閃存的限制

　　1、區(qū)塊抹除

　　閃存的一種限制在于即使它可以單一字節(jié)的方式讀或?qū)懭耄悄ǔ欢ㄊ且徽麄€區(qū)塊。一般來說都是設(shè)置某一區(qū)中的所有比特為“1”，剛開始區(qū)塊內(nèi)的所有部分都可以寫入，然而當(dāng)有任何一個比特被設(shè)為“0”時，就只能借由清除整個區(qū)塊來恢復(fù)“1”的狀態(tài)。換句話說閃存（特別是NORFlash）能提供隨機(jī)讀取與寫入操作，卻無法提供任意的隨機(jī)改寫。不過其上的區(qū)塊可以寫入與既存的“0”值一樣長的消息（新值的0比特是舊值的0比特的超集）。例如：有一小區(qū)塊的值已抹除為1111，然后寫入1110的消息。接下來這個區(qū)塊還可以依序?qū)懭?010、0010，最后則是0000。可是實際上少有算法可以從這種連續(xù)寫入兼容性得到好處，一般來說還是整塊抹除再重寫。盡管閃存的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)不能完全以一般的方式做更新，但這允許它以“標(biāo)記為不可用”的方式刪除消息。這種技巧在每單元存儲大于1比特數(shù)據(jù)的MLC設(shè)備中必須稍微做點(diǎn)修改。

　　2、記憶耗損

　　另一項閃存的限制是它有抹寫循環(huán)的次數(shù)限制（大多商業(yè)性SLC閃存保證“0”區(qū)有十萬次的抹寫能力，但其他區(qū)塊不保證）。這個結(jié)果部分地被某些固件或文件系統(tǒng)為了在相異區(qū)塊間分散寫入操作而進(jìn)行的計算寫入次數(shù)與動態(tài)重對映所抵銷；這種技巧稱為耗損平衡（wearleveling）。另一種處理方法稱為壞區(qū)管理（BadBlockManagement，BBM）。這種方法是在寫入時做驗證并進(jìn)行動態(tài)重測，如果有驗證失敗的區(qū)塊就加以剔除。對多數(shù)移動設(shè)備而言，這些磨損管理技術(shù)可以延長其內(nèi)部閃存的壽命（甚至超出這些設(shè)備的使用年限）。此外，丟失部分?jǐn)?shù)據(jù)在這些設(shè)備上或許是可接受的。至于會進(jìn)行大量數(shù)據(jù)讀寫循環(huán)的高可靠性數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用則不建議使用閃存。不過這種限制不適用于路由器與瘦客戶端（Thinclients）等只讀式應(yīng)用，這些設(shè)備往往在使用年限內(nèi)也只會寫入一次或少數(shù)幾次而已。

　　3、讀取干擾

　　所使用的閃存讀取方式隨著時間的推移會導(dǎo)致在同一區(qū)塊中相近的記憶單元內(nèi)容改變（變成寫入動作）。這即是所謂的讀取干擾。會導(dǎo)致讀取干擾現(xiàn)象的讀取次數(shù)門檻介于區(qū)塊被抹除間，通常為100，000次。假如連續(xù)從一個記憶單元讀取，此記憶單元將不會受損，而受損卻是接下來被讀取的周圍記憶單元。為避免讀取干擾問題，閃存控制器通常會計算從上次抹除動作后的區(qū)塊讀取動作總次數(shù)。當(dāng)計數(shù)值超過所設(shè)置的目標(biāo)值門檻時，受影響的區(qū)塊會被復(fù)制到一個新的區(qū)塊，然后將原區(qū)塊抹除后釋放到區(qū)塊回收區(qū)中。原區(qū)塊在抹除動作后就會像新的一樣。若是閃存控制器沒有即時介入時，讀取干擾錯誤就會發(fā)生，如果錯誤太多而無法被ECC機(jī)制修復(fù)時就會伴隨著可能的數(shù)據(jù)丟失。

　　4、寫入（編程）干擾

　　寫入干擾（編程干擾）是指當(dāng)對頁（page）進(jìn)行寫入時，由于閾值電壓接近的關(guān)系，相鄰的位（bit）也被升高，從而造成相鄰的位出錯。閃存電荷非常不穩(wěn)定，相鄰存儲電荷的懸浮門間會相互干擾，造成相鄰懸浮門間的bit錯誤，MLC由于存在4組接近的電壓，與SLC相比更容易受到干擾。

　　閃存

　　快閃存儲器（英語：flashmemory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ鳌＿@種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的閃存進(jìn)行一次抹除，就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

　　閃存的成本遠(yuǎn)較可以字節(jié)為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非易失性固態(tài)存儲最重要也最廣為采納的技術(shù)。像是PDA、筆記本電腦、數(shù)字隨身聽、數(shù)碼相機(jī)與手機(jī)上均可見到閃存。此外，閃存在游戲主機(jī)上的采用也日漸增加，藉以取代存儲游戲數(shù)據(jù)用的EEPROM或帶有電池的SRAM。

　　閃存是非易失性的內(nèi)存。這表示單就保存數(shù)據(jù)而言，它是不需要消耗電力的。與硬盤相比，閃存也有更佳的動態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項特性：當(dāng)它被制成儲存卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。

　　雖然閃存在技術(shù)上屬于EEPROM，但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區(qū)塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是字節(jié)。因為老式的EEPROM抹除循環(huán)相當(dāng)緩慢，相形之下快閃記體較大的抹除區(qū)塊在寫入大量數(shù)據(jù)時帶給其顯著的速度優(yōu)勢。閃存最常見的封裝方式是TSOP48和BGA，在邏輯接口上的標(biāo)準(zhǔn)則由于廠商陣營而區(qū)分為兩種：ONFI和Toggle。手機(jī)上的閃存常常以eMMC的方式存在。