內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機已搭載美光的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片,從而為用戶帶來完整的 5G 體驗。美光與摩托羅拉緊密協(xié)作,依托高帶寬的內(nèi)存及頂級處理性能,使 edge+ 手機能充分利用 5G 網(wǎng)絡(luò)的速度。
motorola edge+ 搭載了業(yè)界領(lǐng)先的美光12GB LPDDR5 DRAM 內(nèi)存,為用戶帶來流暢、無延遲的體驗。得益于5G所具備的更快傳輸速度和更低延遲等特性,該款手機為包括網(wǎng)絡(luò)游戲和娛樂直播在內(nèi)的云應(yīng)用帶來性能提升。
美光移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示:“美光與摩托羅拉基于該款智能旗艦手機的合作體現(xiàn)出移動設(shè)備制造商極其重視下一代存儲解決方案,以期為用戶帶來更高性能和更豐富的體驗。美光攜LPDDR5助力5G智能旗艦手機設(shè)計,其背后凸顯了手機產(chǎn)業(yè)鏈里的通力協(xié)作。”
美光低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片
美光和摩托羅拉共同實現(xiàn)下一代智能手機的諸多功能
無論是拍照、游戲、直播還是瀏覽網(wǎng)頁,旗艦智能手機都需要表現(xiàn)出頂級的性能,不能有一絲延遲。motorola edge+ 所搭載的美光 LPDDR5 內(nèi)存為用戶實現(xiàn)了更多功能:
專業(yè)攝影效果:motorola edge+ 擁有當(dāng)下智能手機領(lǐng)域頂尖的專業(yè)相機系統(tǒng)。從 1.08億像素Quad Pixel主攝像頭(智能手機上迄今為止的最高分辨率)和高分辨率光學(xué)變焦,再到業(yè)界領(lǐng)先的視頻防抖功能,該款手機能為用戶捕獲心儀的瞬間。美光 LPDDR5 內(nèi)存的強大性能提升了手機的圖像處理能力,從而帶來無縫、無延遲的用戶體驗。
強化游戲體驗:摩托羅拉今年在幾款智能手機上新推出了一項名為 Moto GameTime 的游戲功能。該項功能自動阻止干擾因素,并使用戶能開啟增強游戲體驗的程序和工具。美光 LPDDR5 內(nèi)存擁有更高帶寬和更低功耗,讓用戶暢享優(yōu)化的游戲體驗。
沉浸式娛樂:憑借美光 LPDDR5 內(nèi)存,摩托羅拉旗艦手機能讓用戶完全沉浸在自己鐘愛的電影、電視節(jié)目和游戲之中。 6.7 英寸“無盡邊緣”曲面顯示屏左右兩側(cè)包裹手機近 90 度,可提供令人嘆為觀止的視覺場景,并擴大了觀看面積,從而提供更好的移動娛樂體驗。除了出色的視覺娛樂效果,motorola edge+ 還擁有高品質(zhì)音效。強大的立體聲雙揚聲器,即使在更高音量下,也可帶來更深沉的低音和清晰的音效。
摩托羅拉高端及旗艦產(chǎn)品部門負責(zé)人 Jeff Snow 表示:“消費者一直在尋求速度更快、效率更高、性能更強大的智能手機,我們與美光協(xié)作推出了能夠滿足所有這些需求的設(shè)備。motorola edge+搭載美光LPDDR5內(nèi)存,為我們帶來了身臨其境的顯示效果、清晰的音頻和專業(yè)級的圖像處理性能,由此創(chuàng)造出獨特的全方位消費者體驗。”
美光 LPDDR5 DRAM 內(nèi)存為移動行業(yè)而生 – 但又不僅于此
美光 LPDDR5 DRAM 內(nèi)存能滿足多個行業(yè)對內(nèi)存更高性能和更低功耗日益增長的需求,這不僅僅局限于移動行業(yè),還包括汽車、個人電腦以及為 5G 和 AI 應(yīng)用打造的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。美光 LPDDR5 DRAM 內(nèi)存具備以下功能和優(yōu)勢:
帶寬提高 50% 以上,從而提升了下一代旗艦智能手機的性能(如 5G 和 AI 層面);
與 LPDDR4 相比,能效提升超過 20%,從而使智能旗艦手機的續(xù)航能力得以增強。隨著中高端智能手機不斷增加更多高級功能,手機對電池更長續(xù)航時間的需求不斷提高;
美光擁有先進的 1y 納米制程,支持12GB容量,加上 6.4Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸速度,由此全面提升DRAM 設(shè)計,從而確保了motorola edge+ 智能手機支持全新特色功能。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
51170瀏覽量
427215 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2325瀏覽量
183865 -
DDR5
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
430瀏覽量
24207
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別
DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調(diào)
DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)
SK海力士DDR5芯片價格或?qū)⒋蠓蠞q
INA199如何解讀和利用電流感應(yīng)放大器的輸出擺幅規(guī)格,以便我能夠充分利用電流測量結(jié)果?
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線
![<b class='flag-5'>DDR5</b>內(nèi)存條上的時鐘走線](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FC/D5/wKgZomaWQpaAYIrMAABOMHbqw70542.png)
請問mx880 5G數(shù)據(jù)終端可以設(shè)置優(yōu)先5G網(wǎng)絡(luò)嗎?
美光科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
美光率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
![<b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b>率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E3/4B/wKgZomY8Z7-AWPaXAAB18D3VjHc539.jpg)
談?wù)?b class='flag-5'>DDR5技術(shù)規(guī)格的那些事
![談?wù)?b class='flag-5'>DDR5</b>技術(shù)規(guī)格的那些事](https://file.elecfans.com/web2/M00/6D/35/poYBAGM1MoCAWOOXAAAqWi8Xt8w214.png)
DDR5測試技術(shù)更新漫談
![<b class='flag-5'>DDR5</b>測試技術(shù)更新漫談](https://file1.elecfans.com//web2/M00/C6/81/wKgZomYKK8CAWNOQAACQvAtE8F875.webp)
DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢?
![<b class='flag-5'>DDR5</b>內(nèi)存接口<b class='flag-5'>芯片</b>組如何<b class='flag-5'>利用</b><b class='flag-5'>DDR5</b> for DIMM的優(yōu)勢?](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C4/AA/wKgZomX2TPaAVvEGAAAgz1O032Y488.png)
評論