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華虹無錫項目一期12英寸生產線已正式建成投片

半導體動態 ? 來源:wv ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-09-17 14:10 ? 次閱讀

9月17日,華虹無錫項目再次迎來重大進展,集成電路研發和制造基地(一期)12英寸生產線正式建成投片,隨著首批12英寸硅片進入工藝機臺,開始55納米芯片產品制造,這標志著項目將由工程建設期正式邁入生產運營期。

根據無錫日報此前報道,該項目是無錫市“十三五”重大產業項目之一,也是無錫有史以來單體投資最大的產業項目。2017年8月2日,華虹集團與無錫市政府簽署戰略合作協議,總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發和制造基地項目正式落戶無錫高新區。

根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線,支持5G物聯網等新興領域的應用。

華虹集團董事長張素心表示,無錫項目發揚了華虹520精神,以華虹“全集團統籌資源、大兵團作戰部署”的戰略為依托,經過17個月的緊張奮戰,再次刷新華虹速度。

從2018年4月3日樁基工程啟動以來,該項目進展迅速,主要工程節點較計劃大幅提前;設備安裝和工藝調試速度刷新紀錄;生產線全自動化系統快速建立;成套技術成功轉移;并行推進工藝研發、市場銷售、人力資源準備等工作,確保了該生產線工藝串線的成功。

2018年6月25日,樁基工程完成,開始大底板澆筑;2018年8月12日,生產廠房鋼架屋桁架吊裝完成;2018年12月21日,廠房機構封頂;2019年5月24日,首臺工藝設備搬入;2019年6月6日,光刻設備搬入;2019年9月17日,項目正式啟用量產。

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