一、芯片生產(chǎn)過程所引入的問題：

硅片在制程上可能有以下問題：

1、污染造成金屬線開路

2、突出的金屬導致短路

3、注入摻雜不夠

4、制程或掩膜錯誤

5、金屬meta層橋接問題

6、過孔的開路問題

7、CMOS晶體管常開/常關

8、制程問題導致晶體管trans過慢

以上圖為例，一個非門的版圖，可能存在輸入斷開，輸入短接至GND，輸入短接至VCC。生產(chǎn)出來的芯片無法保證100%沒問題。

制程外可能有如下問題：

1、材料缺陷——大塊缺陷（裂紋、晶體缺陷），表面雜質(zhì)（離子遷移）

2、時間相關故障——介質(zhì)擊穿、電遷移（線很細，電流很大，電子沖擊連接處，慢慢接觸部分越來越細）

3、封裝故障——接觸點退化、密封泄露

二、硅后測試

因此在芯片生成后，需對其進行測試，ATE（自動測試設備）會向芯片發(fā)送測試激勵，然后比較返回的激勵與期望激勵是否一致，不一致的說明有問題，會將其定為缺陷芯片，以此將好的芯片區(qū)分出來。隨著設計規(guī)模越來越大，工藝尺寸越來越小，?測試成本不斷提高，為降低測試成本和難度，提高芯片質(zhì)量和成品率，需要為芯片進行可測試設計。

以測試階段可分為以下三種：

1、Wafer?sort(CP，circuit probe)

測試wafer上面每個die的邏輯，該項測試最完善，封裝前測試出有問題，馬上篩除節(jié)約成本，該階段也稱為CP綜測。

2、Final Test(FT)：測試封裝后的芯片

3、Board test：板級測試

測試質(zhì)量的評價：

經(jīng)過測試后每百萬片故障的比例DPM（Defective parts per million），200DPM（0.02%）才符合測試標準。Defect level計算公式如下：

其中Y為良率，F(xiàn)C為測試覆蓋率（Fault Coverage）。

三、SOC芯片的DFT策略：

SOC是在同一塊芯片中集成了CPU、各種存儲器、總線系統(tǒng)、專用模塊以及多種I/O接口的系統(tǒng)級超大規(guī)模集成電路。ASIC是專用于某一方面的芯片，與SOC芯片相比較為簡單。由于SOC芯片的規(guī)模比較大、內(nèi)部模塊的類型多樣，因此SOC芯片的DFT面臨諸多問題。SOC中不同部分測試策略也不同：

標準單元——基于SCAN的測試

存儲器與模擬模塊——BIST

硬核IP、軟核IP——BIST，SCAN

封裝與IO——Boundary Scan

SOC的全面測試包含以下：

1、DC直流參數(shù)測試

①VOH/VOL：輸出高/低時的電壓

②IIH/IIL：輸入高/低時的電流

③IOH/IOL：輸出高/低時的電流

④IDDQ：靜態(tài)漏電流測試

對CMOS來說，輸入阻抗很大的，輸出阻抗很小的，這要求輸入電流必須在某個水平之下，而輸出電流必須在某個水平之上。

2、基于SCAN的測試

將寄存器替換為可掃描的寄存器（D端輸入插入mux）然后串在一起形成掃描鏈。在測試模式下，將測試序列順次移入掃描鏈，這些值經(jīng)過組合邏輯后，再通過另一條掃描鏈將結果傳出。

3、Memory BIST，Logic BIST，Analog test

MBIST用于存儲器測試，典型的MBIST包含測試電路用于加載，讀取和比較測試圖形。目前存在幾種業(yè)界通用的MBIST算法，比如“March”算法、Checkerboard算法等。

LBIST通常用于測試隨機邏輯電路，一般采用一個偽隨機測試圖形生成器來產(chǎn)生輸入測試圖形，應用于器件內(nèi)部機制；而采用多輸入特征寄存器（MISR）作為獲得輸出信號產(chǎn)生器。LogicBIST一般用于Scan Based Test的補充。

AnalogBIST則用于模擬電路的自我測試。

簡單來說BIST是自己產(chǎn)生激勵，自己比對，給出測試結果，無需在ATE上輸入激勵測試。

4、Boundary SCAN

邊界掃描可用于測試PCB或芯片內(nèi)部的互聯(lián)，此外還可作為調(diào)試工具，觀測芯片內(nèi)部寄存器，配置等功能。ATE上主要是測試die上的PAD與封裝后金屬引腳互聯(lián)的這一段測試。

5、function pattern

用于補充SCAN測試，主要是功能上的測試。

6、ESD測試

靜電測試。

三、DFT在flow中的位置

DFT的主要部分都是在中后端實現(xiàn)的，前期可以插入DFT類rtl，綜合之后整體插入scan，布局布線后生成ATPG測試激勵。

四、Scan Based Test詳細介紹

rtl中普通的寄存器是不可掃描的，需在D端插入MUX才是可掃描的，這一步可以在DC中加參數(shù)來自動插入。然后將這些寄存器連在一起形成掃描鏈。當SE為高電平時將激勵從SI端口輸入進去，這些激勵與A/B經(jīng)過組合邏輯后輸出至Y。

這里還需再了解下Fault模型：

1、Stuck-at?Fault——用于低速測試

最常見的一類故障模型。它分為"Stuck-at 1"和“Stuck-at 0”，用來模擬器件間互連的短路和短路故障。

如上圖，要測試SA1/SA0需要AB端口給出不同的激勵，工具有算法自動推導，這類故障都是在慢速時鐘下測試的，統(tǒng)稱DC SCAN。

2、At-Speed Fault——用于高速測試

這種故障模型主要用于高速的測試，用片上PLL時鐘測試，需要插入OCC電路，OCC的基本原理是在scan shift模式下，選中慢速的ATE時鐘進行l(wèi)oad測試向量和unload測試結果，在capture模式下，對free-running的PLL clock過濾篩選launch和capture clock進行at-speed測試，這類測試統(tǒng)稱AC SCAN。主要分為兩大類：

①Transition Fault Model：

a、STR——Slow to Rise

從0跳變至1，是否存在轉換延遲的gate；

b、STF——Slow to Fall

從1跳變至0，是否存在轉換延遲的gate；

②Path Delay：

Path Delay: 最大延時路徑測試。相對于transition test想去覆蓋大多數(shù)的function path，delay test更關注critical timing path，生成delay test pattern，一般需要讀入一個timing report，里面記錄那些slack非常小的path，工具會根據(jù)report的begin end point產(chǎn)生pattern。

D算法是Scan Based Test的基礎，可以認為是拓撲結構測試中最經(jīng)典的方法，也是最早實現(xiàn)自動化的測試生成算法之一。它是完備的測試算法，它可以檢測非冗余電路中所有可以檢測的故障。

下面具體說明Scan Test工作步驟：

上圖中有兩條掃描鏈：Scan Path1和Scan Path2，左側的端口為Primary Inputs，右側的端口為Primary Outputs。

1、Scan Shift，兩條掃描鏈移位in

2、給Primary Inputs Force值

3、觀測Primary Outputs

4、捕獲虛擬輸出

5、Scan Shift，兩條掃描鏈移位out

時序圖如下所示：

圖中當scan_en為低時選擇function mode，這里有兩個時鐘脈沖，一個為Launch，意思是第一條掃描鏈1的移位寄存器中包含function邏輯，并將相應值輸出至Q端，Capture用于掃描鏈2捕獲來自掃描鏈1的輸出值。

在整個掃描過程中實際上測試了三部分邏輯：

1、PI到掃描鏈1中間的組合邏輯；

2、掃描鏈1和掃描鏈2中間的組合邏輯；

3、掃描鏈2和PO之間的組合邏輯；

這里還需了解下full scan和near full scan，full scan是一個時鐘周期完成capture的掃描鏈，非full scan可能需要多個時鐘周期才能將capture值拿到。

OOC電路如下所示，主要用于ATE慢速時鐘和片上PLL快速時鐘的動態(tài)切換，一般由工具自動插入。

SCAN Chain在綜合后插入，工具DFT Compiler已被合并進DC中。

插鏈后的網(wǎng)表就可以使用TetraMAX軟件來生成ATPG以及測試覆蓋率。

四、BIST詳細介紹

RAM的BIST如下所示，在測試模式下由內(nèi)部狀態(tài)機控制執(zhí)行比較操作，當比較失敗時會拉高指示信號。

對于ROM而言，需要將結果拿到片外進行比較，因為ROM中固化的數(shù)據(jù)可能是不一樣的。數(shù)據(jù)經(jīng)過HASH壓縮后輸出至ATE進行比較。Logic BIST與ROM的BIST類似，都需要將結果拿到ATE上面比較。

對于存儲器而言，與其相連的前后級寄存器在SCAN中掃描不到，因此可將前后端用寄存器連接起來，這樣掃描鏈就可包含了。

五、Boundary Scan

邊界掃描不僅可以測試板上芯片的連接關系，也可用于測試package內(nèi)die的die的互聯(lián)。

JTAG的結構如下圖所示：

當然片上可能存在多個JTAG TAP，可加入選擇信號來控制，如下圖所示，有兩個TAP，Compliance_enable_pin用于選擇使用哪個JTAG。

boundary scan可在綜合前或綜合后插入，BSD Compiler同樣包含在DC中。

六、靜態(tài)功耗IDDQ

主要是測靜態(tài)下有沒有VCC/GND短接在一起，在沒有寄存器翻轉的情況下如果漏電流過大，可能是輸出短接在GND上，其實它是ATPG的一部分。

編輯：黃飛

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