據中新網8月3日報道， 國家存儲器基地項目（一期）二階段工程項目中低壓配電系統已經受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產指日可待。

據了解，長江存儲科技有限責任公司是國家存儲器基地項目的實施主體。根據武漢市此前公布的2019年第一季度政府工作報告執行情況顯示，武漢東湖新技術開發區在存儲器基地方面取得了重大進展，長江存儲器基地一期已實現量產，一季度產能達到5000片/月，辦公人數已達3000人。同時國家先進存儲產業創新中心也已完成法人主體注冊。

2019年7月3日，湖北省委副書記、省長王曉東在調研國家存儲器基地時指出，要優化環境、全力支持，更大力度爭取國家支持并落實支持政策，完善服務機制，當好項目“秘書”，解決實際難題，全力保障國家存儲器基地建設，為加快“一芯兩帶三區”區域和產業發展布局提供重要支撐。

據了解，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其它若干配套建筑。

根據此前的資料顯示，長江存儲今年底前將正式量產64層3D NAND產品，明年將直攻128層以縮減與其他供應商的差距。

國家存儲器基地的建立，以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，標志著芯片自主創新之路邁出可靠而重要的一步。