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SiC的市場格局及其帶來的工程挑戰

荷葉塘 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:程文智 ? 2019-10-16 10:02 ? 次閱讀
碳化硅(SiC)是近五年以來備受關注的第三代半導體,SiC功率器件的研發從1970年代就開始了,到了1980年代,SiC晶體質量和制造工藝獲得了大幅改進,90年代末,除了美國之外,歐洲和日本也開始投入資源進行研發。此后,行業開始加速發展。
到2001年英飛凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二極管(SiC SBD),接著科銳(Cree)在2002年推出了600V~1200V(20A)的SiC肖特基二極管,主要用在開關電源控制和和電機控制中,隨后ST、羅姆、飛兆和東芝等都紛紛推出了相應的產品。而SiC晶體管(SiC JFET)和SiC MOSFET則分別在2006年和2011年才面世。

圖1:SiC功率器件發展歷程。(資料來源:Yole,電子發燒友)
最近幾年,由于MOSFET技術開始被市場所接受,包括心理門檻和技術門檻,SiC市場開始了較快地增長。根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年,SiC的市場規模將達19.3億美元。

SiC玩家有哪些?

集成電路的制造類似,SiC器件的生產也有IDM和Fabless模式兩種。目前主要以IDM模式為主。SiC產業鏈包括上游的襯底和外延環節、中游的器件和模塊環節,以及下游的應用環節。因此,SiC產業鏈內的玩家其實有不少,其中份額最大的當屬美國的Cree,根據Yole最新的報告,它占了整個SiC功率器件市場的62%,它具有多年的SiC襯底生產經驗,它旗下的Wolfspeed也是一家射頻和功率器件公司擁有垂直一體化的生產能力。

圖2:SiC電力電子器件產業鏈企業。(來源:長江證券)
在襯底方面,國內的天科合達歷史最為悠久,其產品已經在市場上賣了十幾年了;第二家是山東天岳,其技術源于山東大學。此外,河北同光、世紀金光、中科節能和Norstel也有相關技術。
在器件和模塊方面,目前技術最強的還是羅姆、英飛凌和Wolfspeed等國外廠商。國內的廠商技術與他們相比差距還比較大,國內主要還是做SiC肖特基二極管為主。不過好消息是,差距在縮小,也內人士認為,差距的原因主要是國內起步比較晚,研發也就做了十年左右,而國外企業的研發至少已經做了25年了。SiC技術,尤其是SiC二極管技術,不是特別復雜,只要企業愿意去做,沉下心去做,幾年后基本就可以做穩定了,但SiC MOSFET的技術要更難,要追上來需要更長的時間。像現在的泰科天潤的SiC二極管產品已經在國內賣了很多年了,也獲得了行業的一些認可。
在代工廠方面,目前SiC產業內還沒有真正的代工廠,據說也沒有有產線的企業愿意給別人代工。所以國內的SiC Fabless企業一般都是要去找***的代工廠商,比如漢磊科技。國內的基本半導體就是一家Fabless的SiC企業。
這幾年,國內有不少企業新進入了SiC領域,其實要想在SiC領域活下來,也不容易。首先要有足夠的資金投入,因為它是一個高投入的行業,據業內人士透露,不說其他投資,就一個SiC制造廠的水電費,一個月也得200多萬,因此,沒有足夠的資金支持是很難堅持下去的;其次是上下游的支持情況,上游能否拿到好材料,器件在下游能否賣出去,開始可能需要自己投資,對市場有一定的掌控力。三是技術團隊很重要。
當然,國內的SiC企業有一個最大的問題,那就是上游材料不能把控,存在進不到貨的問題。現在高端的襯底和外延片基本都是需要進口的。但如果上游國內自主襯底和單晶廠商能取得突破,相信過幾年情況就能好轉了。

SiC帶來的工程挑戰

我們都知道SiC的好處是具有更低的阻抗、更高的運行頻率和更高的工作溫度。比如SiC的開關頻率一般為10KHz~10MHz,且還在發展中;其理論耐溫超過了400℃,即使受目前封裝材料所限,也能很容易做到225℃。
當然,更高的耐高溫有好處,比如無需水冷,可以把設備的尺寸做得更少。但它的這些特性其實也會帶來一些其他的工程挑戰。比如當SiC器件工作在225℃時,其他周邊器件該如何處置,要都用能耐這么高溫的器件,那成本又是一個大問題。
來自CISSOID的首席應用工程師Abel Cao曾總結了SiC功率器件的應用給工程設計帶來的挑戰。在他看來主要有五大挑戰。
一是結構設計和導熱設計。傳統工藝主要采用DCB導熱襯底、Die組合、引線鍵合、模塑填料或者灌封的方式進行結構設計,這些多數為單面散熱,雙面的效能有限;Die的空間位置,決定了散熱差異和寄生電容差異。這些都不適合SiC器件的結構和散熱設計了,SiC的高溫,需要新封裝材料和工藝。
二是雜散電感和分布電容。按照目前的拓撲結構,分支太多,寄生電感太大,各個支路寄生電感不一致,熱不平衡。

三是全程模擬仿真
四是可靠性設計和壽命規劃。這包括在目標環境溫度下,要求的壽命期限;高溫壽命模型;以及如何驗證的問題,因為目前民用好像還沒有175℃的試驗標準。
五是系統設計的演進能力。這包括新品的持續演進和產品概念的持續演進。

結語

SiC功率器件隨著技術的進步和市場接受度的提高,開始進入了快速成長期,這期間肯定會有不少新的進入者參與到這個市場當中,也會出現一些新的應用,希望這些新的進入者能夠耐得住寂寞,能夠給整個產業鏈賦能,共同將這個產業做大,做好。
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