? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:36
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MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成；開(kāi)關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開(kāi)關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒(méi)有即時(shí)開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33213 
最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361091 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS
2024-04-16 09:58:441421 
、關(guān)斷延遲時(shí)間：：Td(off）、下降時(shí)間：tf。下面是從以低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術(shù)規(guī)格中摘錄的內(nèi)容。這些參數(shù)的名稱和符號(hào)，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
通電阻降低0.4 mΩ，同時(shí)大幅改進(jìn)了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導(dǎo)通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
，與IGBT的比較中，在ID低的范圍由于VCE（MOSFET則是VDS）低故該范圍的損耗變小。以家電為對(duì)象的情況下，絕大多數(shù)在MOSFET的優(yōu)勢(shì)范圍使用，因而功耗削減備受期待。導(dǎo)通電阻和柵極容量更低
2018-11-28 14:27:08
。問(wèn)題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動(dòng)通用驅(qū)動(dòng)電壓的功率MOSFET，有什么問(wèn)題？問(wèn)題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時(shí)系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時(shí)候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開(kāi)通。
2016-12-21 11:39:07
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖 1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè) FET和低側(cè)
2019-11-30 18:41:39
使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身
2017-01-09 18:00:06
FDC6324L是一款集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響此前的傳遞函數(shù)推導(dǎo)中，并沒(méi)有考慮過(guò)開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)晶體管）導(dǎo)通電阻的影響。但是眾所周知，實(shí)際上是肯定存在開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻的，而且對(duì)實(shí)際運(yùn)行也是有影響的。所以本次將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
效率。此外，如果導(dǎo)通電阻相同的話，價(jià)格應(yīng)該比PchMOSFET便宜。不過(guò)，如果要使用Nch MOSFET作為上側(cè)開(kāi)關(guān)并使其完全為ON，則必須有充分的VGS，也就是電壓必須高于漏極電壓。通常，漏極電壓
2018-11-29 14:16:45
轉(zhuǎn)換，負(fù)載開(kāi)關(guān)，電機(jī)控制，背光，電池保護(hù)，電池充電器，音頻電路和汽車(chē)。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng)點(diǎn)擊此處前往特征：低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
。 MOSFET的優(yōu)點(diǎn)決定了它非常適合高頻且開(kāi)關(guān)速度要求高的應(yīng)用。在開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中，MOSFET的寄生參數(shù)至關(guān)重要，它決定了轉(zhuǎn)換時(shí)間、導(dǎo)通電阻、振鈴 (開(kāi)關(guān)時(shí)超調(diào)) 和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS
2022-06-28 10:26:31
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
可以看出，LLC電路中MOSFET參數(shù)要求主要有以下幾點(diǎn)：體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間必須足夠短，足夠快。體二極管必須足夠強(qiáng)壯，與MOS的導(dǎo)通電流能力要一致。MOSFET的電荷值要控制在合適的范圍內(nèi)。要進(jìn)一步和MOSFET廠家確認(rèn)是否可以用在LLC電路中。
2019-09-17 09:05:04
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開(kāi)發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開(kāi)關(guān)速度也非?？?。這將大大改善開(kāi)關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過(guò)，SiC功率元器件的開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過(guò)采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來(lái)改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開(kāi)關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。 極低的門(mén)極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
圖1 RDS(on)在最高工作溫度的30%～150%這個(gè)范圍內(nèi)隨溫度增加而增加導(dǎo)通電阻對(duì)N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開(kāi)關(guān)電源中，Qg是用在開(kāi)關(guān)電源里的N溝道MOSFET的關(guān)鍵選擇標(biāo)準(zhǔn)
2019-09-04 07:00:00
散熱性良好的器件。我們選用MTP1306，其漏極電流ID=59A(100℃)，導(dǎo)通電阻為6.5mΩ(25℃)，可滿足使用要求?！ ? 損耗分析及效率估算 開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗包括開(kāi)關(guān)損耗Ps和導(dǎo)
2011-11-07 10:40:27
電路。在使用 MOSFET 設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)， 大部分人都會(huì)考慮 MOSFET 的導(dǎo)通電阻、 最大電壓、 最大電流。 但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素， 這樣的電路也許可以正常工作， 但并不是一個(gè)好
2022-01-03 06:34:38
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開(kāi)關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開(kāi)關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
依賴性該特性是用于設(shè)計(jì)在預(yù)定工作電流Id的情況下在什么柵極驅(qū)動(dòng)電壓下影響V_DS(on)區(qū)域(導(dǎo)通電阻區(qū)域)的特性曲線。對(duì)于功率MOSFET，根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)工作電流生產(chǎn)10V驅(qū)動(dòng)元件、4V驅(qū)動(dòng)元件、4V
2024-06-11 15:19:16
時(shí)刻并不一樣，因此開(kāi)通時(shí)刻和關(guān)斷時(shí)刻的米勒平臺(tái)電壓VGP也不一樣，要分別根據(jù)各自的電流和跨導(dǎo)計(jì)算實(shí)際的米勒平臺(tái)電壓。（2）模式M2：t6-t7在t6時(shí)刻，功率MOSFET進(jìn)入關(guān)斷的米勒平臺(tái)區(qū)，這個(gè)階段
2017-03-06 15:19:01
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開(kāi)通延時(shí)、開(kāi)通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來(lái)評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)
2016-12-16 16:53:16
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
。不同的驅(qū)動(dòng)電壓VGS對(duì)應(yīng)著不同的導(dǎo)通電阻，在實(shí)際的應(yīng)用中要考慮溫度的變化，既要保證功率MOSFET完全開(kāi)通，同時(shí)又要保證在關(guān)斷的過(guò)程中耦合在G極上的尖峰脈沖不會(huì)發(fā)生誤觸發(fā)產(chǎn)生直通或短路。5、選取導(dǎo)通電阻
2019-04-04 06:30:00
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
` 功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
電阻R1吸收功率為11.6W，效率約為85%。開(kāi)關(guān)頻率1.35kHz，開(kāi)關(guān)管最大電流約4.4A，一個(gè)周期內(nèi)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間為0.18ms。 圖9 第二次改進(jìn)后的電路 圖10 第二次改進(jìn)電路仿真結(jié)果（負(fù)載
2022-04-01 13:32:30
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電阻
2023-02-27 10:02:15
路徑接通，而 RDS(ON) 路徑則保持關(guān)斷。RDS(ON) 路徑在正常操作過(guò)程中接通以旁路應(yīng)力路徑，為負(fù)載電流提供一條低導(dǎo)通電阻路徑，從而減少電壓降和功率損耗。視啟動(dòng)時(shí) MOSFET 應(yīng)力大小的不同，有
2018-10-26 11:41:57
如何提高電動(dòng)汽車(chē)的效率和安全性？
2021-11-09 07:51:03
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄...
2021-10-28 06:56:14
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和反向恢復(fù)電荷（Qrr）的函數(shù)。柵極驅(qū)動(dòng)損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此,寄生電容和導(dǎo)通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應(yīng)用中的性能。在現(xiàn)今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術(shù)
2012-12-06 14:32:55
，基本上變化不大，導(dǎo)通壓降為ID的電流和導(dǎo)通電阻的乘積，這也是完全導(dǎo)通區(qū)?；?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的漏極導(dǎo)通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開(kāi)通時(shí)，跨越關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)（放大區(qū)）和可變電阻區(qū)的過(guò)程。恒流區(qū)有
2016-11-29 14:36:06
并不成立，因此在實(shí)際的應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一些問(wèn)題，本文將詳細(xì)地論述這些問(wèn)題，以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。1、功率MOSFET導(dǎo)通電阻RDS(ON)定義及溫度系數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中，定義了功率
2016-09-26 15:28:01
的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)優(yōu)于 IGBT。考慮到所有開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通電阻相關(guān)傳導(dǎo)損耗和內(nèi)部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設(shè)計(jì)比基于 IGBT 的同類(lèi)設(shè)計(jì)可節(jié)省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進(jìn)為
2023-02-22 16:34:53
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
的電流，但最大開(kāi)關(guān)頻率不超過(guò) 100 kHz。MOSFET在高頻下工作良好，但導(dǎo)通電阻相對(duì)較高。SiC器件可以克服這些問(wèn)題。我們不會(huì)詳細(xì)介紹技術(shù)細(xì)節(jié)，但我們將在靜態(tài)狀態(tài)下進(jìn)行一些簡(jiǎn)單的模擬，以計(jì)算每個(gè)
2023-02-02 09:23:22
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
下降0.5%。PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的高效率也是通過(guò)通道而不是體二極管升壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的?！ 」ぷ鳒囟认碌?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻與硅相當(dāng) 一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在紙面上看起來(lái)比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
作為開(kāi)關(guān)模式電源的核心器件，MOSFET在對(duì)電源的優(yōu)化中承擔(dān)著十分重要的角色。采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)提高工作效率固然必不可少，但封裝技術(shù)本身對(duì)提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開(kāi)發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進(jìn)開(kāi)關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
性和低噪聲特征，超級(jí)結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開(kāi)始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點(diǎn):?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
SuperJunction的內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓功率MOSFET就是基本這種想法設(shè)計(jì)出的一種新型器件。內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOSFET的剖面結(jié)構(gòu)及高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻的示意圖如圖3所示。英飛凌最先將這種結(jié)構(gòu)生產(chǎn)出來(lái)，并為這種結(jié)構(gòu)
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不
2013-03-11 10:49:22
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻
2012-10-30 21:45:40
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻
2012-10-31 21:27:48
通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應(yīng)用受到極大限制?！ 〗档透邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法 1、不同耐壓的MOSFET的導(dǎo)通電阻分布 不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻
2023-02-27 11:52:38
是將一系列元件組合在電路中，電流必須不受限制地流過(guò)封裝，熱量必須導(dǎo)入冷卻系統(tǒng)。因此，系統(tǒng)的魯棒性取決于整個(gè)鏈條中最薄弱的環(huán)節(jié)。如果一只典型MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)約為8毫歐，那么比這個(gè)
2019-05-13 14:11:51
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
狀態(tài)下工作：開(kāi)-電阻非常小;關(guān)-阻力很大。高頻開(kāi)關(guān)電源與線性電源相同點(diǎn)與不同點(diǎn) 高頻開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)： 高頻開(kāi)關(guān)電源通常由(脈沖寬度調(diào)制)PWM控制IC和MOSFET組成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，開(kāi)關(guān)電源主要應(yīng)用于體積小，重量輕，效率高等特點(diǎn)幾乎應(yīng)用到所有電子設(shè)備，其重要性是顯而易見(jiàn)
2021-10-28 09:07:56
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475032 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32792 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車(chē)電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41709 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車(chē)應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30985 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012850 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403851 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類(lèi)產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381124 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332959 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一，特別是在汽車(chē)
2022-08-19 15:05:053672 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53919 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07689 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12858 
全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專(zhuān)為滿足汽車(chē)電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。
2024-04-15 15:49:33175 
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