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?2022年11月29日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子
?(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產品組合為各種應用提供靈活性、適應性和高價值，可幫助設計師滿足項目、價格或物流要求。
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貿澤電子供應的英飛凌通用MOSFET包括用于最高250V設計的低壓版本，以及用于500V至900V設計的高壓版本。低壓MOSFET包括各種單/雙N溝道和P溝道器件，其漏-源擊穿電壓范圍介于20V至600V。這些器件的漏-源電阻額定值為1.1mΩ至30Ω，連續漏電流范圍介于100mA至260A。這些低壓MOSFET的工作溫度范圍介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101標準。
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高壓MOSFET的漏-源擊穿電壓范圍介于500V至900V，漏-源電阻范圍介于77mΩ至4.68Ω，持續漏電流范圍介于1A至54.9A。這些器件的最低工作溫度為-40°C，功耗范圍介于5W至500W。
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貿澤分銷的英飛凌通用MOSFET提供多種封裝選項，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有這些器件都有配套的英飛凌在線設計工具、仿真模型和全面的產品支持文檔。
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這些通用MOSFET非常適合各種電源轉換和管理應用，可以集成到需要電池反向保護功能、在備用電源之間切換電源或可關閉非必要負載的設計中。其目標應用包括開關電源、充電器和適配器、照明、電視電源、服務器/電信設備、電池供電應用、電機控制和驅動器，以及電池管理系統。
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有關更多信息，請訪問https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/。
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貿澤電子開售各種面向電源轉換應用的英飛凌通用MOSFET
- 英飛凌(136806)
- 貿澤電子(95693)
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19英飛凌公司獨特的封裝技術：最新CoolMOS系列MOSFET問世
20世紀80年代末期和90年代初期發展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統電源技術已經進入現代電源技術的新興時代。詳細介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652
7652全球MOSFET供應吃緊，英飛凌發聲、中興加價掃貨！
近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發布的財報顯示強勁的增長，在全球MOSFET供應吃緊，價格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產品交貨時間超過26周，最長達52周。
2018-08-06 11:25:414299
4299英飛凌科聯合Schweizer開發出面向輕度混合動力汽車新技術
英飛凌聯合Schweizer電子股份公司成功開發出面向輕度混合動力汽車的新技術：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298
1298英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267
4267SiC MOSFET在電源轉換器設計中的優化方案
作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些
2021-03-25 17:26:082117
2117英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073
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半橋LLC諧振轉換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉換器可用于各種應用，如消費電子產品，以及可再生能源應用，如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉換器。
2022-07-29 09:44:201207
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面向通用交流輸入和5V/1.4A輸出的MOSFET集成PSR反激參考設計
電子發燒友網站提供《面向通用交流輸入和5V/1.4A輸出的MOSFET集成PSR反激參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 09:26:170
0電平轉換以控制功率MOSFET
某些電源架構要求電源排序器（或系統管理器）控制下游功率MOSFET，以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V，則可以在電源輸出端放置一個功率MOSFET，并增加一些電平轉換電路。
2023-02-09 12:07:58536
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貿澤電子開售面向無線音頻應用的 英飛凌MA2304xN MERUS多級開關放大器
2023 年 4 月 4 日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的MA2304xN MERUS?多級開關
2023-04-04 14:29:25438
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如何使用P/N溝道MOSFET構建通用全橋或H橋MOSFET驅動電路
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005290
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貿澤開售面向安全應用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯網安全開發套件
2023 年 5 月 11 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的OPTIGA? Trust M物聯網安全
2023-05-12 17:05:36443
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英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302
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英飛凌EiceDRIVER?技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰
碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125
125英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術
在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297
97英飛凌發布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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工商網監
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