作為SDRAM家族的新一代內存產品,DDR3提供了相較DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM的后繼者,也是現時受各大公司歡迎的內存產品規格。
DDR3產品最大的特性就在于功耗小且效率高,這讓它迅速獲得前代DDR的市場。究其高效率的關鍵,在于DDR3采用了相較于DDR2的1.8V更低的工作電壓:1.35V。那么,如何才能夠得到穩定高效的供電電壓?如何又能夠簡單而有效地控制電壓?
為此,MPS重點推薦能夠完美解決這一系列問題的高集成度芯片---NB685。
規格:3mm*3mm
如此小巧的身軀,又是如何能夠承擔起如此艱巨的任務呢?
NB685簡約而不簡單,只需要簡單而又不占太大空間的外部電路,即可有效地控制供電電壓,使其能夠為諸如DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4等內存供電。并且輸出電壓可調節,只要微調外部電路即可。
當然,NB685在出色完成基本任務的同時,本著精益求精的原則,始終走在同行業的前列,擁有諸如以下優勢:
1 強大的負載能力
能夠承受12A的持續輸出電流,以及13A的瞬時輸出電流;1%的VTTREF輸出電壓精度;
2 極大地消除工作噪聲
NB685擁有USM MODE(超音頻模式),即使在低負載工作也不會造成聲音污染;
3 超低的靜態電流(135uA)
使芯片在待機過程中不產生過多的能源損耗,極大的提高了工作效率;
即使是低負載工作狀態,也能夠維持在60%以上的效率!
正常工作效率最高能夠達到90%以上!
4 采用COT控制原理
完美平衡了高頻狀態下的穩定性與動態響應性能之間的矛盾關系;
5 周全的保護電路
諸如過流保護、過溫保護、高低壓保護之類的芯片保護設計,極大程度地降低了芯片在惡劣環境或者突發事故中的損壞率,更好的為芯片保駕護航。
輸出短路測試
即使在輸出短路下,芯片的電流一直能夠控制在13A左右而不損壞芯片!
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