NAND Flash不能片內執行，但它具有容量大，改寫速度快的優點。且NAND Flash比較廉價，適合用于存放大量數據。但是NAND Flash比較容易出現位反轉問題，在使用中一般需要進行ECC數據校驗。　

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0.由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms.

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NORflash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NANDflash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。NOR的特點是芯片內執行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

　　flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0.由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms.

　　本文以三星公司的K9F1208UOB芯片為例，介紹Nand-flash存儲器芯片的讀寫流程和時序。

　　1 Nand-Flash存儲器的工作原理

　　1.1 Nand-Flash存儲器的組成結構及指令集

　　K9F1208UOB的容量為64Mb，存儲空間按128K個頁（行）、每頁中528個字節（列）的組成方式構成。備用的16列，位于列地址的512-527.K9F1208UOB還將存儲空間分為塊（block），每1塊由32個頁構成。因此K9F1208UOB中一共有4096個塊。這種“塊-頁”結構，恰好能滿足文件系統中劃分簇和扇區的結構要求。K9F1208UOB的內部結構如圖1所示。

　　圖1 K9F1208UOB的內部結構

　　K9F1208UOB的讀和寫都以頁為單位，擦除則以塊為單位進行操作。

　　NANDFlash的數據是以bit的方式保存在memorycell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit.這些cell以8個或者16個為單位，連成bitline，形成所謂的byte（x8）/word（x16），這就是NANDDevice的位寬。這些Line會再組成Page，（NANDFlash有多種結構，我使用的NANDFlash是K9F1208，下面內容針對三星的K9F1208U0M），每頁528Bytes（512byte（MainArea）+16byte（SpareArea）），每32個page形成一個Block（32*528B）。具體一片flash上有多少個Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個block，故總容量為4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用來保存ECC校驗碼等額外數據的，故實際中可使用的為64MB.

　　1.2 Nand-Flash操作

　　1.2.1 頁讀操作

　　在初始上電時，器件進入缺省的“讀方式1模式”。在這一模式下，頁讀操作通過將00h指令寫入指令寄存器，接著寫入3個地址（1個列地址，2個行地址）來啟動。一旦頁讀指令被器件鎖存，下面的頁讀操作就不需要再重復寫入指令了。

　　寫入指令和地址后，處理器可以通過對信號線R/B的分析來判斷該操作是否完成。如果信號為低電平，表示器件正“忙”;為高電平，說明器件內部操作完成，要讀取的數據被送入了數據寄存器。外部控制器可以在以50ns為周期的連續RE脈沖信號的控制下，從I/O口依次讀出數據。連續頁讀操作中，輸出的數據是從指定的列地址開始，直到該頁的最后-個列地址的數據為止。

　　1.2.2 頁寫操作

　　K9F1208UOB的寫入操作也以頁為單位。寫入必須在擦除之后，否則寫入將出錯。

　　頁寫入周期總共包括3個步驟：寫入串行數據輸入指令（80h），然后寫入3個字節的地址信息，最后串行寫入數據。串行寫入的數據最多為528字節，它們首先被寫入器件內的頁寄存器，接著器件進入一個內部寫入過程，將數據從頁寄存器寫入存儲宏單元。

　　串行數據寫入完成后，需要寫入“頁寫入確認”指令10h，這條指令將初始化器件的內部寫入操作。如果單獨寫入10h而沒有前面的步驟，則10h不起作用。10h寫入之后，K9F1208UOB的內部寫控制器將自動執行內部寫入和校驗中必要的算法和時序，這時系統控制器就可以去做別的事了。

　　內部寫入操作開始后，器件自動進入“讀狀態寄存器”模式。在這一模式下，當RE和CE為低電平時，系統可以讀取狀態寄存器。可以通過檢測R/B的輸出，或讀狀態寄存器的狀態位（I/O 6）來判斷內部寫入是否結束。在器件進行內部寫入操作時，只有讀狀態寄存器指令和復位指令會被響應。當頁寫入操作完成，應該檢測寫狀態位（I/O 0）的電平。

　　內部寫校驗只對沒有成功地寫為0的情況進行檢測。指令寄存器始終保持著讀狀態寄存器模式，直到其他有效的指令寫入指令寄存器為止。

　　1.2.3 塊擦除

　　擦除操作是以塊為單位進行的。擦除的啟動指令為60h，塊地址的輸入通過兩個時鐘周期完成。這時只有地址位A14到A24是有效的，A9到A13則被忽略。塊地址載入之后執行擦除確認指令D0h，它用來初始化內部擦除操作。擦除確認命令還用來防止外部干擾產生擦除操作的意外情況。器件檢測到擦除確認命令輸入后，在WE的上升沿啟動內部寫控制器開始執行擦除和擦除校驗。內部擦除操作完成后，檢測寫狀態位（I/O 0），從而了解擦除操作是否有錯誤發生。

　　1.2.4 讀狀態寄存器

　　K9F1208UOB包含一個狀態寄存器，該寄存器反應了寫入或擦除操作是否完成，或寫入和擦除操作是否無錯。寫入70h指令，啟動讀狀態寄存器周期。狀態寄存器的內容將在CE或RE的下降沿處送出至I/O端口。

　　器件一旦接收到讀狀態寄存器的指令，它就將保持狀態寄存器在讀狀態，直到有其他的指令輸入。因此，如果在任意讀操作中采用了狀態寄存器瀆操作，則在連續頁讀的過程中，必須重發00h或50h指令。

　　1.2.5 讀器件ID

　　K9F1208UOB器件具有一個產品鑒定識別碼（ID），系統控制器可以讀出這個ID，從而起到識別器件的作用。讀ID的步驟是：寫入90h指令，然后寫入一個地址00h.在兩個讀周期下，廠商代碼和器件代碼將被連續輸出至I/O口。

　　同樣，一旦進入這種命令模式，器件將保持這種命令狀態，直到接收到其他的指令為止。

　　1.2.6 復位

　　器件提供一個復位（RESET）指令，通過向指令寄存器寫入FFh來完成對器件的復位。當器件處于任意讀模式、寫入或擦除模式的忙狀態時，發送復位指令可以使器件中止當前的操作，正在被修改的存儲器宏單元的內容不再有效，指令寄存器被清零并等待下一條指令的到來。當WP為高時，狀態寄存器被清為C0h.

　　2 系統硬件連線及軟件設計

　　2.1硬件連線

　　K9F1208UOB和S3C2440A的接口電路如圖2所示。

　　圖2 K9F1208UOB與S3C2440A硬件電路

　　2.2 軟件設計

　　步驟1:Nand-Flash初始化

　　利用ADS1.2等工具建立工程文件nandflash_test.mcp，在Nand.c文件中Test_K9S1208子函數實現了主要測試功能。

　　gpacon = rGPACON;

　　rGPACON=（rGPACON &~（0x3f《17））|（0x3f《17）；

　　首先備份rGPACON的內容，再設置GPA17-22的工作方式。然后調用Nand-Flash初始化函數。

　　NF8_Init0;//初始化函數

　　初始化函數的實現源碼如下：

　　rNFCONF=（TACLS《12）|（TWRPH0《8）I（TWRPH1《4）|（0《0）：

　　rNFCONT=（0《13）|（0《12）|（0《10）|（0《9）|（0《8）|（1《6）|（1《5）|（1《4）|（1《1）|（1《0）：

　　步驟2：讀器件ID碼

　　由于S3C2440A中沒有像支持SDRAM 一樣提供直接與Nand-flash存儲器的接口，讀寫的過程要靠軟件編程來完成。初始化Nand-Flash后，就可以對Nand-Flash進行操作了。

　　程序調用NF8_Print_Id（）子函數讀出器件ID碼。

　　id=NF8_CheckId（）； //繼續調用子函數

　　device=（U8）id;

　　maker=（U8）（id》8）：

　　Uart_Printf（“Maker：%x，Device：%x ”，maker，device）；

　　NF8_Print_Id（）源碼如下：

　　NF_CMD（0x90）；//寫入90h指令

　　NF_ADDR（0x0）；//寫入地址00h

　　for（i=0;i《10;i++）；

　　Uart_Printf（“NFSTAT:0x%x ”，rNFSTAT）；

　　id=NF_RDDATA8（）《8;//Maker code 0xec讀出ID值

　　id |=NF_RDDATA8（）；

　　//Devide code（K9S1208V:0x76），（K9K2G16U0M:0xca）

　　步驟3：頁讀寫程序

　　本實驗實現了某頁的寫及讀出驗證功能。Test_NFS_Rw子函數實現這一功能。

　　程序首先初始化要寫入的數據，*dstPt是要讀出驗證的數據，先填0;*srcPt是要寫入的數據，先用隨機數填滿。

　　for（i=0;i《512;i++） *dstPt++=0x0;//填0

　　for（i=0;i《512;i++）{

　　#if ADS10==TRUE

　　if（offset==-1） *srcPt++=rand（）%0xff;//隨機數填滿

　　#else

　　if（offset==-1） srcPt++ =i%0xf;

　　#endif

　　else *srcPt++=i+offset;

　　}

　　寫之前先進行擦除工作：

　　if（NF8_EraseBIock（block）==FAIL） return;

　　然后進行頁寫入操作：

　　if（NF8_WritePage（block，page，srcPt）==FAIL） return;

　　將用隨機數填滿的srcPt指向的數據寫入到指定的頁中。寫入之后再讀出驗證：

　　if（NF8_ReadPage（block，page，dstPt）==FAIL） return;

　　Uart_Printf（“Checking data. ”）；

　　for（error=0，i=0;i《512;i++）{

　　if（*srcPt++！=*dstPt++）{//比較操作

　　Uart_Printf（“Error：%d［W：%x，R：%x］ ”，i，*srcPt，*dstPt）；

　　error++;

　　}

　　}

　　if（error！=0）

　　{Uart_Printf（“Fail to R/W test（%d）。 ”，error）；

　　return（2）；

　　}

　　else

　　{Uart_Printf（“R/W test OK. ”）；

　　return（1）；

　　}

　　其中NF8_ReadPage（block，page，dstPt）將讀出的數據放入dstPt指向的地址空間里。最后將寫入的數據和讀出的數據比較，打印驗證信息。

　　步驟4：編譯工程

　　所有的函數都實現以后，通過ADS1.2進行編澤，生成可執行文件。在工程文件夾“ andflash_testaandflash_test_DatakDebugRel”下，可以看到nandflash_test.bin可執行文件。

　　步驟5：下載程序運行

　　將串口線與硬件開發系統板串口和開發PC機的COM1連接好（主要用于回顯），用USB線和開發PC 機的USB口相連后（主要用于數據的下載），打開DNW 軟件，將串口設置為COM1，比特率設置為115200，USB下載地址設為0x30000000.

　　使用DNW 將前面生成的可執行文件下載到內存中去運行。

　　3 結束語

　　本文主要討論了Nand-flash存儲器芯片的工作原理以及以三星公司基于ARM公司的ARM920T處理器核S3C2440A為平臺舉了一個測試實例，讓讀者對整個存儲系統的軟硬件設計過程有了一個較為全面的了解，便于在其它嵌入式系統設計中運用。