如果歷史可以重演的話，日本人Takanashi一定會重新選擇申請專利的時(shí)間。1984年，正是他在一項(xiàng)美國專利中定義了浸入式光刻機(jī)最基本的結(jié)構(gòu)特征，即在最后一級物鏡與光刻膠之間充入一層透明的液體。只可惜這項(xiàng)專利誕生的“過早”，真正意義上的浸入式光刻要在若干年后才會出現(xiàn)，Takanashi也因此與巨額專利費(fèi)擦肩而過。

　　然而歷史的發(fā)展就是這樣奇妙，一個(gè)當(dāng)時(shí)甚為大膽的想法在日后也許就會風(fēng)光無限。浸入式光刻從最初的想法雛形到現(xiàn)如今推動摩爾定律繼續(xù)前進(jìn)，其間經(jīng)歷波折無數(shù)，未來也注定不會是平坦大道。它的魅力究竟在哪里，未來又會有哪些發(fā)展趨勢呢？就讓我們帶著對浸入式光刻的疑問一探究竟吧。

　　為什么是浸入式光刻？

　　自從摩爾定律被提出，人類的想象力就得到了無限發(fā)揮的空間。每一次尺寸縮小就意味著制程上的革新，一幕幕工藝上的改朝換代就這樣不斷上演，浸入式光刻也就此走上了歷史舞臺。

　　浸入式光刻的原型實(shí)驗(yàn)在上世紀(jì)90年代開始陸續(xù)出現(xiàn)。1999年，IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系統(tǒng)制作出周期為89nm的密集圖形。當(dāng)時(shí)使用的浸入液是環(huán)辛烷。但因?yàn)楫?dāng)時(shí)對浸入液的充入、鏡頭的沾污、光刻膠的穩(wěn)定性和氣泡的傷害等關(guān)鍵問題缺乏了解，人們并未對浸入式光刻展開深入的研究。

　　2002年以前，業(yè)界普遍認(rèn)為193nm光刻無法延伸到65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而157nm將成為主流技術(shù)。然而，157nm光刻技術(shù)遭遇到了來自光刻機(jī)透鏡的巨大挑戰(zhàn)。這是由于絕大多數(shù)材料會強(qiáng)烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉強(qiáng)可以使用。但研磨得到的CaF2鏡頭缺陷率和像差很難控制，并且價(jià)格相當(dāng)昂貴。雪上加霜的是它的使用壽命也極短，頻繁更換鏡頭讓芯片制造業(yè)無法容忍。

　　正當(dāng)眾多研究者在157nm浸入式光刻面前躊躇不前時(shí)，時(shí)任TSMC資深處長的林本堅(jiān)提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波長下水是不透明的液體，但是對于193nm的波長則是幾乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高達(dá)1.44，而可見光只有1.33！如果把水這樣一種相當(dāng)理想的浸入液，配合已經(jīng)十分成熟的193nm光刻設(shè)備，那么設(shè)備廠商只需做較小的改進(jìn)，重點(diǎn)解決與水浸入有關(guān)的問題，193nm水浸式光刻機(jī)就近在咫尺了。同時(shí)，193nm光波在水中的等效波長縮短為134nm，足可超越157nm的極限。193nm浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點(diǎn)。

　　浸入式光刻是指在光刻機(jī)投影鏡頭與半導(dǎo)體硅片之間用一種液體充滿，從而獲得更好分辯率及增大鏡頭的數(shù)值孔徑，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更小曝光尺寸的一種新型光刻技術(shù)（下圖）。

　　浸入式光刻示意圖

　　讓我們看一下光刻系統(tǒng)分辨率的著名Rayleigh方程：

　　R=kλ/NA

　　式中λ是光的波長，NA是系統(tǒng)中透鏡的數(shù)值孔徑，k是分辨率系數(shù)，代表了所有的其它工藝變量。顯而易見，減小曝光光源的波長并增加投影透鏡的NA都可以提高分辨率。自從193nm波長成為主攻方向以后，增大NA成為了業(yè)界人士孜孜不倦的追求。表1是提高193nm ArF浸入式光刻機(jī)NA的方案。由此可見，浸入液、光刻設(shè)備和其它相關(guān)環(huán)節(jié)的緊密配合是浸入式光刻技術(shù)前進(jìn)的保證。

　　誰是水以后的接班者？

　　將液體置于主鏡頭和硅片之間，入射光線自然而然地就會穿透比空氣折射率更高的液體，這種方式本身并沒有提高特定投影圖像的分辨率，但是它卻能夠賦予光刻機(jī)的鏡頭更高的數(shù)值孔徑。

　　NA=n sinα，其中n是透鏡周圍介質(zhì)的折射系數(shù)，α是透鏡的接受角。傳統(tǒng)的“干法”光刻系統(tǒng)中，介質(zhì)是折射系數(shù)為1的空氣，則NA的理論最大值為1。采用具有更高折射系數(shù)的液體，浸入技術(shù)有可能使系統(tǒng)的NA》1。比如使用折射率為1.44的去離子水后，NA的理論最大值即為1.44。在193nm曝光系統(tǒng)中，分辨率R=kλ/NA就可以達(dá)到k*193/1.44=132mn。如果液體不是水而其它液體，但折射率比1.44高時(shí)，則實(shí)際分辨率可以非常方便地再次提高，也這是浸入式光刻技術(shù)能很快普及的原因。Nikon上海的技術(shù)部副總經(jīng)理田曉明介紹說，水作為浸入液的一大優(yōu)勢是它與193nm光刻膠的反應(yīng)很小，并且可以通過光刻膠的改進(jìn)或是增加頂部覆蓋層來降低水的影響。這也是水能夠被廣泛應(yīng)用的原因之一。

　　浸入式光刻的數(shù)值孔徑大小是與使用液體的折射率是直接相關(guān)的。因此，人們正在著眼于尋找除水以外具有更大折射率的液體。早在2005年SPIE Microlithography的年會上，JSR和DuPont等公司就已經(jīng)公布了它們的高折射率液體的研發(fā)計(jì)劃。在選擇高折射率液體時(shí)，考慮的重點(diǎn)包括：與光刻膠沒有反應(yīng)；光透過率高；折射率高；其它各種特性良好（表2）。已研發(fā)出的第二代浸入液的折射率為1.64，該液體氧氣的吸收很少，即便被曝露于空氣中性能也十分穩(wěn)定。并且由于蒸汽壓很低，所以很難發(fā)生熱分解。這個(gè)折射率數(shù)值能夠把193nm光刻機(jī)的有效波長降低到大約116nm左右。至于第三代浸入液，它的折射率應(yīng)為1.8左右，同時(shí)還需要有更高折射率的鏡頭才能達(dá)到約1.65的NA值。

　　浸入液體在未來仍有許多問題亟待解決：什么樣的液體更適合浸入式光刻的需求；液體的供給與回收；液體傳輸中的流速、氣泡、溫度、壓力的控制；液體特性，例如流速、氣泡、溫度、壓力變化對光學(xué)性能（折射率，吸收，散射、雙折射、像差）的影響及其測量與控制；偏振光照明時(shí)，液體與抗蝕劑的相互作用；液體折射率與液體兩側(cè)元件折射率匹配；液體與光刻環(huán)境中相關(guān)元件的兼容性等。

　　光刻設(shè)備如何齊頭并進(jìn)？

　　在光刻設(shè)備領(lǐng)域，一直是ASML、Nikon和Canon的“三國演義”，浸入式光刻系統(tǒng)自然也是各有千秋。

　　Nikon專有的局部填充技術(shù)（Local Fill Technology）能夠消除掃描導(dǎo)致的浸沒缺陷、氣泡、水印或晶圓背部玷污。該項(xiàng)技術(shù)還能消除浸入液體的蒸發(fā)，從而有利于防止由浸液導(dǎo)致的套準(zhǔn)問題。Nikon的浸入式光刻設(shè)備主要面向45nm量產(chǎn)工藝，也可以用于32nm工藝的研發(fā)工作。

　　荷蘭光刻巨頭ASML的Twinscan NXT系列浸入式光刻系統(tǒng)則是針對38nm存儲器和32nm邏輯芯片產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)化制造，該系統(tǒng)采用1.35NA的鏡頭和新型的機(jī)臺設(shè)計(jì)理念，將測量和曝光同時(shí)進(jìn)行，得以在第一時(shí)間得到結(jié)果反饋，不僅套刻精度、分辨率得到很大提高，而且生產(chǎn)能力也提升了30%以上。“對于代工廠來說，在關(guān)心最終良率的同時(shí)，如何大幅提高生產(chǎn)能力是提高競爭能力的關(guān)鍵，”ASML負(fù)責(zé)亞洲事務(wù)的市場主管Ryan Young說，“創(chuàng)新的光刻系統(tǒng)設(shè)計(jì)有助于光刻工藝引領(lǐng)摩爾定律向前發(fā)展。

　　對于光刻設(shè)備來說，鏡頭是制約發(fā)展的主要瓶頸之一。通過改善光學(xué)主鏡頭來提高光刻機(jī)NA的主要途徑有兩個(gè)：一是用彎曲主鏡頭替代平面鏡頭。但彎曲主鏡頭的表面很難控制浸入液體的流動，用于浸入式光刻機(jī)有一定難度；二是尋找高折射率的光學(xué)主鏡頭材料。目前193nm ArF浸入式光刻機(jī)主鏡頭折射率為1.56，IBM與JSR聯(lián)合推出Nemo系統(tǒng)主鏡頭采用高密度石英材料，其折射率為1.6。折射率為2.1的镥鋁柘榴石（LuAG）是候選熱門之一。

　　盡管理論上折射式鏡頭能夠擴(kuò)展到很高的NA，但是由于受到材料和光刻機(jī)尺寸的限制，這種擴(kuò)展難度太大，成本過高。因此，要想研制超高NA的下一代鏡頭，更換思路，采用截然不同的鏡頭設(shè)計(jì)可能會柳暗花明。

　　新型的反射折射式鏡頭將折射透鏡和反射鏡結(jié)合起來，能夠在保持光刻機(jī)尺寸不變的條件下使鏡頭更加緊湊和更易操作。另外，既使只用一種透鏡材料，通過使用凹面鏡和凹透鏡等元件，設(shè)計(jì)得當(dāng)?shù)姆瓷湔凵涫界R頭能夠很好地對色差進(jìn)行補(bǔ)償。通過使色差最小化，能夠抑制由激光帶寬變動所引起的光學(xué)鄰近效應(yīng)。然而，反射折射式鏡頭的研制還需要克服許多設(shè)計(jì)難題，比如局部光斑、入射角和熱象差、偏振狀態(tài)控制能力的保持，以及多/單軸配置的選擇和所用反射鏡的數(shù)量與類型等鏡頭設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)，都對這些挑戰(zhàn)有重要的影響。

　　萬物歸EUV

　　如果光刻技術(shù)要數(shù)現(xiàn)代集成電路上的第二大難題，那么絕對沒有別的因素敢稱第一。目前，193nm 液浸式光刻系統(tǒng)是最為成熟的技術(shù)，它在精確度及成本上達(dá)到了一個(gè)近乎完美的平衡，短時(shí)間內(nèi)很難被取代。不過，一種名為極紫外光刻（EUV 光刻）的技術(shù)半路殺出，成為近年來英特爾、臺積電等芯片公司追捧的新寵。有人認(rèn)為EUV 光刻能夠拯救摩爾定律，但事實(shí)是否真的如此？

　　現(xiàn)在，科技的發(fā)展的確到了一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。荷蘭的光刻工具制造商 ASMLHolding 生產(chǎn)的 EUV 光源即將開始商業(yè)化投產(chǎn)。作為技術(shù)領(lǐng)航人的 ASML 公司，目前已經(jīng)開始發(fā)貨 EUV 光源，預(yù)計(jì)在 2018 年可實(shí)現(xiàn)最新的微處理器和存儲器的批量生產(chǎn)。世界最先進(jìn)的芯片制造商正在籌備將這些機(jī)器應(yīng)用到自己的生產(chǎn)線中。

　　這樣做的風(fēng)險(xiǎn)很高。摩爾定律正在面臨巨大挑戰(zhàn)，沒有人能確定去年總產(chǎn)值為 3300 億美元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將如何引導(dǎo) 5 年或是 10 年內(nèi)的發(fā)展，也無人知曉“后摩爾定律”時(shí)代的半導(dǎo)體行業(yè)未來會是什么樣子，利潤的下降也可能是無法避免的。但是如果摩爾定律能有效地避免半導(dǎo)體行業(yè)營業(yè)額下降，即使只有 15%，它的現(xiàn)金流仍然是整個(gè)美國游戲產(chǎn)業(yè)營業(yè)額的兩倍。

　　光蝕刻系統(tǒng)制造的精細(xì)程度取決于很多因素。但是實(shí)現(xiàn)跨越性進(jìn)步的有效方法是降低使用光源的波長。幾十年來，光刻機(jī)廠商們就是這么做的：他們將晶圓曝光工具從人眼可見的藍(lán)光端開始逐漸減小波長，直到光譜上的紫外線端。

　　但是，EUV 技術(shù)是非常困難的。在使用波長近乎為X光的射線去蝕刻時(shí)，物理學(xué)知識并不能為工程師幫上多少忙。對于公司最終選擇的 13.5nm 波長射線，這種光可以輕易地被很多材料吸收。van Dijsseldonk補(bǔ)充道：“即使我們呼吸的空氣也是完全的黑色，因?yàn)樗参樟俗詈笠稽c(diǎn)射線。”所以他和他的團(tuán)隊(duì)很早就意識到，EUV光刻機(jī)只能在真空下運(yùn)行，晶圓通過一個(gè)氣閘進(jìn)出光刻機(jī)。

　　之后接踵而來的就是讓射線彎曲的問題。EUV 也能被玻璃吸收，所以在機(jī)器中改變其走向，需要使用反射鏡來代替透鏡，而且還不能是普通的反射鏡。普通打磨鏡面的反射率還不夠，所以他們必須使用布拉格反射器（Bragg reflector，一種多層鏡面，可以將很多小的反射集中成一個(gè)單一而強(qiáng)大的反射）。

　　《詩經(jīng)》里有一句話：“溯洄從之，道阻且長。”對于如今的半導(dǎo)體制造業(yè)和光刻技術(shù)來說，這句話同樣適用。新材料的涌現(xiàn)、新設(shè)計(jì)的采用注定不會停止，這是我們保持樂觀的理由。