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大功率晶體管的修理
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功率晶體管（GTR）的特性
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
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2018-01-25 11:27:53
大功率晶體三極管的檢測
大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
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IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
大功率TVS管與小功率TVS管的區(qū)別
`一文解析大功率TVS二極管與小功率TVS二極管的區(qū)別TVS二極管采購的路上，還在為這些問題煩惱：TVS管種類那么多，它們之間有什么關(guān)系區(qū)別呢？TVS管型號那么多，如何選擇合適型號的TVS管呢
2018-09-27 17:36:26
大功率TVS二極管和小功率TVS二極管，有哪些區(qū)別？
一、PN結(jié)：大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣，大功率TVS二極管有很大的散熱片，而小功率TVS二極管沒有；二、結(jié)電容：大功率TVS的結(jié)電容可高達(dá)上百pF；小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18
大功率短波
尋求有做過大功率短波項(xiàng)目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦，主要涉及信號震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
大功率達(dá)林頓管的檢測
大功率達(dá)林頓管的檢測 檢測大功率達(dá)林頓管的方法與檢測普通達(dá)林頓管基本相同。但由于大功率達(dá)林頓管內(nèi)部設(shè)置了V3、R1、R2等保護(hù)和泄放漏電流元件，所以在檢測量應(yīng)將這些元件對測量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分
2012-06-04 10:53:34
晶體管分類及參數(shù)
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
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，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管晶圓芯片
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管的分類與特征
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
晶體管的開關(guān)作用有哪些？
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
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IB0810M210功率晶體管
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
IB2729M170大功率脈沖晶體管
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
RF功率晶體管耐用性的三個電氣參數(shù)驗(yàn)證
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進(jìn)器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
[原創(chuàng)]晶體管開關(guān)的作用
晶體管開關(guān)的作用控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是； (1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少， (2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工
2010-08-13 11:38:59
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。4.4 特性頻率（fT）當(dāng)晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r，電流放大因子β會隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05
什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
關(guān)于PNP晶體管的常見問題
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
場效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享
MOS場效應(yīng)晶體管。所選場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管知識和使用分享！
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
場效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件
工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。（三）按電流容量分類晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。（四）按工作頻率分類晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管
2012-07-11 11:36:52
基于MOS場效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)概述
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
基本晶體管開關(guān)電路，使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
射頻功率晶體管究竟有多耐用？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
概述晶體管
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
消費(fèi)類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
高頻中、大功率晶體管
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
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現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
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43大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:40
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大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖
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(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，
2009-07-29 16:09:521762
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TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
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TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
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用于大功率IGBT的驅(qū)動電路
對大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、驅(qū)動功率、布線等方面進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動電路。
2012-05-02 14:50:48135
135晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放
晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開關(guān)。
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0大功率Mosfet晶體管制作等離子揚(yáng)聲器
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大功率Mosfet晶體管制作等離子揚(yáng)聲器.zip》資料免費(fèi)下載
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2大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038
1038大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式
大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592057
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