場效應晶體管的英文簡稱為FET，中文簡稱為場效應管或者單極型晶體管。它是由電壓控制的半導體器件，輸入電阻在108Ω~109Ω之間（輸入電阻高）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、集成簡易、不會造成二次擊穿的現象、安全工作范圍廣等優點，目前場效應管已經成為了雙極型晶體管和功率晶體管的最強力的競爭者。場效應管主要分為量大類分別是：結型場效應管和絕緣柵場效應管（mos管）。

　　場效應管不等于MOS管，MOS管只是場效應管的一種；而場效應管只是晶體管的一種，晶體管又分為單極性和雙極性晶體管；具體是怎么區分的，請看下面的介紹。

　　場效應管與雙極型晶體管相比：

　　（1）場效應管中，導電過程是多數載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。

　　（2）場效應管是通過柵極電壓uGS來控制漏極電流iD，稱為電壓控制器件；雙極型晶體管是利用基極電流iB（或射極電流iE）來控制集電極電流iC，稱為電流控制器件。

　　（3）場效應管的輸入電阻很大；晶體管的輸入電阻較小。

　　（4）場效應管的跨導gm的值較小，雙極型晶體管的β值很大。在同等條件下，場效應管的放大能力不如晶體管高。

　　（5）結型場效應管的漏極和源極可以互換使用，MOS管如果襯底沒有和源極接在一起，也可將d、s極互換使用；雙級型晶體管的c和e極互換則稱為倒置工作狀態，此時β將變得非常小。

　　（6）場效應管可作為壓控電阻使用。

　　（7）場效應管是依靠多子導電，因此具有較好的溫度穩定性、抗輻射性和較低的噪聲。

　　場效應管還有一些缺點：如功率小，速度慢等。但由于它工藝簡單，易于集成，故廣泛應用于集成電路。