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三星推出10nm級8GB LPDDR4芯片

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IMX8MP LPDDR4型號及uboot中ddr的配置時序是什么

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在 Samsung Electronics 之后,SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機(jī)用的 8GB
2016-12-22 09:40:381610

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404

制程工藝差距大 英特爾10nm處理器將超越三星/臺積電

特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星10nm工藝。
2017-01-09 11:46:04727

2017年10nm手機(jī)“芯”誰能領(lǐng)先?

雖然摩爾定律即將走向終結(jié),但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè),雙方你追我趕大打制程戰(zhàn),已將制程工藝推進(jìn)至10nm,而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113863

小米6不延期備貨足!三星砸重金擴(kuò)產(chǎn)10nm驍龍835

三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠,涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35517

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit(GbLPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù),比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片
2017-12-21 13:49:011534

三星宣布,將量產(chǎn)LPDDR5存儲器顆粒,速度將比LPDDR4存儲器快50%

LPDDR5 存儲器的測試。市場預(yù)估,在三星推出 8GB LPDDR5 存儲器之后,在 2019 年問世的三星 Galaxy S10 智能型手機(jī)要用 8GB LPDDR5 存儲器應(yīng)該也就是在計劃中了。
2018-07-18 17:56:003077

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16GbLPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809

三星12Gb LPDDR4實現(xiàn)了DRAM芯片的最大容量和最高速度、能源效率

最新LPDDR4預(yù)計將大幅加速全球大容量移動DRAM的推廣應(yīng)用。12Gb LPDDR4實現(xiàn)了DRAM芯片的最大容量和最高速度,能帶來出色的能源效率、可靠性和設(shè)計便捷性,這些功能對于開發(fā)新一代移動設(shè)備而言至關(guān)重要。
2018-07-10 11:00:002660

三星完成8GB LPDDR5存儲器測試 即將量產(chǎn)

三星17日宣布,量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒,速率可達(dá)6,400Mbps,比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%,同時功耗降低30%,三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:444469

三星第二代10nm8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723

三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動設(shè)備

三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來,三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

SK Hynix發(fā)首款8Gb LPDDR3 RAM芯片

關(guān)鍵詞: SK Hynix , LPDDR , RAM , 芯片 作為全球二十大半導(dǎo)體廠商之一的韓國 SK 海力士半導(dǎo)體公司發(fā)布了世界首款 8Gb LPDDR3 RAM 芯片。目前 SK 海力士
2018-10-28 00:44:01723

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:292234

英特爾推出10nm SF工藝,號稱比其他家7nm工藝還要強(qiáng)

關(guān)于芯片工藝,Intel前幾天還回應(yīng)稱友商的7nm工藝是數(shù)字游戲,Intel被大家誤會了。不過今年Intel推出了新一代的10nm工藝,命名為10nm SuperFin工藝,簡稱10nm SF,號稱是有史以來節(jié)點內(nèi)工藝性能提升最大的一次,沒換代就提升15%性能,比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:063538

三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書

三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書
2021-06-03 09:49:4633

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計的,因為移動設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

DDR4、LPDDR4LPDDR4x的區(qū)別

已保留有6位SDR空間。最后,它占用的片上空間更少,單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容,它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368386

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