SIC414 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414CD-T1-GE3 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414DB - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驅動電路中要求輸入一個-25V電壓，有什么方法可以產生負的電壓？
2016-12-12 11:10:34
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發活動的現狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數十
2023-02-27 13:48:12
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關，需要能夠應對不斷發展的市場的新型驅動和轉換解決方案。由于其優異的熱特性，SiC器件在各種應用中代表了優選的解決方案，例如汽車領域的功率驅動電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-04-22 06:20:22
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
編絕緣型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC的概述和應掌握的特征 性能評估事例的設計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結果
2018-11-27 16:40:24
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
和設計案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驅動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關注
2022-03-24 18:03:24
如圖，是一個AP4313的應用電路請問要如何標紅的R4的電阻
2018-12-25 09:37:19
CD4017有哪些應用電路
2016-01-10 21:41:51
寄生效應過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產生的快速電壓和電流開關瞬變，內部和外部SiC寄生效應會受到這些開關瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統穩定性
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
應用，實際上已經在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發揮著SiC-SBD的優勢。關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經發展到第3代。?第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
本文將介紹全SiC模塊的應用要點—緩沖電容器。在高速開關大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關節點的電容器。寄生電感會使開關
2018-11-27 16:39:33
。準諧振控制軟開關的低EMI工作，突發模式下的輕負載時低消耗電流工作，具備各種保護功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅動而優化的柵極箝位電路。另外，是工業設備用的產品，因此支持長期供應
2018-12-04 10:11:25
） 圖片由Bodo的電力系統提供 （D） 圖片由Bodo的電力系統提供 圖1.使用電壓源驅動器BM61M41RFV-C（A和C）和電流源驅動器BM60059FV-C（B和D）的IGBT的典型導
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
在無線電設備中，集成電路的應用愈來愈廣泛，對集成電路應用電路的識圖是電路分析中的一個重點，也是難點之一。1．集成電路應用電路圖功能▼▼▼ 集成電路應用電路圖具有下列一些功能： ①它表達了集成電路
2015-08-20 15:59:42
SiC-MOSFET用作開關的準諧振轉換器IC。在使用電源IC的設計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款IC
2018-11-27 16:54:24
TOP414G構成的5V、2A隔離式開關電源電路
2019-09-12 09:12:06
個月的研發合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內容，并聚焦在有關SiC技術和封裝的創新。WInSiC4AP聯盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業
2019-06-27 04:20:26
經典實用電路大全是經典實用電路叢書修訂后的合訂本，包括智能報警與控制經典實用電路、燈光控制經典實用電路、家用控制與保護經典實用電路、農牧漁業經典實用電路、機
2009-03-01 13:36:26
0 CAV414是一種專為電容性傳感器而設計的通用多用途集成電路,可用于檢測被測電容的相對變化,以達到校準參考電容的目的,因而可廣泛應用于工業過程控制、遠程測量、壓力及溫度檢
2009-04-29 15:18:3234 根據連鑄輥高溫段的工礦條件，對比進口焊絲，研制了連鑄輥堆焊用藥芯焊絲414N，并對研制的藥芯焊絲進行了性能測試，通過對比，可以看出，研制的414N藥芯焊絲完全可以替代進口
2009-12-26 14:48:5211 SiC414 datasheet,pdf(6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO)
The Vishay Siliconix SiC414
2010-03-23 15:28:3323 TOP412/414三端DC/DC PWM開關電源
TOP412/414 Triple－ terminal DC/DC PWM Switching Mode Power Supply
Power lntegrations公司繼TOPSwitc
2009-07-21 16:21:11
3858 
TOP414G的典型應用電路
圖&
2009-07-21 16:23:403982 
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 microBUCK系列集成同步降壓穩壓器SiC414（Vishay）
Vishay Intertechnology,推出旗下microBUCKTM系列集成同步降壓穩壓器中的新器件－
2010-03-23 11:23:05951 基于SiC414設計的6A降壓電源穩壓技術
SiC414是Vishay公司的集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩壓器,開關頻率高達1MHz,全部采用陶瓷電容.連續輸出電流達6A,效
2010-04-22 18:10:331414 本內容提供了三星414、415系列顯示器原理圖
2011-06-02 16:48:35466 電子發燒友網為你提供TI(ti)TPD1S414相關產品參數、數據手冊，更有TPD1S414的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，TPD1S414真值表，TPD1S414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-10-16 11:16:58
圖和典型應用電路
?
MK484最簡化應用電路
?
?
MK484可與以下型號的集成電路兼容：
BS414 ，CD7642CS， CIC7642AP/T ，D414 ，D501
2018-09-20 19:16:492948 TOP414G構成的5V、2A隔離式開關電源電路,TOP414G POWER SUPPLY
關鍵字：TOP414，開關電源電路
2018-09-20 20:21:181358 電子發燒友網為你提供ADI(ti)HMC414相關產品參數、數據手冊，更有HMC414的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，HMC414真值表，HMC414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 15:36:34
電子發燒友網為你提供()TF414相關產品參數、數據手冊，更有TF414的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，TF414真值表，TF414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 19:06:09
本文檔的主要內容詳細介紹的是安橋TX-NR414 AV接收器功放的維修電路圖合集免費下載。
2020-09-24 08:00:0030 查看DN414F的參考設計。 http://www.zgszdi.cn/soft/有成千上萬的參考設計，可幫助您使項目栩栩如生。
2021-01-13 19:25:020 查看DN414F的參考設計。 http://www.zgszdi.cn/soft/有成千上萬的參考設計，可幫助您使項目栩栩如生。
2021-01-13 23:05:030 HMC414 S-Parameters
2021-01-31 14:13:250 HMC414 Gerber Files
2021-02-22 10:05:120 HMC414 Gerber Files
2021-03-09 11:41:090 HMC414 S參數
2021-03-23 11:12:520 DC414B - Design Files
2021-03-24 16:25:566 UG-414：評估ADP196高端負載開關
2021-05-11 11:31:286 UG-414：評估ADP196高端負載開關
2021-05-16 11:01:077 DC414B-原理圖
2021-05-18 10:47:041 HMC414數據表
2021-05-19 08:02:260 DC414A-演示手冊
2021-05-21 14:09:380 DC414A-模式
2021-05-23 10:42:120 HMC414 Gerber文件
2021-05-29 18:22:317 DC414B-設計檔案
2021-06-03 16:45:211 電子發燒友網為你提供ADI(ti)DC414B相關產品參數、數據手冊，更有DC414B的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC414B真值表，DC414B管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 11:00:02
電子發燒友網為你提供TE(ti)CAT-M414-UN385相關產品參數、數據手冊，更有CAT-M414-UN385的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，CAT-M414-UN385真值表，CAT-M414-UN385管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 18:00:04
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
RKP414KS 數據表
2023-04-27 20:21:150 電子發燒友網站提供《414j MegaRAID SCSI固件版本.zip》資料免費下載
2023-08-22 15:14:370 用SIC FETs取代機械電路斷開器
2023-10-26 14:47:49125 
列文章的第二部分 SiC柵極驅動電路的關鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
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