其中，得益于市場對超級結MOSFET（“金氧半場效晶體管”）和IGBT（“絕緣柵雙極型晶體管”）的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super JunctionMOSFET（“SJNFET”）以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持快速增長趨勢。

功率半導體器件在移動通訊、消費電子、開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車、智能電網等領域發揮著越來越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關鍵核心器件。華虹半導體擁有十五年的功率器件穩定量產經驗，是全球首家、同時亦是最大的功率器件200mm晶圓代工廠。憑籍持續的研發和創新，公司以極具競爭力的功率半導體技術，為客戶提供從低壓到高壓的完整解決方案，同時不斷向更高端、更廣闊應用的高密度大功率器件方向深耕，延續其“全球功率器件領導者”的戰略布局。

目前，公司已推出第三代SJNFET工藝平臺，技術參數達業界一流水平，可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。公司的場截止型IGBT技術參數可比肩國際領先企業，并具有出色的背面晶圓加工能力，是中國大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠商。

華虹半導體執行副總裁范恒先生表示：“功率MOSFET累計出貨量突破500萬片是華虹半導體的一個重要里程碑，越來越多的功率系統設計人員將目光投向我們，尋求綠色能源、快速充電、工業應用等方面領先的電源管理芯片代工方案。以綠色創‘芯’為主軸，我們還將重點關注整個新能源汽車的產業鏈，包括充電樁、電池保護、馬達驅動等應用。此外，我們正在加速研發應用于高端工業和能源領域的超高壓IGBT技術，相信會進一步鞏固公司在功率器件領域的領先地位。”