的堆疊NAND閃存 V-NAND實現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
5472 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:00720 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
`8890開發(fā)板擁有二個三星自家貓鼬核芯以及四個低功耗A53核芯，最高主頻達到1.5GHz，GPU為Mali-T880 MP12，內(nèi)存采用三星原裝4G LPDR4內(nèi)存，支持三路MIPI攝像頭接口
2017-06-30 11:00:32
，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計，外加強大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
三星788df電路圖紙,三星788df顯示器原理圖
2008-09-23 13:37:35
，Hankil Yoon說公司計劃最終推出一系列Galaxy Tab產(chǎn)品。 戴爾（Dell Inc.）上個月通過美國電話電報公司發(fā)布了平板電腦Streak，三星緊隨其后。預(yù)計圣誕節(jié)銷售季將會有更多的平板產(chǎn)品
2011-03-03 16:37:52
這是一款非常不錯的游戲，我來和大家一起來說說如何進行刷機了。【I9220】三星I9220 CM10.1刷機包基于安卓4.2.2定制美化適用機型：三星 I9220 | Galaxy Note文件大小
2013-06-27 09:51:33
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體：防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED燈珠高亮度、色彩豐富、可智 能化控制等優(yōu)點，使其成為下一代照明光源的有力競爭者，綠色節(jié)能是其對社會最重要的貢獻。
2019-09-30 09:00:46
三星GALAXY Note II的成功是大家有目共睹的，5.5英寸的超大屏幕，準(zhǔn)旗艦的超高規(guī)格贏得了一批消費者的青睞，但是它不便宜的價格也讓一些經(jīng)濟緊張的用戶對之望而卻步。因此，三星推出了相對
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
的攝像頭，整體成像質(zhì)量出色，可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統(tǒng)，主頻高達1GHz的處理器保證了整機的流暢運行，機身自帶16GB的擴展存儲，同時還支持高達
2011-05-04 18:51:39
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`2018年的手機盛事一樁接著一樁。蘋果、華為、小米、魅族剛舉行完新品發(fā)布會，三星馬上宣布新機計劃。三星即將推出市面上首款4攝像頭手機產(chǎn)品，并加速進入中端市場。看來，千元買三星新手機的那些年，又回來
2018-10-29 17:01:33
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
預(yù)告明年的存儲器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
管的供電部分，這里總共有6顆螺絲固定很不錯的做工，六項供電回路告訴我們三星2693HM采用了6組背光燈管的設(shè)計三星2693HM拆解第二階段結(jié)束 經(jīng)過不停地擰螺絲，和暴力拆解，我們已經(jīng)將面板與顯示器
2012-12-06 09:24:16
觀點：蘋果與三星這場“世紀專利大戰(zhàn)”的硝煙看似早已漸去，實際上這兩家公司在全球各地的法院展開的專利大戰(zhàn)還未了結(jié)，雙方又開始醞釀一場新的戰(zhàn)斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面廣告
2012-10-09 16:39:58
三星電子宣布開發(fā)出720萬像素的CMOS圖像傳感器(CIS)，據(jù)稱這是世界上第一款720萬像素的袖珍相機CIS。在此前的6月份，三星推出了500萬像素CIS。 三星這款720萬像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
請問哪位有三星的2440u***驅(qū)動的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
請教一下各位大神，2A的整流橋用快恢復(fù)管來做，是否ＥＭＩ會很好呢？三星的手機充電器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星貼片電阻的卷帶上的標(biāo)簽上有個P M2，在條碼的旁邊有時候是PM3或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
三星和索尼，合資的S-LCD產(chǎn)的半像素屏，呈“《” ，不過像素點比較細，沒LG的粗，用手指在液晶屏上輕輕滑過，手指滑過的地方有一條明顯的水痕，那鐵定是三星的面板，也就是現(xiàn)在俗稱的軟屏
2009-05-24 18:20:40
決策性的作用。在Windows Phone初代機推出之時，三星就非常積極的態(tài)度進入到新的生態(tài)當(dāng)中，憑借著Omnia 7和Focus兩款機型，打響了三星在Windows Phone平臺的頭炮。兩款機型
2012-12-23 11:03:51
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。現(xiàn)在要換成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手冊，發(fā)現(xiàn)page/block/sub-page size之類的都是
2018-06-21 07:09:15
Intel第六代處理器 Skylake CPU、GPU、主板完全解析
2021-02-02 07:23:21
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
，李在镕涉嫌深度介入三星以韓國***大力支持三星物產(chǎn)與第一毛織合并為條件向總統(tǒng)樸槿惠和其親信崔順實提供430億韓元(約合人民幣2.51億元)。三星物產(chǎn)與第一毛織合并對李在镕繼承三星集團經(jīng)營權(quán)至關(guān)重要
2017-01-20 11:09:50
三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡。回收工廠庫存ic，大量收購工廠庫存
2021-05-28 19:17:34
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2021-04-06 18:09:48
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
有人玩過三星的SmartThings網(wǎng)關(guān)嗎？
2018-05-31 01:20:37
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
是深圳市友堅恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計的經(jīng)驗，結(jié)合廣泛調(diào)開設(shè)計的一款S5P4418處理器開發(fā)板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開發(fā)平臺。整合了目前工業(yè)、消費、車載等行業(yè)
2016-07-01 14:04:09
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
回收東芝手機字庫 181-2470 同上1558 同步同號回收三星手機字庫 stm8s207cbt6.，_回收意法半導(dǎo)體：從系統(tǒng)存儲器導(dǎo)入，從sram導(dǎo)入。boot導(dǎo)入程序位于系統(tǒng)存儲器，用于通過
2021-07-28 11:29:11
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
回收基美鉭電容.收購三星芯片.運放IC回收.磁膠電感收購價格.藍牙芯片回收公司.收購保險絲公司.各型號二三極管回收.工廠黑膠體收購.處理RF同軸連接器回收.回收閑置金士頓內(nèi)存.收購?fù)烁蹫V波器.東莞謝崗芯片
2020-09-14 09:42:18
本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 編輯
三星半導(dǎo)體推出的ARM Cortex-A8架構(gòu)處理器，采用45nm低功耗精湛工藝，對于圖形的處理和多媒體的兼容性都是
2011-03-30 14:30:37
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2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機之家資訊中心4月9日消息，三星向來有推出粉色經(jīng)典機型的習(xí)慣，如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了，該機將于近期在香港上市，售價為5998
2012-04-13 18:49:11
。然而，現(xiàn)在新一代中檔的FPGA提供這些塊、高速FPGA架構(gòu)、時鐘管理資源和需要實現(xiàn)下一代DDR3控制器的I/O結(jié)構(gòu)。那么，究竟怎么做，才能用中檔FPGA實現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器呢？
2019-08-09 07:42:01
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應(yīng)用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
三星于2019年北京時間2月21日在美國舊金山發(fā)布了Galaxy s10系列的手機新品，與此同時還推出了三星Galaxy Buds無線耳機。為此不少三星系列愛好者爭先購買，今天我就給這款三星
2019-05-25 18:55:06
手機進水了怎么辦？三星手機
2013-05-13 17:34:01
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
系統(tǒng)設(shè)計存在設(shè)計基于閃存的可靠的嵌入式和存儲系統(tǒng)時仍然面對重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲器技術(shù)要求尺寸越來越小，但耑要較大系統(tǒng)級變化來維持系統(tǒng)級討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時間業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測引來無數(shù)猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時報)》引述計算機產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈消息稱，蘋果和三星均在計劃
2013-10-29 10:18:00
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
`三星四核處理器Exynos 4412是當(dāng)前最熱門的ARM處理器之一，其強勁的性能、出色的功耗控制無不為行內(nèi)人士稱道。迅為電子推出國內(nèi)最小的Exynos4412核心板，引出絕大多數(shù)處理器PIN腳資源
2013-06-18 16:07:28
三星電子在2010年的時候告密導(dǎo)致鴻海集團(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當(dāng)時痛斥三星電子為”專打小報告的小人”,同時他也表示一定會從韓國人的手裡把這個錢給賺回來,時隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05
損耗電流較小的特征。但在另一方面，由于單元是串聯(lián)連結(jié)的，所以面向順序存取，具有隨機存取速度慢的缺點。三菱與日立結(jié)合NAND及NOR閃速存儲器的特點，開發(fā)了DINOR（Divided bit－line NOR
2018-04-09 09:29:07
提供領(lǐng)先的創(chuàng)新視頻和顯示處理解決方案提供商——Pixelworks, Inc.（納斯達克股票代碼：PXLW）今日發(fā)布了其第六代移動視覺處理器---i6，這是首款基于Pixelworks大量移動顯示
2020-11-23 14:02:58
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫，全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡。回收工廠庫存ic，大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
的。一般比較常用的SDRAM包括現(xiàn)代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如，4M×32位的SDRAM，現(xiàn)代公司的芯片型號為HY57V283220，三星公司的為K4S283232，美
2019-06-03 05:00:07
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:00759 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:003077 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092422 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04624 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901 三星電子計劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發(fā)。
2022-04-19 11:31:192704 而主要的 NAND 制造商正在競相增加垂直 3D NAND 門的數(shù)量，并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如，三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:112990 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446
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