Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。

重點是針對具有0.13微米和更小設計規(guī)則的器件的低k和銅處理。具有低k常數(shù)（通常小于3.0）的介電材料的出現(xiàn)對于制造具有小于0.15微米的幾何形狀的芯片是至關重要的。一個重要的挑戰(zhàn)是在有機基介電材料上剝離光刻膠。這些抗蝕劑對于使用先進的光刻系統(tǒng)進一步設計縮小也是至關重要和潛在的障礙（參見3月在線雜志的報道）。

Mattson自1998年以來一直與IMEC合作推進用于加工設備的干剝離技術具有0.18至0.13的設計規(guī)則。該研究正在Mattson的雙室Aspen Strip系統(tǒng)上進行，該系統(tǒng)安裝在IMEC位于魯汶的研究機構。

IMEC干蝕刻開發(fā)經理Serge Vanhaelemeersh解釋說，使用Aspen Strip的決定是由于該系統(tǒng)獨特的電感耦合等離子體（ICP）源技術和IMEC之前使用該系統(tǒng)的經驗。 “新的低k和銅材料的挑戰(zhàn)需要一種新的，更先進的清潔方法，”Vanhaelemeersh說。

“我們之前使用ICP技術進行抗蝕劑和聚合物去除開發(fā)的高劑量注入，多晶硅和帶狀應用的0.18至0.13微米設計規(guī)則使得Aspen Strip成為這一先進條帶項目的合理選擇。 “

根據(jù)Mattson Technology首席執(zhí)行官Brad Mattson的說法，聯(lián)合開發(fā)項目提供了一個很好的機會來幫助推進半導體行業(yè)的技術發(fā)展，同時保持公司在抗蝕劑剝離技術領域的領先地位。 “技術收益，甚至增量，都是非常昂貴的。在資格和評估階段，通常會產生最大的費用，因為它們需要使用制造環(huán)境，”Mattson說。 “這個項目將使Mattson與IMEC合作，利用IMEC的晶圓生產線來幫助快速驗證新工藝，并將帶鋼創(chuàng)新更快地推向市場。”

根據(jù)最近的Dataquest報告，Mattson Technology是干的根據(jù)1999年的系統(tǒng)銷售情況，剝離市場的領導者.Mattson的6300萬美元帶鋼收入占市場份額的27.8％，比最接近的供應商高出近5％。