0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5433資料下載內容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內部方框圖MAX5433極限參數MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
4112-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4321-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4411S-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4411T-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4412-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4412T-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4421-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
研究機構IMEC已經發表了一篇論文，該研究表明，在5nm節點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節能效果。這種優勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個字節寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時BCD格式的世紀、年、月
2020-09-16 17:17:42
非易失性溫度報警觸發器TH和TL。可通過軟件寫入 報警上下限值。DS18B20中很多資料這樣寫，具體使用是什么情況的？誰知道，請指教，謝謝加入寫入了上限溫度50 下限溫度－20 超過這兩個限度
2020-06-17 05:24:55
完成16位電流測量，以及11位電壓和溫度測量。片上非易失存儲器用于存儲電池的特性數據和應用參數。DS27..
2021-12-03 07:38:35
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
前言：MCU中的SRAM和Flash相當于計算機系統中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對比區別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小于55mA，相當于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對于32Mb數據，它具有100K個循環的耐久性，而對于1Mb的數據可以>1M個循環。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失數字電位器(digipot)，器件具有高達15.5V的輸出電壓。該器件是第一款內置溫度傳感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出帶有非易失存儲器(EEPROM)的±0.5℃精度數字溫度傳感器和溫度調節器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調節門限，而其他類似的器件
2018-10-29 10:51:29
大家好：關于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問題要問：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應該設置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設置為0x02
2018-09-26 10:01:35
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
= 0x00400000,長度 = 0x003D4000 /* 4096K - 176K (sBAF + HSE)*/
int_itcm：起點 = 0x00000000，長度 = 0x00008000
2023-06-07 08:21:37
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存儲配置數據。配置數據決定了PLD內部互連和功能，改變配置數據，也就改變了器件的邏輯功能。SRAM編程時間短，為系統動態改變PLD的邏輯功能創造了條件。但由于SRAM的數據易失的，配置數據必須保存在PLD器件以外的非易失存儲器內，才能實現在線可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數器模式中使用Time1。下面的函數在代碼中定期調用。每次調用上述函數后，Timer1應該重置為零。有時它不是這樣發生的，但有時它像預期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
The DS3645 is a secure supervisor with 4096 bytes of SRAM for applications requiring the secure
2008-10-16 16:25:19
111 DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數據，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:30
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DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261255 
The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 SPR4096是一個高性能的4M-bit（512K8-bit）FLASH，分為 256個扇區（Sector）每個扇區為2K-byte。SPR4096還內置了一個4K8-bit的SRAM。SPR4096串行接口的工作頻率可達5MHz。SPR4096有兩個電源輸入端VDDI和V
2012-04-09 15:58:1272 The AS7C4096A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:29:333 The AS7C4096A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device organized as 524，288 words × 8 bits.
2017-09-20 09:41:177 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1250ABP-100+相關產品參數、數據手冊，更有DS1250ABP-100+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1250ABP-100+真值表，DS1250ABP-100+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:50:57
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