10月15日，據(jù)國外媒體報道，目前全球頂尖的光刻機生產(chǎn)商ASML正在研發(fā)第三款EUV光刻機，并計劃于明年年中出貨。 從其所公布的信息來看，新款光刻機型號命名為TWINSCAN NXE:3600D
2020-10-17 05:02:00
3456 對于如今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，EUV光刻機是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術(shù)的關(guān)鍵所在，為了在未來的工藝軍備競賽中保持優(yōu)勢，臺積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購置EUV光刻機。 ? 然而，當(dāng)這些來自
2022-07-22 07:49:002403 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，ASML在12月中完成了第100臺EUV光刻機的出貨。更加利好的消息是，業(yè)內(nèi)預(yù)估ASML今年（2021年）的EUV光刻機產(chǎn)能將達到45~50臺的規(guī)模。
2021-01-03 00:28:004735 ，我國因為貿(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺EUV光刻機。 ? 但EUV光刻機的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機的鏡頭和光源做出了不小的貢獻，也讓歐洲成了唯一
2021-12-01 10:07:4110988 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）到了3nm這個工藝節(jié)點之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。為了實現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:002200 ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
300~500nmKrF：波長248.8nmArF：波長193nm衍射效應(yīng)對光刻圖案的影響左圖是理想的光強分布，由于光的衍射效應(yīng)，實際的光強分布如右圖所示。當(dāng)光的波長與mask的特征尺寸可比時，會產(chǎn)生明顯的衍射效應(yīng)。如上圖所示，透過mask的光相互疊加，使得不該受到光照的區(qū)域被曝光。
2014-09-26 10:35:02
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
,對準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。 非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
芯片制造流程其實是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個流程中的一個重要步驟，其實并沒有
2020-09-02 17:38:07
的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴大負(fù)性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點：1
2018-07-12 11:57:08
大。在膜厚大于5μm后，可忽略駐波效應(yīng)的影響。 其實，在理想情況下，基體與光刻膠的折射率可以認(rèn)為是匹配的，即在曝光過程中基體和光刻膠相鄰的表面沒有反射光，此時曝光劑量分布均勻一致，而實際曝光劑量的分布
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負(fù)性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
三種常見的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
，從gate size放大而來。完整的光掩膜圖形中，除了對應(yīng)電路的圖形外，還包括一些輔助圖形或測試圖形，常見的有：游標(biāo)，光刻對準(zhǔn)圖形，曝光量控制圖形，測試鍵圖形，光學(xué)對準(zhǔn)目標(biāo)圖形，劃片槽圖形，和其他
2012-01-12 10:36:16
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國際上對EUV光刻技術(shù)已開展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
`一、照明用LED光源照亮未來 隨著市場的持續(xù)增長，LED制造業(yè)對于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 激光刻
2011-12-01 11:48:46
長期收購藍膜片.藍膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
據(jù)羊城晚報報道，近日中芯國際從荷蘭進口的一臺大型光刻機，順利通過深圳出口加工區(qū)場站兩道閘口進入廠區(qū)，中芯國際發(fā)表公告稱該光刻機并非此前盛傳的EUV光刻機，主要用于企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后的生產(chǎn)線擴容。我們知道
2021-07-29 09:36:46
GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
提要：本文討論了光學(xué)光刻中的離軸照明技術(shù)。主要從改善光刻分辨率、增大焦深、提高空間像對比度等方面對離軸照明與傳統(tǒng)照明作了比較，并用 仿真軟件進行了模擬分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 進入10nm工藝節(jié)點之后，EUV光刻機越來越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺EUV光刻機，總價值超過20億歐元，折合每套系統(tǒng)售價超過1億歐元，可謂價值連城。
2017-01-19 18:22:593470 EUV光刻機的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示，250瓦的EUV光源也萬事俱備。公司2017年財報中也強調(diào)，其EUV光刻機滿足了125WPH（每小時生產(chǎn)
2018-01-23 14:51:008018 
隨機變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機性變化又稱為隨機效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項期待已久的技術(shù)帶來了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:005861 光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-06-27 15:43:5011777 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 的光學(xué)系統(tǒng)了。 如今ASML與IMEC合作的就是高NA的EUV工藝了，雙方將成立一個聯(lián)合實驗室，在EXE：5000型光刻機上使用NA=0.55的光學(xué)系統(tǒng)，更高的NA有助于將EVU光源投射到更廣
2018-11-02 10:14:19834 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發(fā)極紫外（EUV）光刻機，其公司認(rèn)為，一旦當(dāng)今的系統(tǒng)達到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機來繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 的新型光學(xué)及掩模襯底材料是該波段技術(shù)的主要困難。光科技束是很多學(xué)科的綜合，任何一門學(xué)科的突破就能對光刻技術(shù)的發(fā)展做出巨大貢獻。
2019-01-02 16:32:2323712 由于三星去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV，同時ASML（荷蘭阿斯麥）將EUV光刻機的年出貨量從18臺提升到今年的預(yù)計30臺，顯然促使臺積電不得不加快腳步。
2019-04-30 17:30:037913 2016年，ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份，并投資數(shù)億美元合作研發(fā)新一代透鏡，而ASML這么大手筆投資光學(xué)鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機。
2019-07-13 09:40:165058 掌握全球唯一EUV光刻機研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財報，當(dāng)季營收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。
2019-07-18 16:02:003147 
掌握全球唯一EUV光刻機研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財報，當(dāng)季營收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。
2019-07-23 10:47:213102 
格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰(zhàn)將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
據(jù)韓媒報道稱，ASML正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機，與現(xiàn)有光刻機相比，二代EUV光刻機最大的變化就是High NA透鏡，通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準(zhǔn)精度兩大光刻機核心指標(biāo)提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。
2019-08-07 11:24:395849 近些年來EUV光刻這個詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473149 2月28日，美國泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 近些年來EUV光刻這個詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4529308 據(jù)中國證券報報道，3月6日下午從中芯國際獲悉，日前中芯國際深圳工廠從荷蘭進口了一臺大型光刻機，但這是設(shè)備正常導(dǎo)入，用于產(chǎn)能擴充，并非外界所稱的EUV光刻機。
2020-03-07 10:55:144167 在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機，預(yù)計在2022年開始出貨。
2020-03-17 09:13:482863 在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機，預(yù)計在2022年開始出貨。
2020-03-17 09:21:194670 頂級光刻機有多難搞？ASML的光刻機，光一個零件他就調(diào)整了10年！拿荷蘭最新極紫外光EUV光刻機舉例，其內(nèi)部精密零件多達10萬個，比汽車零件精細(xì)數(shù)十倍！
2020-07-02 09:38:3911513 與此同時， 他指出，EUV繼續(xù)為ASML的客戶提高產(chǎn)量，迄今為止，他們的客戶已經(jīng)使用EUV光刻機曝光了超過1100萬個EUV晶圓，并交付了57個3400x EUV系統(tǒng)（3400平臺是EUV生產(chǎn)平臺）。
2020-08-14 11:20:552048 
ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機必不可缺。一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元，折合人民幣高達11.74億元
2020-10-19 12:02:499648 
臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 11月5日，世界光刻機巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進博會。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV（極紫外光）光刻機的企業(yè)，由于ASML目前仍不能向中國出口EUV光刻機，所以此次展示的是其DUV（深紫外光）光刻機。據(jù)悉，該產(chǎn)品可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。
2020-11-06 11:27:465517 中國需要光刻機，尤其是支持先進制程的高端光刻機。具體來說，就是 EUV （極紫外光源）光刻機。
2020-11-11 10:13:304278 
自從芯片工藝進入到7nm工藝時代以后，需要用到一臺頂尖的EUV光刻機設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機后，三星也坐不住了。 按照三星的說法，自2014年以來，EUV光刻參與的晶圓超過了400萬片，公司積累了豐富的經(jīng)驗，也比其它廠商掌握
2020-12-04 18:26:542201 荷蘭阿斯麥公司作為掌握光刻機系統(tǒng)集成和整體架構(gòu)的核心企業(yè)，自然成了歐美自家的小棉襖，順利趕上了歐美EUV技術(shù)研究發(fā)展的風(fēng)口，投資德國卡爾蔡司，收購美國Cymer光源。集成世界各國頂尖科技的EUV
2020-12-28 09:25:5518165 之前有消息稱，臺積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購買更多更先進制程的EUV光刻機，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備。
2020-12-29 09:22:482192 EUV光刻（即極紫外光刻）利用波長非常短的光，在硅片上形成數(shù)十億個微小結(jié)構(gòu)，構(gòu)成一個芯片。與老式光刻機相比，EUV設(shè)備可以生產(chǎn)更小、更快、更強大的芯片。
2020-12-29 16:20:301425 Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機競爭對手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場，目前ASML把握著全球主要的先進光刻機產(chǎn)能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)模縮小到1nm及以下。
2020-12-30 09:23:481673 EUV（極紫外光）光刻機，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進光刻機類型。近來，有不少消息都指出，EUV光刻機耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺積電的一大難題。 為何EUV光刻機會這么耗電
2021-02-14 14:05:003915 目前，還有ASML有能力生產(chǎn)最先進的EUV光刻機，三星、臺積電都是ASML的客戶。但受《瓦森納協(xié)定》的制約，中國大陸沒有從ASML買來一臺EUV光刻機。
2021-01-21 08:56:184078 %，凈利潤達到36億歐元。全球光刻機主要玩家有ASML、尼康和佳能三家，他們占到了全球市場90%。 ASML由于技術(shù)領(lǐng)先，一家壟斷了第五代光刻機EUV光刻機，這類光刻機用于制造7nm以下先進制程的芯片。 2020年ASML對外銷售了31臺EUV光刻機，帶來了45億歐元（折合352.52億
2021-01-22 10:38:164677 
ASML公司前兩天發(fā)布了財報，全年凈銷售額140億歐元，EUV光刻機出貨31臺，帶來了45億歐元的營收，單價差不多11.4億歐元了。 雖然業(yè)績增長很亮眼，但是ASML也有隱憂，實際上EUV光刻
2021-01-22 17:55:242639 2019 年底在舊金山舉辦的年度國際電子元件會議（IEDM）上，臺積電公布的兩個報告標(biāo)志著集成電路制造邁入了EUV 光刻時代。第一個報告宣布了應(yīng)用EUV 光刻技術(shù)的7 納米世代的改良版芯片已經(jīng)
2021-02-19 09:18:203017 
隨著半導(dǎo)體工藝進入10nm節(jié)點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 09:28:551644 隨著半導(dǎo)體工藝進入10nm節(jié)點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 11:39:091844 三星一方面在積極向唯一的EUV光刻機廠商ASML爭取訂單，另外一方面也在增資為EUV產(chǎn)業(yè)鏈輸血。
2021-03-04 09:52:411757 以下內(nèi)容由對話音頻整理 本期話題 ● EUV光刻機產(chǎn)能如何？ ● 晶圓為什么是圓的？ ● 不同制程的芯片之間有何區(qū)別？ ● 什么是邏輯芯片，邏輯芯片又包括哪些？ ● 專用芯片與通用芯片 ● 中科院
2021-03-14 09:46:3023476 日前，ASML產(chǎn)品營銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機的最新進展。
2021-03-19 09:39:404630 7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國因為貿(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺EUV光刻機。 但EUV光刻機的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個前所未有的速度開發(fā)最強大芯片的機會。
2022-04-07 14:49:33488 臺積電和三星從7nm工藝節(jié)點就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構(gòu)
?現(xiàn)場EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 在芯片研發(fā)的過程中，光刻機是必不可少的部分，而隨著芯片制程工藝的不斷發(fā)展，普通的光刻機已經(jīng)不能滿足先進制程了，必須要用最先進的EUV光刻機才能完成7nm及其以下的先進制程，而目前臺積電和三星都在攻克
2022-06-28 15:07:126676 中國芯的進步那是有目共睹，我國在光刻機，特別是在EUV光刻機方面，更是不斷尋求填補空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3516742 三星電子和ASML就引進今年生產(chǎn)的EUV光刻機和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機達成采購協(xié)議。
2022-07-05 15:26:155634 光刻機是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。
2022-07-06 11:03:077000 如今世界最先進的EUV光刻機，只有asml一家公司可以制造出來。
2022-07-06 11:19:3850686 EUV光刻機是在2018年開始出現(xiàn)，并在2019年開始大量交付，而臺積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 ASML的極紫外光刻機（EUV），這個是當(dāng)前世界頂級的光刻機設(shè)備。 在芯片加工的時候，光刻機是用一系列光源能量和形狀控制手段，通過帶有電路圖的掩模傳輸光束。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運動、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項先
2022-07-10 11:17:4242766 機是哪個國家的呢？ euv光刻機許多國家都有，理論上來說，芯片強國的光刻機也應(yīng)該很強，但是最強的光刻機制造強國，不是美國、韓國等芯片強國，而是荷蘭。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，在全世
2022-07-10 11:42:276977 機可以生產(chǎn)出納米尺寸更小、功能更強大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻機生產(chǎn)。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，最先進的光刻機是荷蘭ASML公司的EUV光刻機。預(yù)計在光路系統(tǒng)的幫助下，能
2022-07-10 14:35:066173 目前，光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 光刻機的原理是接近或接觸光刻，通過無限接近，將圖案復(fù)制到掩模上。直寫光刻是將光束聚焦到一個點上，通過移動工作臺或透鏡掃描實現(xiàn)任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術(shù)，具有效率高、無損傷等優(yōu)點。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1015099 光刻機是當(dāng)前半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心設(shè)備，其技術(shù)含量和價值含量都很高。那么euv光刻機用途是什么呢？下面我們就一起來看看吧。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運動、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制
2022-07-10 16:34:403116 與此同時，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn)，更少的隨機效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒法用了，DUV光刻機上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:082010 EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡單來說，就是以極紫外光作“刀”，對芯片上的晶圓進行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:024367 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053181 Technology，RET)的延伸，其關(guān)鍵技術(shù)主要包括光學(xué)成像物理仿真、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正 (Optical Proximity Correction,OPC)、光源-掩模協(xié)同優(yōu)化 (Source-Mask Optimization， SMO） 等。三種計算光刻技術(shù)的對比見表。
2022-10-26 15:46:222274 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/ 周凱揚 ）到了3nm這個工藝節(jié)點之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。 為了實現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:02952 過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041793 
夠高同樣以3400B來說，該EUV光刻機的生產(chǎn)效率是每小時125片晶圓，還不到DUV光刻機生產(chǎn)效率的一半。
隨機效應(yīng)嚴(yán)重DUV時代就存在，但對芯片制造影響不大，因此被芯片代工廠忽略。但在EUV時代，該問題開始嚴(yán)重影響芯片的良率，隨芯片工藝尺寸越來越小，隨機效應(yīng)越發(fā)明顯
2023-06-08 15:56:42283 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
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