SiC,SiC是什么意思

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.

SiC是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，作為Si等半導體材料的重要補充，可制作出性能更加優異的高溫(300～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SiC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等節能具有重要意義。Silicon（硅）基器件的發展，未來已沒有可突破的空間了，目前研究的方向是SiC（碳化硅）等下一代半導體材料，這種新器件將在今后5～10年內出現，它的出現會產生革命性的影響。在用這種新型半導體材料制成的功率器件，性能指標比砷化鎵器件還要高一個數量級，碳化硅與其他半導體材料相比，具有下列優異的物理特點: 高的禁帶寬度，高的飽和電子漂移速度，高的擊穿強度，低的介電常數和高的熱導率。上述這些優異的物理特性,決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應用場合是極為理想的半導體材料。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的 SiC場效應管的導通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開關時間可達10nS量級，并具有十分優越的 FBSOA。

Silicon（硅）基器件的發展，未來已沒有可突破的空間了，目前研究的方向是SiC（碳化硅）等下一代半導體材料，這種新器件將在今后5～10年內出現，它的出現會產生革命性的影響。在用這種新型半導體材料制成的功率器件，性能指標比砷化鎵器件還要高一個數量級，碳化硅與其他半導體材料相比，具有下列優異的物理特點：高的禁帶寬度，高的飽和電子漂移速度，高的擊穿強度，低的介電常數和高的熱導率。上述這些優異的物理特性,決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應用場合是極為理想的半導體材料。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的 SiC場效應管的導通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開關時間可達10nS量級，并具有十分優越的 FBSOA。

SiC材料可以讓器件具有迄今為止設計工程師們夢寐以求卻不能得到的出色特性。其最重要的優點包括以下幾個方面：

● 工作結溫高達225℃，而相應的漏電流只有適度的增加。由于本質上不會出現熱偏移(thermal run－away)，故可以在很高的結溫下可靠的工作。

● 沒有正向或反向恢復，故即使在高溫下以高頻工作時，也沒有開關損耗。甚至可以實現開關損耗極小、頻率高達1MHz 的深度切換(hard switching)。

● 正向電阻具有正溫度系數，這樣就有可能安全的通過并聯若干器件來提高功率。

● 能承受的擊穿電壓要高得多，所以能經受住高達4500V的高壓。這對硅功率器件來說是不可想象的。

● 簡而言之，SiC元件離夢想中的理想器件已經不遠了。不妨可以這樣來看，即SiC二極管與超高速硅二極管相比，恰如MOSFET晶體管與雙極型器件相比。

SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOS-FETS和JFETS等。

　1、名稱解釋
　　碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
　　包括黑碳化硅和綠碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優質硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。綠碳化硅是以石油焦和優質硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。
　　2.性質
　　碳化硅的硬度很大，具有優良的導熱和導電性能，高溫時能抗氧化。
　　3.用途
　　(1)作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。
　　(2)作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。
　　碳化硅主要有四大應用領域,即: 功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供應, 不能算高新技術產品,而技術含量極高 的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。
　　(3)高純度的單晶，可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。
　　4.產地、輸往國別及品質規格
　　(1)產地：青海、寧夏、河南、四川、貴州等地。
　　(2)輸往國別：美國、日本、韓國、及某些歐洲國家。
　　(3)品質規格：
　　①磨料級碳化硅技術條件按GB/T2480—96。各牌號的化學成分由表6-6-47和表6-6-48給出。
　　②磨料粒度及其組成按GB/T2477—83。磨料粒度組成測定方法按GB/T2481—83
　　也可稱為SI60C60,科學家處于研究當中.
　　6.[關于SIC]韓流沖擊波節目中的介紹
　　一位實力與偶像歌手素質兼備的新人男歌手SIC.這位男歌手近期發表了首張個人專輯。他被人們評價為能與RAIN和SEVEN媲美的后起之秀。他的舞蹈實力與RAIN和SEVEN不相上下，SIC的意思是西班牙語“肯定“的意思。與SIC在準備期間的4年多來一直積極向上的態度相吻合。目前SIC的目標是成為所有電視節目的主人公。 韓國眾多音樂人對這位新人都充滿了期待。
　　7.SIC——Statistical Inventory Control，統計庫存控制。

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