V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術，EconoDUAL 3模塊可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風電、電機驅動和靜態無功發生器
2022-05-30 15:10:15
3086 
英飛凌科技發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標竿，繼續在效率
2012-11-16 08:55:052343 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進型TO-247封裝的汽車級FRED Pt?和HEXFRED?極快和超快整流器和軟恢復二極管。
2013-01-10 11:21:351331 
英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-27 15:08:031216 V車規級IGBT?，包括AIKQ120N75CP2?和?AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能
2022-06-10 16:53:132418 
針對工業驅動應用的技術需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續流二極管（FWD），也已進行了優化。
2020-01-06 16:53:071701 相比前幾代產品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現對電機驅動應用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00721 新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用；新器件采用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 08:03:432926 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）范圍內工作而設計，它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261272 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:193993 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417 
共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動汽車充電應用
2023-11-03 11:40:49644 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
EAK封裝的TO-247功率電阻器為設計工程師提供穩定的晶體管式封裝的大功率電阻器件，功率為100W-150W。這些電阻器專為需要精度和穩定性的應用而設計。該電阻器采用氧化鋁陶瓷層設計，可將電阻元件
2024-03-15 07:11:45
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導。
2018-04-17 15:27:54
二極管本器件采用了最新的半導體技術［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足
2018-12-07 10:23:42
;>TO-247封裝圖</font><br/></p><p><a
2008-06-11 13:24:17
看B1M080120HK的總損耗降低是非常明顯的。因此，采用TO-247-4封裝，對碳化硅MOSFET這種快速開通關斷的器件來說，是非常有吸引力的?！ ?3 TO-247-4輔助源極引腳引入的優勢 下面以
2023-02-27 16:14:19
大家對TO-247有沒有好的測試方法。
2015-04-24 20:52:11
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后，第四節分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
我在做軟開關，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負載時驅動波形會有振蕩現象，有個別大神說可能是IGBT問題，有用過這個信號的大神嗎？這個管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
英飛凌IGBT參數中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飛凌IGBT應用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經有此資料
2018-12-13 17:16:13
600 V IGBT，采用反并聯二極管，TO-247 封裝
2023-03-28 15:14:21
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-10 09:31 編輯
英飛凌IKW系列 IGBT采用TrenchStop?和Fieldstop技術，可提供卓越的開關性能，極低
2019-06-10 09:23:54
IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽，TJmax等于175℃。獨立的發射器驅動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速
2020-07-07 08:40:25
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
而已。比如現在的手機MP3越做越薄，越做越小，那么上面的芯片只能采用小型外形的，所以就要求同樣的功能下的IC外形要小?！ O-220封裝和TO-247封裝的區別 TO247封裝腳距：5.56mm
2020-09-24 15:57:31
Viking直插功率電阻-TO-220封裝電阻的簡介直插功率電阻又名：TO-220 Power Resistor，TO-247 Power Resistor，TO-220封裝電阻，TO-247封裝
2019-03-13 17:57:51
供應英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
發揮重要作用?！彪妱咏煌?b class="flag-6" style="color: red">技術的量產在很大程度上取決于是否能推出經濟、可靠的功率電子器件。從IGBT 芯片、分立驅動芯片到功率模塊，英飛凌的產品組合旨在幫助開發適用于混合動力汽車和電動汽車的優化系統解決方案。為
2018-12-06 09:57:11
生產成本，縮小封裝體積。目前RC IGBT已成為各大IGBT生產商的研發熱點。早期的RC IGBT中FRD的性能難以優化，只有英飛凌推出小功率的1200V RC IGBT用于對FRD要求不高的電磁爐
2015-12-24 18:23:36
currentSmall form factor: size and pin-compatible and smaller than TO-247 (15mmx20mm)Less than 30
2018-09-21 08:49:22
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2021-03-01 15:10:19
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2022-01-01 19:06:43
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2021-01-09 18:20:52
手機配件, 回收英飛凌IGBT模塊,回收功率模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
山東省長期上門收購英飛凌IGBT模塊富士IGBT模塊日 匯灃科技工控自動化公司提供全國高價回收IGBT模塊長期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2022-02-14 17:34:35
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2022-01-04 20:52:15
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2021-09-16 14:19:49
，能夠大大改善功率損耗、EMC性能和成本效益。通常，變頻器中使用的IGBT采用雙芯封裝。英飛凌的新型逆導驅動技術將二極管芯片集成在IGBT中（如圖2所示）。 圖2：IGBT發展而來的垂直結構 單片集成
2018-12-03 13:44:37
長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產和封裝技術的革命性發展，拓寬了這種主力電源開關技術的應用范圍。IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們早在
2018-12-03 13:47:00
品牌英飛凌封裝TO-247批次21+數量12000制造商Infineon產品種類IGBT 晶體管RoHS是技術Si封裝 / 箱體TO-247-3安裝風格Through Hole配置Single集電極
2022-04-18 15:57:51
品牌ON/封裝TO-247批次21+數量20000貨源全新原裝品質原裝正品服務完善售后優勢價格優勢發貨現貨開票含稅專票檢測支持包裝標準地址廣東深圳一站式報表支持可售賣地全國型號FGA60N65SMD
2022-09-05 15:40:29
品牌ON封裝TO-247批次2020數量10000制造商ON Semiconductor產品種類IGBT 晶體管RoHS是技術Si封裝 / 箱體TO-247安裝風格Through Hole配置
2022-09-05 16:06:10
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 13:52:10
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。 產品特點 ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
創新的IGBT內部封裝技術
英飛凌推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模
2010-05-11 17:32:472392 英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管，具有很低的開關損耗和傳導損耗，并且減小了永磁電機驅
2011-05-31 09:00:421610 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047283 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
，采用了該公司自主技術“TRENCHSTOP”。英飛凌表示，“此次的產品面向開關頻率低、要求低導通損失的用途優化了特性。另外，成本方面，也面向要求低中價位的用途實現了優化”。主要用于感應加熱（IH）烹飪爐、感應加熱電飯煲及微波爐等。
2016-11-14 14:51:361390 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002054 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業電機驅動應用進行芯片優化，實現更高功率密度與更優的開關特性。
2018-06-21 10:10:4412361 TO-247封裝TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標準的序號。常見的TO-247AC和TO-247AD應該都是vishay的名稱。TO-247封裝尺寸介于模塊與單管之間
2018-12-07 16:52:266984 
英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039 TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標準的序號。常見的TO-247AC和TO-247AD應該都是vishay的名稱。
2020-10-02 18:02:0023845 
TRENCHSTOP IGBT7現在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現簡單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303190 IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅動中的測試，得到了相同
2021-10-26 15:14:494861 
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅動中的測試，得到了相同
2021-10-26 15:41:192729 
) 拓撲，并集成了 CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7 器件和 NTC 溫度傳感器以及 PressFIT 接觸技術引腳。該電源模塊適用于儲能系統 (ESS) 等快速開關
2022-08-05 16:18:132076 
電機驅動系統的獨特和特定要求需要一種新的 IGBT 設計方法。使用正確的 IGBT 技術，可以創建更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛凌采用其最新一代 IGBT 技術 IGBT7 所采用的方法
2022-08-05 09:52:511211 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發射極控制二極管和PressFIT壓接技術,模塊內集成有NTC。 產品特性 低通態電壓VCE（sat）和Vf 過載時Tvjop=175°C 增強dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:04931 新的PrimePACK? 2300V IGBT模塊主要是為1500V逆變器開發的。它的特點是在1500V工作電壓下，直流穩定性比較好，即在宇宙輻射下具有很高的魯棒性，以及175℃的過載結溫可以支持LVRT等故障模式。此外，與IGBT4解決方案相比，該模塊實現了更高的功率密度，從而在系統層面上性價比。
2023-02-01 15:18:13461 英飛凌IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。
2023-02-06 14:30:24633 
幾乎所有應用。市場知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK?和XHP?系列功率模塊都采用了最新的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元
2023-02-16 16:30:581136 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
5 AIGW50N65H5用的TO-247封裝，是英飛凌一款汽車級IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）為270W，集電極截止電流（ICES）為40uA，G?E漏電流（IGES
2023-02-24 09:38:170 編輯-Z AIGW40N65H5用的TO-247封裝，是英飛凌一款汽車級IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）為250W，集電極截止電流（ICES）為40uA，G?E漏電流（IGES
2023-02-24 09:40:030 FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60
型號：FGH60N60
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
特性：IGBT管
正向電流：60A
反向耐壓：600V
恢復時間：
2023-02-24 15:21:591 英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 英飛凌通過改善IGBT芯片的結構和工藝，大大降低了器件的開關損耗。下圖展示了不同技術的分立50AIGBT的開關損耗的比較。圖的底部顯示了IGBT和二極管技術，以及它們進入市場的年份。圖中的開關損耗
2022-02-11 09:21:321279 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產品系列產品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58676 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 針對光伏+ 儲能（發電）以及電機驅動（用電）兩個維度展開，給大家重點介紹英飛凌新一代IGBT7產品特點以及如何利用新的IGBT7產品設計出高效率，高可靠性，高性價比的逆變器系統
2023-04-19 15:26:59299 
新品120-200A750VEDT2工業級分立IGBT120-200A750VEDT2工業級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號
2023-05-18 09:41:31856 /引言/近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247
2023-06-13 09:39:58534 JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產品型號為 JHY140N120HA。產品外觀和內部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:571056 
H7 IGBT器件采用EC7復合封裝二極管，采用先進的發射極控制設計，再加上高速技術，可滿足對環保和高效電源解決方案不斷增長的需求。
2023-08-29 11:06:42683 從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯，到單管電流等級需求優化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯，到如今的TPAK封裝，可以說將單管并聯方式發揮的淋漓盡致。
2023-09-20 15:59:446196 
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產品系列電流等級為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06376 
IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
英飛凌IGBT單管命名規則
2023-11-23 09:09:35653 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業自動化、醫療、安全和物聯網等領域。在電力管理領域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7
2023-12-11 17:31:13196 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27112 的改進型號。HIP247封裝比TO-247封裝更小巧，因此可以增加元件的密度和模塊的功率。HIP247封裝采用
2024-03-12 15:34:43192 你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術，通過優化元胞結構，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54101 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19564
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