NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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24C02是什么？24C02存儲器有哪些功能呢？24C02存儲器的基本讀寫操作流程是怎樣的？
2022-01-21 07:22:24
概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲空間是如何進行配置的？存儲器的特點是什么？FLASH和OTP存儲器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫，以下為簡要的幾點總結(jié)：一、Flash存儲器結(jié)構(gòu)：XC886共有32KFlash，地址映射如下圖所示：共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
Flash型存儲器SST39SF020的資料下載內(nèi)容主要介紹了：SST39SF020性能特點SST39SF020讀寫操作和特定指令代碼SST39SF020應(yīng)用子程序
2021-04-15 06:33:46
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
與RAM一樣讀寫操作簡便，又有數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失的優(yōu)點，因而使用極為方便。現(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。 隨機存儲器（RAM）： 這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數(shù)據(jù)，還能
2017-12-21 17:10:53
與RAM一樣讀寫操作簡便，又有數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失的優(yōu)點，因而使用極為方便。現(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。 隨機存儲器（RAM）： 這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數(shù)據(jù)，還能隨時
2017-10-24 14:31:49
的存儲器的位置。存儲器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH，RAM，外設(shè)，BOOTBLOCK等進行統(tǒng)一編址。即用地址來表示對象。這個地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
AT24C02存儲器讀寫測試程序
2020-12-15 06:02:54
匯編語言程序目錄一、CPU對存儲器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲器看作一個邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機為例一、CPU對存儲器的讀寫CPU想要進行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
存儲器，顧名思義就是用來存放東西的地方，那么對于一款 MCU 而言，在性能描述的時候，我們都會說 SRAM，Flash 的容量大小有多少。對于初學(xué)者來說，可能不會去理會這些東西，拿到東西就只
2019-09-20 09:05:07
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊上的存儲器映像時，系統(tǒng)存儲器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32F系列單片機內(nèi)部含有較大容量的FLASH存儲器
2021-08-05 07:43:37
2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點來看，頁面有點像通用FLASH的扇區(qū)。STM32產(chǎn)品的分類STM32根據(jù)FLASH主存儲塊容量、頁面的不同，系統(tǒng)存儲器的不同，分為小容量、中容量
2013-10-07 15:55:30
狀態(tài)取反寫入存儲器。如果讀出狀態(tài)不在車庫內(nèi)，則產(chǎn)生刷進脈沖，在車庫內(nèi)刷出。大致思路是這樣，用74LS123進行延時，延時信號觸發(fā)存儲器的讀寫端，數(shù)據(jù)通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
。RM0008文檔中可以看出，STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核，因此，有必要了解Cortex-M3的存儲器結(jié)構(gòu)。圖中還可以看出，Cortex-M3是通過各個總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
的。還可以在運行過程中對flash進行讀寫操作。區(qū)域 名稱 塊地址 大小 主存儲器 頁 0 0x0800 0000 - 0x0800 07FF 2 Kbytes...
2021-08-05 07:23:19
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
。 2、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）。 4、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
的可編程只讀存儲器。它里面的內(nèi)容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象“消字靈”，能把字去掉，然后再重寫。當(dāng)然消的次數(shù)多了，也就不靈光了，所以這種芯片
2021-11-24 09:13:46
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
存儲器讀寫實驗：對RAM的30H、31H單元分別賦值BCD碼75H、35H，試將兩個數(shù)相加，其BCD的差送32H單元。（說明）：因為MCS-51的十進制調(diào)整指令不適合減法，因此可以把減法變成加法
2021-12-02 06:11:58
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大小：Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
擴展存儲器讀寫實驗的目的是什么？怎樣去設(shè)計一種擴展存儲器讀寫的電路？擴展存儲器讀寫實驗的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
。使用的開發(fā)板是STM32f10x系列，Flash芯片是W25Q64。二、簡介Flash是屬于非易失性存儲器，又稱為閃存，和EEPROM一樣都是掉電后數(shù)據(jù)不會丟失的存儲器。不過，Flash和EEPROM
2021-12-10 06:59:43
設(shè)計中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點和難點。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的接口電路的調(diào)試。1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項特性1.1 Flash存儲器接口電路的特點Flash存儲器是一種可在
2019-06-10 05:00:01
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
了解，則在使用時就可根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點合理使用存儲單元以延長其讀寫壽命。３．１ 存儲器的結(jié)構(gòu)與讀寫壽命ＦＲＡＭ可提供比其它非易失性存儲器高得多的寫持久性，然而在一定程度上，存儲器訪問次數(shù)的增加會造成ＦＲＡＭ
2019-04-28 09:57:17
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
開關(guān)電路，搭建存儲器編程開發(fā)環(huán)境，讀寫國產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國產(chǎn)的存儲器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
用SPI接口擴展外部Flash存儲器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI（Serial Peripheral Interface）功能實現(xiàn)對具有SPI接口的Flash存儲設(shè)備進行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
3.1 紅外脈寬存儲及FLASH的讀寫 根據(jù)STM32型號的不同，FLASH容量由16K到1024K不等。FLASH模塊主要由三部分組成：主存儲器、信息塊、閃存存儲器接口寄存器。模塊組織見
2022-01-26 07:52:03
深入分析STM32單片機的RAM和FLASH學(xué)習(xí)2019-9-272642閱讀97點贊8評論最近在一個問答社區(qū)回答了一個問題，關(guān)于單片機存儲器的，于是有了想專門寫一篇關(guān)于單片機存儲器的想法。作為
2022-01-26 08:09:05
這是一款很經(jīng)典的存儲器讀寫器圖紙，大家可以手工做一下。此讀寫器驅(qū)動下載地址：讀寫器驅(qū)動.rar
2021-05-25 08:03:50
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設(shè)備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網(wǎng) 摘要:鐵電存儲器(FRAM)以其非揮發(fā)性,讀寫速度塊, 擦寫次數(shù)多,和低功耗等特點被廣泛應(yīng)用
2014-04-25 11:05:59
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫
2022-01-26 06:05:59
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
MD25Q32CSIG FLASH芯片代燒錄 GD存儲器ICGD
品牌：GD兆易創(chuàng)新
類型:存儲器
存儲容量：32M
產(chǎn)品說明：用于閃存 可代燒錄
2021-12-06 10:45:05
從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲器的結(jié)構(gòu)可以知道，C8051F02x 的Flash 存儲器中，不僅具有64KB 的Flash 存儲器（其地址為0x0000~0xFFFF，該存儲器可以用來存儲程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)），還有一
2009-04-15 10:50:33
124 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-04-16 09:52:5111 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-05-15 14:20:5321 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來訪問和管理Flash 存儲器，這種方式不能滿足實時寫入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過接管系統(tǒng)時鐘中斷來控制Flash Memory 讀寫操作和基于管理區(qū)
2009-09-22 11:36:1229 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 本文主要介紹了鐵電存儲器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲器不僅克服了EEPROM和Flash存儲器寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護功能，1MB
2010-12-03 16:29:3355 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
USB接口的彩電存儲器讀寫器讀寫軟件
2011-03-19 11:00:111613 很多嵌入式芯片都集成了多種存儲器（RAM、ROM、Flash、），這些存儲器的介質(zhì)、工藝、容量、價格、讀寫速度和讀寫方式都各不相同，嵌入式系統(tǒng)設(shè)計需根據(jù)應(yīng)用需求巧妙地規(guī)劃和利用
2011-11-24 11:43:45101 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計實例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:190 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-09-13 17:23:280 FLASH存儲器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776 
flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 一款簡單的存儲器讀寫儀制作
2018-01-29 13:45:517 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。
2018-09-19 08:32:087682 FLASH存儲器（FLASH Memory）是非易失存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:002748 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 隨著當(dāng)前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:296064 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 介紹了 Flash 存儲器的特性和應(yīng)用場合 ，在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ，以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ，并以 W29C040為例 ，給出了實際原理圖和有關(guān)實現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 擴展存儲器讀寫實驗一.實驗要求編制簡單程序，對實驗板上提供的外部存貯器（62256）進行讀寫操作。二.實驗?zāi)康?．學(xué)習(xí)片外存儲器擴展方法。2．學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存儲器不同的讀寫方法。三.實驗電路及連線
2021-11-23 09:51:0119 。使用的開發(fā)板是STM32f10x系列，Flash芯片是W25Q64。二、簡介Flash是屬于非易失性存儲器，又稱為閃存，和EEPROM一樣都是掉電后數(shù)據(jù)不會丟失的存儲器。不過，Flash和EEPROM
2021-11-26 19:21:1222 5?、Flash?存儲器（Flash）? 5.1?簡介? Flash?存儲器連接在?AHB?總線上，由?Flash?控制器統(tǒng)一管理，可對存儲器執(zhí)行取指、讀取、編程和擦除操作，并具有安全訪問機制和讀寫
2023-02-13 09:23:53760 
Flash存儲器，又叫做閃存，是一種非易失性存儲器。具有操作方便讀寫速度快等優(yōu)點。一般用于存儲操作系統(tǒng)和程序代碼，或者用于數(shù)據(jù)存儲。
2023-06-02 17:40:373886 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282620 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446
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