，近日消息，國內比亞迪也已成功研發(fā)可用于電動車的SiCMOSFET。 與Si功率器件相比，SiC功率器件的優(yōu)勢在哪里？SiC功率器件的市場空間有多大？前段時間，在2018年ROHM科技展的SiC功率器件研討會上，ROHM技術專家謝健佳先生表示，未來SiC功率器件在太陽能發(fā)電、數(shù)據(jù)中心服
2018-12-13 11:26:11
9157 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。
2020-03-18 07:58:001590 ROHM針對這些挑戰(zhàn)，于2019年開始開發(fā)內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC，并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導體性能的IC，在行業(yè)中處于先進地位。
2021-06-20 10:58:48961 
ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發(fā)。
2021-07-08 16:31:581605 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻
2019-04-12 05:03:38
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻
2019-07-11 04:17:44
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻
2019-07-15 04:20:14
使其內置功率器件芯片（IGBT或SiC MOSFET）和功率分流電阻器成為可能，這將有助于主驅逆變器的小型化發(fā)展。與PSR350一樣，PSR330通過優(yōu)化材料和制造工序，縮小了產品尺寸，預計將以15W
2023-03-14 16:13:38
實現(xiàn)了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產品群。下面介紹這些產品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
，而且產品還具有薄型尺寸（1U），有助于削減系統(tǒng)的安裝面積。＜關于ROHM的SiC功率器件＞ROHM于2010年在全球開始SiC MOSFET的量產以來，作為SiC功率元器件領域的領軍企業(yè)，一直在推動先進
2023-03-02 14:24:46
盡管自20世紀70年代以來，與器件相關的SiC材料研究一直在進行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質因素是有抱負的材料和器件科學家繼續(xù)推進SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上進行了加速柵極氧化物壽命測試。兩個測試結果之間的密切一致證實了SiC MOSFET是可靠的器件，當在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時，預計壽命超過100年。點擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
。本篇到此結束。關于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導體元器件，根據(jù)標準進行試驗與評估。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
的方式相存在。 另外，汽車無疑是SiC最大的應用市場，且業(yè)內預計到2025年，汽車電子功率器件領域采用SiC技術的占比會超過20%，因此意法半導體、英飛凌、安森美等都在產能擴張、產業(yè)整合、技術創(chuàng)新
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發(fā)的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
。SiC半導體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現(xiàn)量產。此時，第二代
2018-11-29 14:39:47
第五屆"ROHM技術研討會"計劃于蘇州、廈門、北京、惠州、合肥5大城市舉行。根據(jù)各個城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，將圍繞"電源"與"SiC（碳化硅） "開展
2018-09-03 13:24:49
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
解決方案、SiC（碳化硅）功率元器件、電源IC開發(fā)趨勢、EMC/EMI熱設計支持、傳感器解決方案、功率元器件故障解析等主題，帶來6場技術講座。??相約“2019 ROHM科技展”，共享ROHM最新的產品
2019-09-29 17:42:28
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
額定電壓SiC功率管和高壓無源器件完成雙相諧振式DC/DC變換器的板級電路的搭建。預期性能指標：輸入電壓800V，輸出電壓400V，額定功率3.3kW；開關頻率200kHz；滿載效率>90%；電壓紋波和電流紋波均小于1%。預計成果：分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:11:27
項目名稱：微電網(wǎng)結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進行微電網(wǎng)結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項目名稱：電池充放電檢測設備試用計劃：申請理由：現(xiàn)有的充放電設備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項目：電池充放電檢測設備計劃：了解并測試demo的驅動，現(xiàn)有產品的的驅動是否適用于
2020-04-24 18:09:35
。想借助發(fā)燒友論壇和羅姆P02SCT3040KR-EVK-001 評估板完善該項目的設計，目前風電領域正值國家最后兩年的補貼期，發(fā)展勢頭迅猛，也是國產化的前沿陣地，使用SiC器件預計可以解決部分器件性能
2020-04-24 18:03:59
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發(fā)經驗，曾設計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
和學習，現(xiàn)申請此開發(fā)板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)中的驅動技術。預計成果：以上研究及測試總結報告
2020-04-21 16:04:04
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101標準對汽車級離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導體公司的兩款符合AEC標準的SiC功率器件，并強調了成功設計必須考慮的關鍵特性。為電動汽車和混合動力汽車提供動力
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
) 2019/2020要求的產品，視為滿足舊版ERP指令 (EC) No 244/2009，(EC) No 245/2009及 (EU) No 1194/2012的要求。2.新增條款：針對已投放市場的產品
2021-04-02 09:29:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
`— —開年了，去把倉庫里的元器件拿出來，都盤一盤吧。不論今年是不是過去十年中最差的一年,2019已經在我們面前展開了。本文將盡各方角度為大家展示2019年元器件市場的可能性，您依然可以通過文末暗號
2019-02-25 10:53:53
2019年度末（2020年3月底）將整體MLCC產能提高兩成。此外，早在同年6月8日村田曾宣布，計劃投資290億日元興建一座MLCC新廠，新廠預計于2018年9月動工、2019年12月完工。一下子兩個
2018-10-10 16:13:30
著這些電力電子設備的成本和效率。自從二十世紀五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
的一種最具有優(yōu)勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 【ROHM半導體（上海）有限公司 03月19日上海訊】全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的二極管等分立元器件產品的生產能力，決定在ROHM旗下的馬來西亞制造子公司ROHM ‐ WAKO ELECTRONICS （MALAYSIA）SDN.BHD.（以下簡稱RWEM）投建新廠房。
2015-03-20 11:35:03889 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調節(jié)器等的逆變器、轉換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 本視頻介紹了SiC SBD、SiC-MOSFETs、“全SiC”功率模塊。ROHM的"全SiC"功率模塊具有高速開關、低開關損耗、高速恢復、消除寄生二極管通電導致的原件劣化問題等特點，可用于電機驅動、太陽能發(fā)電、轉換器等多元化領域。
2018-06-26 17:53:007927 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
日刊工業(yè)新聞4日報導，Sony計劃在長崎縣諫早市的現(xiàn)有工廠內興建使用于智能手機相機等用途的CMOS影像傳感器新廠房，預估最快將在2019年末動工、2021年內啟用生產。全球智能手機市場雖減速，不過因每臺智能機搭載的相機數(shù)量增加、加上傳感器大尺寸化趨勢今后料將持續(xù)，也讓Sony決議進行增產。
2019-06-05 17:01:243719 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產品群。下面介紹這些產品中的一部分。
2020-09-24 10:45:00
0 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現(xiàn)了量產。
2021-04-20 16:43:0957 羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術，從生態(tài)角度看待制造業(yè) Rohm
2022-07-26 17:24:31812 
碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 近年來，功率元器件在功率轉換應用中發(fā)揮著非常重要的作用。在涉及到大功率和高電壓的應用產品開發(fā)過程中，特別是在預先確保安全性方面，仿真是一種行之有效的方法。 ROHM提供的在線仿真工具“ROHM
2022-11-09 18:36:00463 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
業(yè)的產值有望超過 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動力汽車市場將成為 SiC 功率元件的最佳市場，預計超過 70% 的收入將來自該領域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預測，除汽車以外，能源、交通、工業(yè)、消費者、通信和基礎設施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻力量。 總結而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 已經竣工，并舉行了竣工儀式。 RWEM此前主要生產二極管和LED等小信號產品，新廠房建成后計劃生產隔離柵極驅動器(模擬IC的重點產品之一)。 隔離柵極驅動器是用來對IGBT和SiC等功率半導體進行合宜驅動的IC，在實現(xiàn)電動汽車和工業(yè)設備的節(jié)能化及小型化方面發(fā)揮著重要作用，預計未來其需求將會進一步
2023-10-18 10:44:34470 
半導體器件，這一計劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資，兩者將依據(jù)對方生產力優(yōu)勢進行互補，有效提高供應能力。 兩家公司計劃在合作項目上花費3883億日元（折合人民幣約193億元），其中日本政府可提供最高1294億日
2023-12-11 13:46:15174 與存儲株式會社（"東芝電子設備與存儲"）合作生產和增加功率器件產量的計劃得到了經濟產業(yè)省的認可，并將作為支持日本政府實現(xiàn)安全穩(wěn)定的半導體供應目標的一項措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲公司將分別在碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件方面加大投資力度，有效
2023-12-26 15:45:38270 
3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，四川樂山高新區(qū)希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用，屆時企業(yè)將新增4個品類的生產線，全部投用后可實現(xiàn)年銷售額10億元。
2024-03-07 09:59:31295 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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