2023年，存儲芯片的跌勢仍在延續，何時止跌還是未知數。

2022年，存儲芯片無疑是半導體下行周期中受影響最嚴重的芯片品類。進入2023年，存儲芯片的下滑趨勢仍在繼續，何時止跌仍是未知數。

從2021年下半年至今，存儲芯片價格下跌的時長已經超過18個月。DRAM和NAND Flash兩大內存芯片價格已經下跌長達20個月之久。盡管各大分析師認為，目前存儲芯片價格已接近底部，跌幅有所收窄，但下行趨勢仍在繼續。

Utmel表示，2023 年 2 月全球智能手機出貨量（批發）和銷售額（零售）分別同比下降 11% 和 5%。作為存儲芯片終端需求的三大驅動力，智能手機市場的低迷無疑讓存儲芯片需求回暖雪上加霜。

當然，存儲芯片也出現在一些細分領域的利好信息中，比如ChatGPT對高帶寬存儲芯片的需求猛增，汽車智能化、高端制造信息化升級也將帶動存儲芯片需求的增長。不過，這些細分需求能否對沖存儲芯片整體下滑的趨勢，目前還是一個未知數。

存儲芯片作為占集成電路第二大比重的產業占據著核心地位，半導體和消費電子產業的景氣度有重要的支撐作用。而2023年的減單、減產、價格暴跌持續影響著存儲芯片行業。

2022年下半年開始，三星、美光科技、西部數據、海力士、鎧甲俠等存儲芯片巨頭紛紛通過減產去庫存應對市場疲軟態勢。2023年一季度，鎧甲俠、美光產線持續承壓，西部數據、SK海力士跟進減產，力圖跨過行業寒冬。

從有分析人士的數據來看，主要廠商的努力對于減緩存儲芯片價格的下滑起到了不小的作用。2022年第四季度全球DRAM和NAND閃存價格下跌約20%-25%，預計2023年第一季度DRAM價格跌幅收窄至13%-18%，NAND閃存價格下跌約 10%-15%。這也使得業內普遍預期行業反彈的時間表越來越近。

由于存儲芯片固有的周期性，作為最主要產品的DRAM和NAND Flash的市場規模也具有明顯的周期性波動，通常遵循3-4年的波動周期。按照這個規律，存儲芯片的最后一個景氣高點是2021年，預計到2023年底恢復增長趨勢。

有業內專家分析，2023年存儲芯片行業走勢有望呈現兩極分化：一方面，低端芯片產品庫存持續高企，價格大幅回落；另一方面，部分高端芯片市場需求日益旺盛，但由于產能回升緩慢等原因，供需矛盾依然突出，甚至面臨“一芯難求”的局面。其中，最具代表性的是高帶寬存儲芯片訂單的大增。

ChatGPT的出現將推動AI在地面的應用，同時也催生了對高性能芯片的需求。受益于 ChatGPT，三星電子和 SK 海力士的 HBM 訂單自 2023 年初以來大幅增加，價格大幅反彈。

ChatGPT發布后迅速在全球引起廣泛關注，各大廠商紛紛公布各自的GPT模型開發計劃。以GPT模型為代表的大模型的訓練和應用帶來了底層算力需求的大幅提升，相應地需要大量的AI芯片為其提供算力支持。訓練AI模型需要大規模的數據集，AI芯片中存儲的數據越多，大型模型的訓練速度越快，訓練精度越高。因此，ChatGPT 的訓練量急劇增加，最底層的基礎設施需要大量的運算芯片和存儲芯片。

HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內存芯片技術，可顯著提高數據處理速度，而 ChatGPT 的發展導致第三代 HBM 報價大幅增加。HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內存芯片，安裝在 GPU、網絡交換設備、AI和高性能服務器中。HBM 可以大幅提升數據處理速度，每瓦帶寬比 HBM 可以大幅提升數據處理速度，每瓦帶寬是 GDDR5 的三倍以上，HBM 比 GDDR5 節省了 94% 的表面積。以HBM為代表的超高帶寬內存技術世代級模型也將加速HBM內存進一步提升容量和帶寬。第三代 HBM 提供了一個巨大的飛躍，

當然，汽車智能化的快速推進和高端制造信息化升級，也將帶動汽車、工業、醫療等行業強勁的市場需求。雖然車載存儲芯片整體市場規模約為手機存儲市場的十分之一，但在智能網聯汽車發展大趨勢下，車載存儲板塊的快速發展有望為存儲行業提供新的增長動力，根據 Utmel 的預測，2021 年至 2027 年的復合年增長率為 18.6%。

此外，5G基站、人工智能、物聯網、數據中心、智能家居、可穿戴設備等新興應用不斷涌現，將對功耗、安全、傳輸速率、體積、成本等提出更高要求。存儲芯片，也將為存儲芯片市場提供重要的驅動力。

編輯：黃飛

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