本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。為此，必須但對IGBT進行相關保護。
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?過流保護

生產廠家對IGBT提供的安全工作區有嚴格的限制條件，且IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒（SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒），耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。

對IGBT的過流檢測保護分兩種情況：

（1）驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，如圖1（a）所示，通過電阻兩端的電壓來反映電流的大小；對于大中容量變頻器，因電流大，需用電流互感器TA（如霍爾傳感器等）。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中，如圖1（a）中的虛線所示；二是串接在每個IGBT上，如圖1（b）所示。前者只用一個電流互感器檢測流過IGBT的總電流，經濟簡單，但檢測精度較差；后者直接反映每個IGBT的電流，測量精度高，但需6個電流互感器。過電流檢測出來的電流信號，經光耦管向控制電路輸出封鎖信號，從而關斷IGBT的觸發，實現過流保護。
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?????????????????????????????????????????????????? 圖1 IGBT的過流檢測

（2）驅動電路中設有保護功能。如日本英達公司的HR065、富士電機的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驅動與保護功能于一體的集成電路（稱為混合驅動模塊），其電流檢測是利用在某一正向柵壓 Uge下，正向導通管壓降Uce（ON）與集電極電流Ie成正比的特性，通過檢測Uce（ON）的大小來判斷Ie的大小，產品的可靠性高。不同型號的混合驅動模塊，其輸出能力、開關速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據實際情況恰當選用。

由于混合驅動模塊本身的過流保護臨界電壓動作值是固定的（一般為7～10V），因而存在著一個與IGBT配合的問題。通常采用的方法是調整串聯在 IGBT集電極與驅動模塊之間的二極管V的個數，如圖2（a）所示，使這些二極管的通態壓降之和等于或略大于驅動模塊過流保護動作電壓與IGBT的通態飽和壓降Uce（ON）之差。
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????????????????????????????????? 圖2 混合驅動模塊與IGBT過流保護的配合

上述用改變二極管的個數來調整過流保護動作點的方法，雖然簡單實用，但精度不高。這是因為每個二極管的通態壓降為固定值，使得驅動模塊與IGBT集電極c之間的電壓不能連續可調。在實際工作中，改進方法有兩種：

（1）改變二極管的型號與個數相結合。例如，IGBT的通態飽和壓降為2.65V，驅動模塊過流保護臨界動作電壓值為 7.84V時，那么整個二極管上的通態壓降之和應為7.84-2.65=5.19V，此時選用7個硅二極管與1個鍺二極管串聯，其通態壓降之和為 0.7×7+0.3×1=5.20V（硅管視為0.7V，鍺管視為0.3V），則能較好地實現配合（2）二極管與電阻相結合。由于二極管通態壓降的差異性，上述改進方法很難精確設定IGBT過流保護的臨界動作電壓值 如果用電阻取代1～2個二極管，如圖2（b），則可做到精確配合。