美光量產并出貨1αnm DRAM內存芯片 功耗可降低15％
美光今天宣布，已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
不同于CPU、GPU等新品，DRAM內存、NAND閃存的工藝節點都不使用明確的數字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進，或者說1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。
美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內存芯片，尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓功耗降低15％，能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續航更持久。
DDR4、LPDDR4甚至是未來的DDR5，同樣都能使用這種新工藝，并支持智能手機、筆記本、臺式機、服務器、嵌入式等各種應用設備。
美光臺灣晶圓廠已經開始量產并出貨1αnm DRAM內存芯片，首批是DDR4內存條，隸屬于Crucial英睿達品牌，還在試產和評估LPDDR4，后續會用于更多內存類型。
編輯：hfy
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2325瀏覽量
183865 -
美光
+關注
關注
5文章
716瀏覽量
51490 -
DDR4
+關注
關注
12文章
322瀏覽量
40955
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲
據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c
美光加入16-Hi HBM3E內存競爭
近日，全球DRAM內存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內存市場。目前，
美光科技計劃大規模擴大DRAM產能
據業內消息，美光科技預計今年將繼續積極擴大其DRAM產能，與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼，美光近期將具體落實對現有
美光將在西安工廠率先啟動LPCAMM和MRDIMM內存模組量產
據最新韓媒報道，全球領先的半導體存儲解決方案供應商美光科技已決定在中國西安的工廠率先啟動LPCAMM（低功耗客戶異步內存模組）和MRDIMM（多排名直接
美光已在廣島Fab15工廠利用EUV試產1γ DRAM
在存儲芯片領域，技術的每一次革新都牽動著行業的脈搏。近日，存儲芯片大廠美光科技在公布其2024財年第三財季財報的同時，也宣布了一個令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab
美光日本廣島DRAM新廠預計2027年量產
全球知名的DRAM大廠美光，早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據悉，美光計劃斥資6,000至8,000億日元，在廣島興建一座全新
美光科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠
近日，美光科技宣布，將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產工廠，預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估在6000億至8000億日元之間，體現了
美光將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠，2027年底或將竣工
美光近期發布公告，將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠，以引入頂尖EUV設備，預計最早于2027年末實現先進DRAM
SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是，目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM
美光率先出貨用于AI數據中心的關鍵內存產品
美光科技近日在業界取得重大突破，成功驗證并率先推出了一款針對AI數據中心的關鍵內存產品。這款新產品基于大容量32Gb單塊DRAM芯片，構建成
美光科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內存
2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布在業界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM
美光率先出貨用于 AI 數據中心的關鍵內存產品
美光再創行業里程碑，率先驗證并出貨 128GB DDR5 32Gb 服務器 DRAM，滿足內存密集型生成式 AI 應用對速率和容量的嚴苛要求
發表于 05-09 14:05
?248次閱讀
美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著
美光計劃部署納米印刷技術，降低DRAM芯片生產成本
3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。
工商網監
評論