SK海力士（SK Hynix）正對噴霧式電磁波干擾（Electromagnetic Interference；EMI）遮蔽（Shielding）技術量產可能性進行評估，有望接手過去委外進行的EMI遮蔽制程，著手研發噴霧式的EMI遮蔽技術，期望達成降低生產成本與提高產量的目標。

據韓媒ET News報導，SK海力士未來技術研究院首席李弼秀（音譯），日前于首爾出席ET News與南韓半導體研究協會共同主辦的“半導體尖端封裝技術研討會”，并在其間發表上述消息。

半導體晶片過去以屏蔽罩方式阻斷EMI，近來隨著半導體晶片性能提高，漸走向個別晶片均需EMI遮蔽處理，如此可預防晶片間電磁干擾引發的異常動作，電路板也可設計得更加精密，晶片間距縮小后多出來的空間，可用于擴充電池容量，延長產品待機時間，然而增加新制程將會提高主要晶片生產成本。

蘋果（Apple）相當早就嘗試，將iPhone里搭載的個別半導體一一進行封裝后，試圖增加EMI遮蔽制程。2016年上市的Google Pixel手機，其無線區域網路晶片據說也采用EMI屏蔽處理，李弼秀認為，將個別半導體晶片進行EMI遮蔽的需求將會持續增加。

截至目前為止，EMI遮蔽多采濺鍍（Sputtering）方式，將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面。濺鍍機是將材料利用物理方式，在目標表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜，但濺鍍方式處理速度不快。由于記憶體多需大量供給，因此業者紛紛考慮改采噴霧式EMI遮蔽技術。

噴霧式EMI遮蔽為***日月光集團持有的核心專利，這也是三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士考慮自行研發噴霧式EMI遮蔽技術的主因。

SK海力士與Ntrium、Duksan Hi-Metal共同開發液體（Ink）型態EMI遮蔽物質，目前正在實驗量產的可能性；另一方面，三星也從2016年初便開始與韓華化學（Hanwha Chemical）合作，開發液體型態EMI遮蔽物質，韓華則以銀與奈米碳管（CNT）進行合成。若南韓記憶體業者有能力直接進行EMI遮蔽制程，勢必將影響日月光EMI遮蔽制程的工作量。

李弼秀最后表示，在記憶體領域中，EMI遮蔽需求雖然提高，但濺鍍方式也會隨著供給改變而有不同。SK海力士一旦結束實驗并且投入量產，勢必會盡量滿足市場的需求。

然而報導指出，三星與韓華檢視液體型態EMI遮蔽物質制程產出成果，發現銀與CNT仍無法均勻混和，不能做為噴霧使用，因此做出難以進入商用化的結論，導致自主研發噴霧方式的計劃無法如期進行。

由于韓華的研發進度受阻，三星重新將研發計劃外包給其他業者，如三星SDI（Samsung SDI）電子材料事業部、國外材料業者等，希望能趕上2017年下半的蘋果訂單。但三星評估時程恐有延遲，只好決定將2017年蘋果iPhone的NAND Flash記憶體EMI遮蔽制程，委托臺廠先以濺鍍方式進行。

南韓業界消息指出，最近三星半導體事業部已與***封裝業者達成協議，三星將委托臺廠進行NAND Flash晶片的EMI遮蔽作業。臺廠在取得三星已封裝完成的256GB NAND Flash后，以濺鍍方式進行EMI遮蔽。

南韓業界相關人士表示，三星開發液體EMI遮蔽物質受阻后，又由于濺鍍機臺價格下跌，三星內部傳出不同意見，質疑是否一定得用噴霧式制程進行EMI遮蔽。但若三星決定導入濺鍍式EMI遮蔽，則可能會與委外的封裝業者發生專利糾紛。

目前三星雖然遭遇遮蔽原料問題，但就算成功開發出可用來噴霧的EMI遮蔽物質，噴霧式制程良率不及干式制程，用在大量生產時也會有良率問題。