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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>穩(wěn)壓電源>Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

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2020-08-30 10:10:213179

關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡(jiǎn)介,它的用途是什么

。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAMNV-SRAM簡(jiǎn)介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。這個(gè)名稱意義不大,因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:321734

SRAM的基礎(chǔ)模塊存的情況:standby read write

,其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級(jí)。另一方面,SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)幾個(gè)微瓦特級(jí)別。本篇內(nèi)容要介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況:standby(空余
2020-09-19 09:43:502563

非易失性NV-SRAM的應(yīng)用,它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)
2020-10-27 14:22:51486

NV-SRAM模塊的優(yōu)勢(shì)在于可快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),在封裝技術(shù)方面也具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。這些存儲(chǔ)芯片器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 博彩機(jī)要求可靠記錄數(shù)據(jù)以及保障客戶權(quán)利。此類
2020-10-28 14:19:23391

非易失性存儲(chǔ)器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn),可以滿足理想SRAM器件的要求,該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問:系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng),則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案,它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454

詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 BBSRAM是什么? BBSRAM又稱
2020-12-22 16:05:252077

NV-SRAM與BBSRAM的對(duì)比,誰的優(yōu)勢(shì)更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術(shù)相比較。 BBSRAM 數(shù)據(jù)保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命 ?電池電量
2020-12-22 14:55:39485

如何選擇非易失性SRAM,如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAMNV-SRAM系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:201714

NVSRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2021-03-18 00:29:2314

國(guó)產(chǎn)串行SRAM芯片EMI7064的特征介紹

過程的緩沖,MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等。單片機(jī)MCU外擴(kuò)選用SPI SRAM解決方案的最佳選擇。因此已經(jīng)得到越來越多的MCU相關(guān)廠家的支持。
2021-03-31 09:53:412921

使用C30編譯器實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與片外串行SRAM的通信

使用C30編譯器實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與片外串行SRAM的通信。
2021-04-02 15:01:3212

以STM32F407ZGT6單片機(jī)來講解一下擴(kuò)展外部SRAM

SRAM來提升單片機(jī)的性能。下面以STM32F407ZGT6單片機(jī)來講解一下來擴(kuò)展外部SRAM。 給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的,只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展,內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個(gè)內(nèi)存顆粒(即SRAM芯片)組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊,而STM32直接與SRAM芯片
2021-04-08 15:38:364611

如何采用MM32F3270單片機(jī)的FSMC接口來擴(kuò)展SRAM

靈動(dòng)微MM32系列單片機(jī)為用戶提供了豐富的選擇,可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在一些應(yīng)用中,使用MM32F3270系列的片內(nèi)SRAM還不
2021-11-19 16:32:40488

32位MCU外擴(kuò)SRAM芯片VTI7064MSME

32位單片機(jī)為用戶提供了豐富的選擇,可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用,MCU一般情況下配置有1~2MB
2021-12-07 17:32:31724

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512

MCU單片機(jī)外擴(kuò)的國(guó)產(chǎn)串口SRAM簡(jiǎn)介

靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器(SRAM)是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源,里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲(chǔ)存它內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)信息。SRAM具備較高的特性。SRAM顯而易見速度
2022-04-18 17:37:331839

NV-SRAM是什么,它的主要特征是什么

NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686

用于TANDY 600型的96K SRAM模塊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于TANDY 600型的96K SRAM模塊.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-21 09:32:180

NV SRAM 模塊中的電池監(jiān)控

2022-11-18 23:45:170

求一種具有控制器的NV-SRAM解決方案

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問,并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM
2022-11-30 17:48:48502

NV SRAM模塊中的電池監(jiān)控

對(duì)于PowerCap產(chǎn)品,電池更換通常應(yīng)在系統(tǒng)電源打開時(shí)進(jìn)行,以免損壞內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容。當(dāng) %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí),不會(huì)禁止正常的內(nèi)存寫入/讀取操作,但無法保證在斷電期間保留數(shù)據(jù)。由于測(cè)試間隔為 5 秒,因此在安裝新電池之前,需要取出電池超過一個(gè)測(cè)試間隔,或大約 7 秒。
2023-01-10 09:36:00380

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NVSRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59792

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59665

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

NV SRAM開發(fā)開始以來,其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171

賽普拉斯帶微控制器的NV-SRAM接口

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191

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