內(nèi)存是怎么存取數(shù)據(jù)的

當我們購買內(nèi)存條的時候，會看到內(nèi)存條有如下規(guī)格11-11-11-28，它代表什么意思呢?

它是一種內(nèi)存時序，指的是內(nèi)存在處理各種任務時，遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述。

簡單講，就是CPU在向內(nèi)存索要數(shù)據(jù)，或者在向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)的時候，內(nèi)存要經(jīng)歷一系列的操作，才能把CPU想要的數(shù)據(jù)給出來或?qū)戇M去，這一系列的操作所需要花費的時間周期就是內(nèi)存時序。

這四個數(shù)值分別表示CL，tRCD，tRP，tRAS，單位ns。這個數(shù)值越短，表示延遲越低，內(nèi)存的性能越好。

其實時序還有很多，只不過這四個參數(shù)相對來說比較重要。

在講解之前，我們了解一下內(nèi)存是怎么存取數(shù)據(jù)的。首先要知道SD RAM(內(nèi)存顆粒)，DDR就是將這些顆粒集成在一起，然后再加一個控制器。

內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)時，是以行列的方式進行，跟excel表格類似，通過行列方式定位數(shù)據(jù)，這個表格我們稱為邏輯BANK(L-BANK)。

SDRAM內(nèi)部L-BANK示意圖 8X8陣列

B：L-BANK(邏輯logic bank)地址編號

C：column列支持編號

R：row行地址編號

如果我們要找到BANK中的黃色位置，先指定L-BANK地址B1，然后指定行地址R6，再指定列地址C4，最終就能找到尋址單元。

談到BANK，我們順便了解一下RANK這個概念(經(jīng)常容易搞混，分不清楚)

DDR數(shù)據(jù)存儲時，以64bit數(shù)據(jù)線為例，CPU每次從內(nèi)存里面讀取數(shù)據(jù)都是一次64bits，而內(nèi)存顆粒一般沒有64bit，大多為4bits，8bits，16bits。為了湊夠CPU訪問所需的64bits，假設每個顆粒是8bits，就需要8個顆粒并在一起，并在一起的8個顆粒就叫Rank。

假設內(nèi)存芯片基本上是8個L-BANK地址，也就是8個這樣的表格。

在了解數(shù)據(jù)如何存取后，下面具體看一下這四個參數(shù)：

1、tRCD

內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間為tRCD(RAS to CAS delay)，因為在行激活命令發(fā)出之后，芯片存儲陣列電子元件響應需要一定的時間。

簡單說，在內(nèi)存控制器接收到行的指令后，需要等待一定的時間才能訪問這一行，這個等待時間就是tRCD。

tRCD以時鐘周期為單位，例：tRCD=2，代表延遲兩個時鐘周期。

這個參數(shù)對系統(tǒng)影響不大，因為程序存儲數(shù)據(jù)到內(nèi)存中是一個持續(xù)過程。同一個程序中一般都會在同一行中尋址。

2、CL

內(nèi)存先確定了行，要想找出數(shù)據(jù)，還需要確定列，這時我們就能準確的找到目標數(shù)據(jù)。

內(nèi)存確定了行數(shù)之后，還需要等待一定的時間才能訪問具體列數(shù)，這個等待的時間就是CL，CL就是列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數(shù)。

關于CL這里必須強調(diào)幾點：

CL(CAS Latency，CAS潛伏期)，在頻率相同的情況下，CL值越小，內(nèi)存速度越快。由于CL只在讀取時出現(xiàn)，所以CL又被稱為讀取潛伏期。

CL的值隨著內(nèi)存頻率的增加而增大。

CL數(shù)值也以時鐘周期數(shù)表示，因此必須知道內(nèi)存的頻率才可以知道CL延遲的具體時間，比較才會更有意義，例：

DDR-400內(nèi)存，CL=2.5，時鐘頻率為200MHz，實際CL=12.5ns。

DDR2-800內(nèi)存，CL=5，時鐘頻率為400MHz，實際也是CL=12.5ns。

二者一樣。

選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL值的內(nèi)存，不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，會以較慢的那塊內(nèi)存來運行，從而造成資源的浪費。

3、tRP

tRP(RAS Precharge Time )行預充電時間。假如當前尋址的存儲單元是B1、R5、C2。如果接下來的尋址命令是B1、R6、C2，由于是同一L-Bank的不同行，那么就必須要先把R5關閉，才能對R6進行尋址。

從開始關閉現(xiàn)有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP，單位也是時鐘周期數(shù)。

4、tRAS

tRAS，表示內(nèi)存行有效至預充電的最短周期，可以簡單理解成內(nèi)存寫入或讀取數(shù)據(jù)的一個時間，一般接近前三個參數(shù)的總和。

調(diào)整這個參數(shù)須要結合具體狀況而定，通常咱們最好設在5-10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際狀況而定，并非說越大或越小就越好。

若tRAS的周期太長，會影響系統(tǒng)的性能。

若tRAS的周期太短，則可能因缺少足夠的時間而沒法完成數(shù)據(jù)傳輸，容易引起數(shù)據(jù)丟失或損壞。該值通常設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。

最后簡單概況一下：

　　審核編輯：湯梓紅

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2017-11-13 16:19:00

內(nèi)存供貨短缺，旺宏搭上產(chǎn)業(yè)榮景股價漲不停

內(nèi)存持續(xù)供不應求，今年不但創(chuàng)下歷年最缺、漲勢最久的紀錄，缺貨還將一路延續(xù)到明年。 內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，成了臺股今年以來的重頭戲之一。 DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）、NAND Flash（儲存型閃存

2017-11-26 05:46:02

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內(nèi)存讀寫錯誤的原因分析及解決辦法

內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導體器件制成。內(nèi)存的特點是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。平時我們總會遇到內(nèi)存讀寫錯誤，這是怎么回事？

2017-12-01 17:06:36

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DMA—直接內(nèi)存存取

【*】程序簡介 -工程名稱：DMA直接內(nèi)存存取 -實驗平臺: 秉火STM32 F429 開發(fā)板 -MDK版本：5.16 -ST固件庫版本：1.5.1 【！】功能簡介：使用DMA把內(nèi)存數(shù)據(jù)

2017-12-13 15:09:52

基于內(nèi)存云的大塊數(shù)據(jù)對象并行存取策略

了基于內(nèi)存云的大塊數(shù)據(jù)對象并行存取策略。該存儲策略首先將大塊數(shù)據(jù)對象分割成若干個1 MB的小塊數(shù)據(jù)對象，然后在客戶端生成數(shù)據(jù)摘要，最后使用并行存儲算法將客戶端分割成的小塊數(shù)據(jù)對象存儲在內(nèi)存云集群中。讀取時首先讀取數(shù)據(jù)摘要，然后根據(jù)數(shù)據(jù)

2017-12-17 11:02:53

基于非易失性內(nèi)存的持久化嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫

隨著近年來嵌入式應用的復雜化和多樣化，工業(yè)界和學術界提出來用內(nèi)存數(shù)據(jù)庫滿足嵌入式系統(tǒng)對數(shù)據(jù)處理性能不斷提升的要求．然而，現(xiàn)有的內(nèi)存數(shù)據(jù)庫需要在磁盤或閃存等外存上持久化存儲真實的數(shù)據(jù)庫備份，并且

2018-01-04 13:42:22

內(nèi)存取證的內(nèi)核完整性度量方法

額外的硬件使得系統(tǒng)成本較高；基于Hypervisor的內(nèi)核完整性度量方法，應用復雜的VMM帶來的系統(tǒng)性能損失較大．針對現(xiàn)有方法存在的不足，提出了基于內(nèi)存取證的內(nèi)核完整性度量方法KIMBMF．該方法采用內(nèi)存取證分析技術提取靜態(tài)和動態(tài)度量對象

2018-01-10 14:52:43

數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價無望

經(jīng)過2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn)，SSD已經(jīng)進行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權威機構的數(shù)據(jù)顯示，今年內(nèi)存降價沒戲了，內(nèi)存價格上漲導致DDR3內(nèi)存卷土重來。

2018-02-11 12:04:54

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新式DRAM存取技術提升動態(tài)隨機DRAM訪問速度

本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。超頻與內(nèi)存的關聯(lián)性提升供應電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。

2018-03-28 12:03:00

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Visual-C#數(shù)據(jù)庫存取二進制字段數(shù)據(jù)

存放到數(shù)據(jù)庫，并從數(shù)據(jù)庫中獲取這些數(shù)據(jù)的。但對于二進制文件的存取就必須尋求另外的解決辦法，因為從數(shù)據(jù)庫中存取二進制類型字段可以看成是一個二進制數(shù)組（byte［］），而二進制數(shù)組和二進制文件還是存在很多差異的，所

2018-04-03 15:12:48

隨機存取存儲器為什么叫隨機存取存儲器（結構、特點、分類、優(yōu)缺點）

隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

2018-05-17 17:04:58

19725

TMS320x2833x和2823x直接內(nèi)存存取DMA的詳細用戶手冊免費下載

直接存儲器存取（DMA）模塊提供一種硬件方法，用于在外圍設備和/或存儲器之間傳輸數(shù)據(jù)，而不受CPU的干擾，從而釋放帶寬用于其他系統(tǒng)功能。此外，DMA具有在傳輸數(shù)據(jù)時正交地重新排列數(shù)據(jù)的能力，以及緩沖區(qū)之間的“乒乓”數(shù)據(jù)。這些特征對于將數(shù)據(jù)結構化成塊以進行最佳CPU處理是有用的。

2018-10-25 08:00:00

隨機存取存儲器的最大特點

隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。

2018-11-24 10:59:11

43325

內(nèi)存性能的正確解讀

（128KB-2MB），L3 Cache（1M-32M）。緩存逐漸變大，CPU在取數(shù)據(jù)的時候，優(yōu)先從緩存去取數(shù)據(jù)，取不到才去內(nèi)存取數(shù)據(jù)。2. 內(nèi)存與時延顯然，越靠近CPU，取數(shù)據(jù)的速度越塊，通過

2018-12-14 16:49:25

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AT45DB321D串行接口順序存取閃存的數(shù)據(jù)手冊免費下載

AT45DB321D是一款2.7伏串行接口順序存取閃存，非常適合各種數(shù)字語音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應用。AT45DB321D支持Rapids串行接口，用于需要非常高速操作的應用程序。Rapids

2019-01-18 08:00:00

你知道linux內(nèi)存管理基礎及方法？

linux的內(nèi)存管理采取的分頁存取機制，會將內(nèi)存中不經(jīng)常使用的數(shù)據(jù)塊交換到虛擬內(nèi)存中。linux會不時地進行頁面交換操作，以保持盡可能多的空閑物理內(nèi)存，即使并沒有什么事需要內(nèi)存，linux也會交換出暫時不用的內(nèi)存頁面。

2019-04-28 17:12:07

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SDRAM同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存的資料詳細說明

隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問，RAM 中的數(shù)據(jù)在掉電時會丟失； ROM（Read Only Memory）存儲器又稱只讀存儲器，只能從中讀取信息而不能任意寫信息。ROM 具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：

2020-04-09 08:00:00

內(nèi)存ram容量計算

ram也叫隨機存取記憶體，它就相當于PC機上的移動存儲，主要是用來存儲和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時候都可以進行讀寫，RAM存儲器通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)。但是當電源關閉時ram

2020-05-10 11:00:42

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內(nèi)存讀寫錯誤怎么回事如何解決

內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導體器件制成。內(nèi)存的特點是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。

2020-06-08 15:07:40

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基于浮點系列芯片ADSP2106x中的直接內(nèi)存存取技術研究

直接內(nèi)存存取（DMA）對計算機系統(tǒng)是非常重要的。它可以使CPU在運行指令的同時，系統(tǒng)能實現(xiàn)從外部存儲器或設備中存取數(shù)據(jù)，也可以在CPU不參與的情況下，由專用的DMA設備存取數(shù)據(jù)。

2020-07-10 19:21:00

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靜態(tài)隨機存取存儲器簡介及應用

SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)

2020-07-16 10:44:03

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計算內(nèi)存與非計算內(nèi)存有什么區(qū)別？

通俗的說法：凡是硬盤上有對應的數(shù)據(jù)，占用的內(nèi)存，就是非計算內(nèi)存，非計算內(nèi)存需要被別的進程用到時，其中的數(shù)據(jù)無需page out，因為再次需要讀取的時候從硬盤文件中拿出來即可。凡是硬盤上沒有數(shù)據(jù)

2020-11-04 11:38:51

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一文知道內(nèi)存的技術指標

內(nèi)存條的速度一般用存取一次數(shù)據(jù)的時間（單位一般用ns）來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內(nèi)存速度只能達到70ns～80ns，EDO內(nèi)存速度可達到60ns，而SDRAM內(nèi)存速度則已達到7ns。

2020-11-10 11:07:27

3770

rom是內(nèi)存還是外存

ROM屬于內(nèi)存，rom也稱作只讀存儲器，只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導版體存儲器。ROM和RAM的區(qū)別在于，ROM的特點是一次寫入，反復讀取；RAM的特點是隨機存取的，兩者通常容易被混淆。

2020-11-19 14:26:20

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簡述SCL -CPU內(nèi)存區(qū)域的索引存取

也能夠用一外索引來存取CPU的內(nèi)存區(qū)域。與絕對地址比較，此方式的優(yōu)點是能夠用變量索引動態(tài)尋址。例如，能夠?qū)OR循環(huán)的控制變量用作地址。執(zhí)行索引存取內(nèi)存區(qū)域與絕對方式的做法一樣，僅提供了地址的長處

2021-04-16 10:45:41

1866

單片機內(nèi)存及運行

) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 64KFLASH (rx) : ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 512K}RAM隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)

2021-12-01 16:06:03

STM32 I2C存取實驗資料

2021-12-30 10:36:41

內(nèi)存是怎么讀取數(shù)據(jù)的

你知道內(nèi)存是怎么讀取數(shù)據(jù)的嗎？知道數(shù)據(jù)是怎么一個一個字節(jié)發(fā)送的嗎？

2022-03-30 13:52:23

4486

隨機存取內(nèi)存VDSD1G16xS58xx2V75用戶手冊

VDSD1G16XS58XX2V75是一種高速、高度集成的同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存包含1.073.741.824位，由兩個512位的芯片組成。它特別適合用于高可靠性、高性能和高密度系統(tǒng)應用，如固態(tài)質(zhì)量記錄器、服務器工作站。包裝在58針SOP中。

2022-06-08 11:24:52

SCL-CPU內(nèi)存區(qū)域的索引存取

執(zhí)行索引存取內(nèi)存區(qū)域與絕對方式的做法一樣，僅提供了地址的長處。取代絕對地址，指定的索引能夠是一個常量、一個變量或一個算術表達式。

2022-06-02 16:11:23

1318

內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的應用優(yōu)勢是怎樣的

想了解內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的應用優(yōu)勢，舉個具體的例子來說明應該會更直觀生動。拿運營商來舉例，某家運營商的云能力中心現(xiàn)在用的是基于磁盤架構數(shù)據(jù)庫（如MySQL），但是隨著業(yè)務的不斷發(fā)展，出現(xiàn)了數(shù)據(jù)量大、無索引

2022-06-20 18:13:21

687

SCL:CPU內(nèi)存區(qū)域的絕對存取

絕對標識符指示CPU中的內(nèi)存區(qū)域。通過指定地址標識符(此處為IB)后面跟一個地址(此處為10)來指定內(nèi)存區(qū)域。

2022-08-02 15:36:28

600

內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術的現(xiàn)狀

當時，半導體存儲技術被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器，存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失，也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器，用于存儲運算數(shù)據(jù)，斷電后，數(shù)據(jù)會丟失，也稱內(nèi)存。

2022-10-09 10:09:35

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下一代內(nèi)存技術

　　當我們考慮我們的智能手機和其他計算設備時，內(nèi)存通常不是我們在數(shù)據(jù)表上看到的第一個功能。通常，處理器會成為焦點，但內(nèi)存是設備完成工作能力背后的真正力量。閃存最近主導了內(nèi)存市場，但是，隨著摩爾定律

2022-10-24 10:54:05

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python模塊命名空間及使用事項

python模塊在首次導入時從上到下執(zhí)行模塊內(nèi)容，再次導入直接從內(nèi)存取數(shù)據(jù)，不會再從上到下執(zhí)行。

2023-02-21 14:42:56

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初識內(nèi)存取證-volatility與Easy_dump

Volatility是一款非常強大的內(nèi)存取證工具,它是由來自全世界的數(shù)百位知名安全專家合作開發(fā)的一套工具, 可以用于windows,linux,mac osx,android等系統(tǒng)內(nèi)存取證。

2023-03-01 13:39:59

1720

內(nèi)存和硬盤的區(qū)別與作用

在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設備“。

2023-05-17 15:40:19

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隨機存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。

2023-05-30 15:19:55

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虹科分享 | 關于內(nèi)存取證你應該知道的那些事

什么是內(nèi)存取證？內(nèi)存取證是指在計算機或其他數(shù)字設備運行時，通過對其隨時存儲的內(nèi)存數(shù)據(jù)進行采集、分析和提取，以獲取有關設備狀態(tài)、操作過程和可能存在的安全事件的信息。內(nèi)存取證是數(shù)字取證的一個重要分支

2023-08-01 11:21:51

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內(nèi)存大漲價！DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。

2023-12-05 10:50:40

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jvm管理的內(nèi)存包括哪幾個運行時數(shù)據(jù)內(nèi)存

JVM（Java虛擬機）是Java程序的運行環(huán)境，它提供了內(nèi)存管理機制來管理Java程序所需的運行時數(shù)據(jù)內(nèi)存。這些運行時數(shù)據(jù)內(nèi)存包括堆內(nèi)存、棧內(nèi)存、方法區(qū)（元數(shù)據(jù)區(qū)）、程序計數(shù)器和本地方法棧。下面

2023-12-05 14:09:34

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AI SoC必須考慮的關鍵因素“內(nèi)存架構”

導電橋接隨機存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應用在各類嵌入式市場和獨立存儲器市場。

2023-12-25 15:07:46

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內(nèi)存是怎么存取數(shù)據(jù)的

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