在IC版圖[layout]時(shí)，Design Rules中往往會(huì)注明金屬線大于一定寬度時(shí)要挖slot，同時(shí)也會(huì)對(duì)metal density做出限定，小于規(guī)定的百分比時(shí)就要加dummy metal，由此看到的是這兩條規(guī)則向著同一目的，那就是整個(gè)芯片上的金屬的均勻性。

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試想芯片上的金屬密度不夠均勻，有的地方密度大，有的地方密度小，那么在經(jīng)過(guò)金屬淀積后，metal density小的地方已經(jīng)出現(xiàn)了低凹，再進(jìn)行刻蝕和拋光后，原本Layout（版圖）上
metal density較低的區(qū)域，對(duì)應(yīng)在wafer上此時(shí)的metal的厚度要相比metal density較高區(qū)域的薄。故直接影響到wafer的平坦度，從而影響后續(xù)工序的精準(zhǔn)度，造成
IC之電性不良、直接影響wafer的良率。

當(dāng)整個(gè)芯片layout金屬密度過(guò)低時(shí)，wafer 上對(duì)應(yīng)需要刻蝕掉的metal量就多，容易造成刻蝕不干凈，有過(guò)多metal殘留于wafer上，影響后續(xù)工序。而當(dāng)整個(gè)芯片layout金屬密度過(guò)高時(shí)，則wafer 上對(duì)應(yīng)需要刻蝕掉的metal量就少，容易造成刻蝕過(guò)量，對(duì)正常的metal導(dǎo)線也去刻蝕掉。