DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。此外，DS1330器件具有監(jiān)視VCC狀態(tài)和內(nèi)部鋰電池狀態(tài)的專用電路。PowerCap模塊封裝的DS1330器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。可用來替代32k x 8 SRAM、EEPROM或閃存器件。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　當(dāng)VCC電壓跌落時(shí)，電源監(jiān)視器能夠復(fù)位處理器、并在VCC上升期間持續(xù)保持處理器的復(fù)位狀態(tài)

　　電池監(jiān)視器核查剩余電量

　　70ns的讀寫存取時(shí)間

　　沒有寫次數(shù)限制

　　典型待機(jī)電流50μA

　　可升級(jí)32k x 8 SRAM、EEPROM或閃存

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1330Y)或±5% VCC工作范圍(DS1330AB)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有NV SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

　　分離的PowerCap用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

　　通過美國保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室協(xié)會(huì)(UL)認(rèn)證

DS1330 256k非易失(NV) SRAM www.zgszdi.cn

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888

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-21 09:03:59

888

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控

2010-10-21 09:06:32

1002

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

2010-10-22 08:58:38

925

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

2010-10-22 09:04:04

998

DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

　　MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap

2010-10-28 08:46:50

697

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

2010-11-07 09:37:51

770

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-10 09:31:52

685

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

2010-11-10 09:36:27

1532

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

877

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

1843

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

966

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

879

DS1500 看門狗RTC,帶有非易失控制

DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出

2011-12-19 11:08:18

1741

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2011-12-19 11:15:39

1685

DS1244,DS1244P數(shù)據(jù)資料

DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM

2011-12-19 11:33:09

DS1500英文數(shù)據(jù)資料

, watchdog timer, power-on reset, battery monitors, 256 bytes of on-board nonvolatile (NV) SRAM, NV control for backing up an external SRAM, and

2011-12-19 11:34:46

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K

2012-01-04 11:29:19

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

2428

cy7c1353g 4兆位（256K SRAM×18）流過諾博?架構(gòu)

he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically

2017-09-14 17:05:28

基于23A256/23K256下的具有SPI總線的256K低功耗串行SRAM

Microchip Technology Inc.的23X256系列是256 Kb的串行 SRAM 器件。通過一個(gè)兼容串行外設(shè)接口（Serial Peripheral Interface

2018-07-02 11:22:00

NV24C256WF EEPROM串行256-Kb I

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NV24C256WF相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有NV24C256WF的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，NV24C256WF真值表，NV24C256WF管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2019-08-01 11:02:19

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍

2020-12-22 15:18:33

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2022-01-25 19:50:51

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2022-06-10 15:23:01

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Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴(kuò)展帶插座

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴(kuò)展帶插座.zip》資料免費(fèi)下載

2022-08-05 11:54:54

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達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

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如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。

2023-01-12 16:11:59

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為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。

2023-03-02 14:40:00

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DS1330YP-70+ - (Maxim Integrated) - 存儲(chǔ)器

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2023-07-31 18:47:20

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DS1330 256k非易失(NV) SRAM

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