約為1.4V。在本文給出的實(shí)例中，對(duì)于增益為+20V/V的MAX4373 (T版本)，理想的檢測(cè)電壓為70mV。

檢流電流為15A時(shí)，若RSENSE = 4.6mΩ，VSENSE為70mV，可選擇的最接近的標(biāo)準(zhǔn)電阻為4.7mΩ。Tyco-Meggitt RL73H的容差為±1% (尾綴F)。

電流門(mén)限
完成檢流放大器的設(shè)置后，接下來(lái)應(yīng)設(shè)置比較器，以產(chǎn)生適當(dāng)?shù)那袚Q輸出電壓用于斷開(kāi)串聯(lián)功率開(kāi)關(guān)。通過(guò)電阻分壓器將電流放大器輸出端連接至比較器的正向輸入端。比較器的正向輸入應(yīng)超過(guò)內(nèi)部設(shè)置的標(biāo)稱門(mén)限值600mV (580mV至618mV)，才能斷開(kāi)功率開(kāi)關(guān)。根據(jù)下列電壓門(mén)限公式計(jì)算R1和R2的阻值：



在檢流放大器的標(biāo)稱輸出電壓條件下，流經(jīng)R1和R2電流應(yīng)大于150nA，小于500μA。在600mV (最大值)的飽和電壓下，比較器輸出可吸入1mA的電流。柵極上拉電阻R3可由下列公式計(jì)算：



功率開(kāi)關(guān)
選擇外部p溝道MOSFET時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)是峰值電流、導(dǎo)通電阻以及柵極電壓，其次是其封裝。選擇合適的導(dǎo)通電阻，使其在額定電流下的壓降與電流檢測(cè)電壓相近。這樣可使檢測(cè)電阻和MOSFET上產(chǎn)生的功耗相近。

Si7485DP MOSFET (來(lái)自Siliconix)在VGS = -2.5V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻為9mΩ。這個(gè)20V的p溝道器件能夠工作在較低的輸入電壓下。最差情況下靜態(tài)功耗可按照下列公式計(jì)算：



在15A負(fù)載電流和9mΩ導(dǎo)通電阻條件下，Si7485DP可工作在環(huán)境溫度的40°C至50°C以上，因此可根據(jù)具體應(yīng)用考慮增加散熱片。

在本例中，功率開(kāi)關(guān)具有大約60nC的柵極電荷。如果需要快速響應(yīng)，則超出了R3和低功耗比較器輸出所能提供的驅(qū)動(dòng)能力。這種情況下必須增加柵極驅(qū)動(dòng)緩沖器。如上所述，由Q2和Q3組成的互補(bǔ)型射極跟隨驅(qū)動(dòng)器可以為Q1柵極提供優(yōu)異的雙極性電流增益。應(yīng)選擇在500mA到1A集電極電流下，具有良好直流β值的晶體管，可選用SOT223封裝的Zetex FZT688B (npn)和FZT788B (pnp)。柵極響應(yīng)時(shí)間的計(jì)算公式如下：

工作狀態(tài)

固有誤差
實(shí)際檢測(cè)到的電流與以下元件的固有誤差有關(guān)：

檢測(cè)電阻	±1% (TL3A)
檢測(cè)電壓限制	±0.1
增益容限	±5.5% (最大值，包括增益和失調(diào)誤差)
比較器電阻容限	±1% (R1 & R2)
比較器門(mén)限容限	±3.3%

如果忽略檢測(cè)電壓的誤差，總的電流檢測(cè)誤差接近±10.8%，可采用下列公式計(jì)算具體的誤差范圍：



如果R1和R2采用±0.1%容差的電阻，可稍稍降低總體誤差(約±1%)，但由此所增加的成本對(duì)于終端應(yīng)用來(lái)說(shuō)是無(wú)法接受的。

關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程
對(duì)于故障和隨后的電流中斷做出快速響應(yīng)是對(duì)電路的關(guān)鍵要求。然而，電源引線分布電感的儲(chǔ)存能量將會(huì)產(chǎn)生有害的電壓尖峰，當(dāng)然，其中一些能量會(huì)被負(fù)載電源的分布電容所吸收，但是，為了保護(hù)MAX4373不被28V或更高的瞬態(tài)電壓損害，最好提供一個(gè)快速響應(yīng)的過(guò)壓箝位二極管。

測(cè)試結(jié)果
用電流探針監(jiān)測(cè)輸入端(圖1中的VIN)的負(fù)載電流。逐漸增大負(fù)載電流，直到達(dá)到門(mén)限并觸發(fā)電路，響應(yīng)時(shí)間約為2μs (圖2)。


圖2. 圖1電路的測(cè)試結(jié)果，響應(yīng)時(shí)間約為2μs.