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三星啟動中國西安新閃存工廠 并將開始量產閃存晶圓

半導體動態 ? 來源:Kevin ? 作者:Kevin ? 2020-03-25 11:43 ? 次閱讀

盡管新冠疫情仍存在影響,三星 (Samsung) 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠,開始量產閃存晶圓。

據外媒Blocks & Files消息,新工廠將用于生產三星第五代3D V-NAND,該閃存采用了90+層堆疊及256Gb容量的裸片 (die) 。產能方面,三星將初始目標定在每月20,000片晶圓,之后將會提高至每月65,000片。按每片晶圓約700顆裸片估算,約等于45,500,000顆芯片。《西安日報》也報道該工廠已做好量產準備,計劃于8月份開足馬力生產。

此外,三星計劃在六月推出第六代V-NAND產品,仍將使用256Gb容量的裸片但堆疊層數提升至100+層。再往后的第七代產品,將會采用200+層堆疊的512Gb容量裸片。

三星將在韓國平澤 (Pyeongtaek) 和華城 (Hwaseong) 工廠量產V-NAND。三星也表示,平澤廠將會在不久后調整為第六代V-NAND產線。

此外,三星還計劃在西安繼續投資80億美元用于擴產,期望將產能翻倍,提升至130,000片晶圓,具體的時間細節暫未透露。
責任編輯:wv

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