包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15
775 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。
2015-11-11 09:03:54421 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:128497 
根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
我現(xiàn)在用的NAND FLASH型號(hào)為K9F4G08U0B-PCB0，它有4096個(gè)Blocks，每個(gè)Block有64個(gè)Pages，每個(gè)Page大小為2K，這個(gè)在DEVICE ID里面找不到，請(qǐng)問(wèn)大家都用的是什么型號(hào)的NAND FLASH？
2018-06-21 08:58:33
市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是個(gè)利好的消息。旺宏19nm SLC NAND FLASH正在成為出貨的中流砥柱，尤其是大容量應(yīng)用方向。而提早布局的3D NAND FLASH制造，雖然大容量FLASH的目標(biāo)正在實(shí)現(xiàn)中
2020-11-19 09:09:58
讀取NAND FLASH時(shí)，假如#defineNFDATA __REG(0x4E000010)//NAND flash data 這行不更改成#defineNFDATA __REG_BYTE(0x4E000010)//NAND flash data為什么讀出來(lái)的數(shù)據(jù)是反的，有同學(xué)知道嗎，謝謝。。
2019-03-27 06:55:23
大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊(cè)，它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注：板載核心板以具體實(shí)物為準(zhǔn)，如不
2021-12-15 06:34:30
Nand Flash引腳(Pin)的說(shuō)明 圖3.Nand Flash引腳功能說(shuō)明上圖是常見(jiàn)的Nand Flash所擁有的引腳（Pin）所對(duì)應(yīng)的功能，簡(jiǎn)單翻譯如下：1. I/O0 ~ I/O7：用于
2018-07-18 15:48:43
Nand Flash操作原理/* *硬件平臺(tái)：韋東山嵌入式Linxu開(kāi)發(fā)板（S3C2440.v3） *軟件平臺(tái)：運(yùn)行于VMware Workstation 12 Player下
2022-02-15 06:17:18
的Linux源碼中的\drivers\mtd\nand\s3c2410.c，以2410為例。1. 在nand flash驅(qū)動(dòng)加載后，第一步，調(diào)用對(duì)應(yīng)的init函數(shù) ---- s3c2410_nand
2018-07-17 15:00:00
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有 使用過(guò) nand flash的，遇到一個(gè)問(wèn)題找不到原因。最開(kāi)始 nand flash 默認(rèn)接口 是 SDR 模式，我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:51 編輯
關(guān)于DM8127的NAND FLASH，有兩個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教一下：1、DM8127的NAND FLASH是否最大支持512MB
2018-05-28 13:30:39
本文先解釋了Nand Flash相關(guān)的一些名詞，再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">Flash硬件機(jī)制開(kāi)始，介紹到Nand Flash的常見(jiàn)的物理特性，且深入介紹了Nand Flash的一些高級(jí)功能，然后開(kāi)始介紹Linux下面
2019-07-25 07:10:46
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
` CS品牌創(chuàng)世SD NAND內(nèi)置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常強(qiáng)大，讀寫速度最高支持到10MB/S，滿足物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的需求，并且兼容市面主流主控?！ ≈С諷DIO接口訪問(wèn)
2019-09-29 16:45:07
HI， 我正在設(shè)計(jì)FPGA開(kāi)發(fā)套件。在那里我想添加Nand Flash。使用nand flash與spartan系列fpga的優(yōu)點(diǎn)是什么。我需要支持文檔.reference
2019-05-23 09:55:41
的NAND flash是否有打折扣呢？我們以韓國(guó)ATO solution公司的1Gb SPI NANDflash 型號(hào)為ATO25D1GA 為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。它是全球第一家單晶圓的SPI NAND
2018-08-07 17:01:06
)，MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 和3D NAND Flash。他們的區(qū)別在于每個(gè)cell
2022-07-01 10:28:37
NAND FLASH驅(qū)動(dòng)。一、移植環(huán)境1.u-boot版本1.1.62.開(kāi)發(fā)板Jz2440（ARM9 S3C2440 NAND K9F2G08SDRAM K4S561632 * 2）3
2019-07-03 05:45:43
親愛(ài)的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。內(nèi)存工作原理：內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)
2018-08-09 10:37:07
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
什么是NAND Flash？NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的作用是什么？如何去使用NAND Flash控制器？
2021-06-21 06:56:22
進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)變的過(guò)程中，仍需要解決量產(chǎn)良率的問(wèn)題，而良率不合格問(wèn)題產(chǎn)品是否將影響市場(chǎng)秩序，將值得觀察。今年的產(chǎn)業(yè)變數(shù)巨大有報(bào)道預(yù)測(cè)，2019年第1季NAND Flash會(huì)降10％到15％價(jià)格。對(duì)此，外資
2021-07-13 06:38:27
本節(jié)來(lái)學(xué)習(xí)裸機(jī)下的Nand Flash驅(qū)動(dòng),本節(jié)學(xué)完后,再來(lái)學(xué)習(xí)Linux下如何使用Nand Flash驅(qū)動(dòng)Linux中的Nand Flash驅(qū)動(dòng),鏈接如下:(分析MTD層以及制作Nand Flash驅(qū)動(dòng)本節(jié)簡(jiǎn)單制作一個(gè)Nand Flash驅(qū)動(dòng)(只需要初始化Flash以及讀Flash)打開(kāi)2...
2022-01-26 07:05:56
1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2022-01-26 07:58:57
源代碼（VHDL語(yǔ)言）或網(wǎng)表形式(提供使用手冊(cè))提供，功能包括：1. 支持異步接口的SLC和MLC Nand Flash2. 最高支持時(shí)序模式5（Timing Mode 5）3. 兼容ONFI命令集
2012-02-17 11:11:16
Nand Flash陣列的存儲(chǔ)速度最大化；流水線管理NAND FLASH陣列的PAGE READ、BLOCK ERASE、RESET、READ ID等操作3. Nand Flash陣列的壞塊檢測(cè)：檢測(cè)
2014-03-01 18:49:08
。2.函數(shù)nand_init()調(diào)用nand_init_chip()完成NAND FLASH初始化。3.nand_init_chip()順序調(diào)用board_nand_init()和nand
2019-07-08 03:56:54
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
芯片的3D化歷程摩爾定律遇到發(fā)展瓶頸，但市場(chǎng)對(duì)芯片性能的要求卻沒(méi)有降低。在這種情況下，芯片也開(kāi)始進(jìn)行多方位探索，以尋求更好的方式來(lái)提升性能。通過(guò)近些年來(lái)相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)布的成果顯示，我們發(fā)現(xiàn)，芯片
2020-03-19 14:04:57
上，對(duì)CPU的接口要求低；有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。但不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，Nor Flash芯片容量升級(jí)不便。 （3）Nand Flash和Nor
2023-02-17 14:06:29
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-4 17:43 編輯
請(qǐng)問(wèn)1808最大支持多大的NAND FLASH?或者給出推薦的已驗(yàn)證的 NAND FLASH型號(hào) 謝謝
2018-06-04 10:35:35
我的板子是EasyEVM，在調(diào)試NAND FLASH時(shí)，按照官方的例程配置eccType為NAND_ECC_ALGO_RS_4BIT，發(fā)現(xiàn)有以下兩個(gè)問(wèn)題：1.讀取block0，page0時(shí)，讀到一般
2019-10-25 10:38:39
Technical Reference Manual中也沒(méi)有找到關(guān)于RBL載入Nand Flash能力的描述，請(qǐng)問(wèn)UBL最大可以達(dá)到多大？謝謝
2020-08-12 10:41:54
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化
NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 根據(jù)調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開(kāi)始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫(kù)用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運(yùn)算商機(jī)，市場(chǎng)對(duì)第3季NAND Flash市場(chǎng)看法偏向吃緊，晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動(dòng)
2017-10-30 08:36:4415 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667 Flash合資廠的持股，英特爾更開(kāi)始擴(kuò)張大陸市場(chǎng)，將大連廠改裝成3D NAND工廠，埋下英特爾與美光在3D NAND布局各奔前程的伏筆。
2018-01-10 19:43:16483 集邦咨詢調(diào)查顯示，下半年NAND Flash市場(chǎng)受需求動(dòng)能相對(duì)平淡，以及供貨商64/72層3D NAND良率及產(chǎn)出繼續(xù)提升影響，市場(chǎng)將從原先預(yù)期的供給緊縮來(lái)到接近供需平衡的狀態(tài)。
2018-07-02 14:40:513320 NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過(guò)3D NAND Flash BiCS3測(cè)試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場(chǎng)主流規(guī)格，將可望擴(kuò)大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:211946 2018上半年3D NAND市場(chǎng)供應(yīng)量大幅增加，使得NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià)，2018上半年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)累計(jì)跌幅達(dá)35
2018-08-09 15:56:18535 
NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性，在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下，NAND Flash基本已回到2016年的價(jià)格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:002863 
，同時(shí)恐激化各家原廠展開(kāi)96層
3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，然而
市場(chǎng)更多的是關(guān)心
NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462115 Flash市場(chǎng)bit供應(yīng)量會(huì)高于45%，而美光會(huì)高于行業(yè)水平，西部數(shù)據(jù)64層3D NAND在2018年Bit產(chǎn)出量將超過(guò)70%。
2018-08-22 16:53:431607 Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。
2018-09-17 16:30:301863 3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron
2018-10-08 15:52:39395 產(chǎn)出比重將正式超越50%，成為 NAND Flash市場(chǎng)的主流制程，此外，由于新一代iPhone的備貨需求將至，以及SSD應(yīng)用需求穩(wěn)健成長(zhǎng)，預(yù)估下半年整體NAND Flash市場(chǎng)仍維持供需較為吃緊的態(tài)勢(shì)。
2018-11-16 08:45:591150 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 Flash控制器正成為一種趨勢(shì)。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點(diǎn)和區(qū)別，分析了市場(chǎng)上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:0819 盡管目前芯片荒嚴(yán)重，NAND flash市場(chǎng)欣欣向榮，但是隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)等中廠增產(chǎn)，全球企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始為芯片“大泛濫”預(yù)做準(zhǔn)備。外界估計(jì)，明年NAND flash價(jià)格可能受壓，市況或轉(zhuǎn)為供給過(guò)剩。
2021-05-10 15:22:132913 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開(kāi)發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL（NAND Flash Translation Layer）和FAT類文件系統(tǒng)來(lái)解決NAND Flash存儲(chǔ)的問(wèn)題。
2021-07-30 10:41:299 1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi)，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來(lái)安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)2月17日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，美光將NAND Flash合約價(jià)格上調(diào)25%，而幾日前，西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NAND Flash的漲價(jià)通知。
2022-02-22 11:17:011655 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問(wèn)NAND
2023-09-22 18:10:02752 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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