2019年中國集成電路行業(yè)，僅前五個月股權(quán)投資事件已達(dá)120起，超過2018年同期一倍以上。

近年來，中國集成電路行業(yè)備受關(guān)注，該行業(yè)的VC/PE投資也隨之升溫。2018年，中國集成電路VC/PE投資總額已超越美國。2019年這種趨勢更為明顯，僅前五個月股權(quán)投資事件已達(dá)120起，超過2018年同期一倍以上。

中國集成電路VC/PE投資在2001年也曾超過美國，彼時的投資主要受中芯國際這一單筆大額投資事件驅(qū)動。相比之下，2018年中國集成電路VC/PE投資顯得更加遍地開花。

總體而言，全球集成電路股權(quán)投資受行業(yè)自身的技術(shù)迭代、宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境等因素的影響，呈現(xiàn)與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度相關(guān)的周期性。半導(dǎo)體行業(yè)的外在驅(qū)動力依次經(jīng)歷了1998年-2000年手機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)崛起，2002年-2004年個人電腦普及，以及近年的智能手機(jī)、汽車電子、比特幣礦機(jī)和服務(wù)器等需求的演進(jìn)。

但總體來講，晶圓產(chǎn)能是這一歷史時間驅(qū)動周期改變最核心的因素。

投資標(biāo)的的演進(jìn)

過去三年是中國集成電路行業(yè)VC/PE投資爆發(fā)的年份，這三年發(fā)生的投資總額幾乎占?xì)v年投資總額的一半。其中，三成VC/PE投資集中在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，這與集成電路行業(yè)愈發(fā)分化的垂直分工模式關(guān)系密切。

將相對輕資產(chǎn)的設(shè)計(jì)和重資產(chǎn)的制造及封測分離有利于各個環(huán)節(jié)集中研發(fā)投入，加速技術(shù)發(fā)展，提升了整個產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作效率，給新玩家一個進(jìn)入行業(yè)的切入點(diǎn)。以Fabless（沒有制造業(yè)，專注設(shè)計(jì)）模式經(jīng)營的IC（芯片）設(shè)計(jì)公司資產(chǎn)較輕，初始投資規(guī)模小，創(chuàng)業(yè)難度相對較小，運(yùn)營風(fēng)險較低，投資盈利回報(bào)率要勝過IDM。

后摩爾時代，集成電路結(jié)構(gòu)愈加復(fù)雜，設(shè)計(jì)制造投資不斷提高。單顆IC產(chǎn)品僅設(shè)計(jì)費(fèi)用就由32nm的5000萬-9000萬美元，升至22nm的1.2億-5億美元。相應(yīng)的，IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的VC/PE單筆投資，千萬級別至數(shù)億的投資案例比例逐漸提高。

近五年，進(jìn)入壁壘較高的IC制造環(huán)節(jié)也得到更多VC/PE機(jī)構(gòu)關(guān)注，投資案例有近十倍的增長。投資主要集中在具有一定研發(fā)實(shí)力的成長期IC制造企業(yè)，以及人工智能芯片（如FPGA/A－SIC）領(lǐng)域的創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目。

IC設(shè)計(jì)企業(yè)主要集中在北京；全國大部分的芯片制造企業(yè)分布在上海、江蘇在內(nèi)的長江三角洲地區(qū)；珠江三角洲則在芯片封裝測試和半導(dǎo)體/其他半導(dǎo)體領(lǐng)域占有較高份額。

2018年，全球范圍內(nèi)的集成電路企業(yè)也通過大量圍繞5G、物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的并購，進(jìn)行戰(zhàn)略布局。半導(dǎo)體材料、傳感器、被動元件是業(yè)內(nèi)并購的重要標(biāo)的。

新一代化合物半導(dǎo)體材料

在2018年的并購事件中，圍繞化合物半導(dǎo)體的案例層出不窮。

華燦光電16.5億元收購美新半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)上市公司由LED業(yè)務(wù)向化合物半導(dǎo)體的延伸；科瑞以27億人民幣收購英飛凌射頻功率業(yè)務(wù)，拓展電動汽車、自動駕駛、可再生能源領(lǐng)域。在金額上，影響力最大的還屬聞泰科技斥資269億元收購安世半導(dǎo)體事件，聞泰科技宣稱計(jì)劃憑借后者出色的氮化鎵生產(chǎn)能力，打造萬物互聯(lián)時代的系統(tǒng)解決方案。

隨著集成電路制程的演進(jìn)和技術(shù)的革新，摩爾定律接近極限，因而在傳統(tǒng)的技術(shù)手段之外，行業(yè)發(fā)展出更多的新型技術(shù)以適應(yīng)愈發(fā)膨脹的性能需求。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其特殊的寬禁帶結(jié)構(gòu)造成的擊穿電壓高等特性而被視為新一代的半導(dǎo)體材料，在通訊、軍事、汽車電子和人工智能等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用空間。

新一代化合物半導(dǎo)體材料巨額且密集的并購和快速發(fā)展的市場，背后的驅(qū)動力量是5G時代的提速和汽車電子等領(lǐng)域的發(fā)展。

當(dāng)前砷化鎵（GaAs）是制造小型基站射頻功率放大器（PA）和射頻開關(guān)的主要材料，預(yù)計(jì)5G基站建設(shè)將會成為砷化鎵市場的主要驅(qū)動力。加之5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸距離較短。由于毫米波對于功率的要求非常高，而氮化鎵具有體積小功率大的特性，被證實(shí)在基站PA制造中是比砷化鎵更加高效節(jié)能的材料，是目前最適合5G時代的PA材料。

在汽車電子方面，電動車市場將是碳化硅器件成長的主要驅(qū)動力。根據(jù)YoleDevelopment預(yù)測，未來幾年新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動、鐵路對碳化硅器件市場增長影響較大，其中增量價值最高的為新能源汽車，包括汽車本身以及由此帶動的各類基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

盡管氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體是更適應(yīng)未來需求的選擇。但由于二者材料成本昂貴，而且碳化硅晶圓生長中易出現(xiàn)材料的晶格錯位，導(dǎo)致器件的可靠性下降，目前仍然處在發(fā)展的初期階段。

傳感器

物聯(lián)網(wǎng)也稱傳感網(wǎng)，是指通過信息傳感設(shè)備將任何物品與互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)系起來，實(shí)現(xiàn)智能化識別、定位、跟蹤、監(jiān)控和管理的一種網(wǎng)絡(luò)，由此可見新型傳感器在物聯(lián)網(wǎng)時代的重要性。

2018年業(yè)內(nèi)有近十起與傳感器相關(guān)的并購案例。其中，不乏并購金額數(shù)百億的大額項(xiàng)目，如韋爾股份發(fā)行約4.43億股股份（折合150億元）收購北京豪威96.08%股權(quán)，思比科42.27%股權(quán)以及視信源 79.93%股權(quán)。瑞薩以約410億元收購IDT，以拓展汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。從物聯(lián)網(wǎng)布局來看，并購意圖主要集中在MEMS傳感器和CIS（CMOS圖像傳感器）兩個細(xì)分領(lǐng)域。

MEMS指的是以集成電路制造技術(shù)和微加工技術(shù)，將傳感器、執(zhí)行器以及周邊信號處理電路制造在一塊或者多塊芯片上的微型集成系統(tǒng)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級。

與傳統(tǒng)傳感器相比，MEMS主要有微型化、重量輕、能耗輕、可以批量生產(chǎn)的特點(diǎn)，因而可以契合AR/VR、可穿戴設(shè)備、汽車電子、智能醫(yī)療等應(yīng)用，被認(rèn)為是未來構(gòu)筑物聯(lián)網(wǎng)傳感層的主要選擇之一。

被動元件

不同于化合物半導(dǎo)體和傳感器直接應(yīng)用于5G或物聯(lián)網(wǎng)，被動元件領(lǐng)域受到關(guān)注則是受益于科技新應(yīng)用引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局的調(diào)整而帶來的供求變化。

電路器件可以分為主動器件（有源器件）和被動器件（無源器件）。一般來說，主動器件是智能的、需要電源的、可以控制電流電壓或在電路中創(chuàng)造轉(zhuǎn)換的動作的元件，如二極管、芯片、晶振、傳感器等。而被動器件則是非智能的、無源的、不實(shí)施控制不要求任何輸入器件就可以完成自身功能，如電阻、電容、電感和連接器等。

隨著科技產(chǎn)品的新形態(tài)應(yīng)用層面延伸，被動元件的市場需求大增，加上供給結(jié)構(gòu)調(diào)整以及上游廠商理性擴(kuò)產(chǎn)，被動元件一反過去供過于求的情況。自2017年，被動元件開始進(jìn)入持續(xù)缺貨漲價階段，其中以積層陶瓷電容（ML－CC）、晶片電阻（RC）和鋁制電解電容最為明顯。

在此背景下，部分企業(yè)通過收購被動原價廠商，以追趕當(dāng)前非均衡狀態(tài)下的超額收益，將被動元件納入經(jīng)營范圍以提高產(chǎn)品毛利率。代表并購事件有英唐智控收購首科電子、吉利通和前海首科等。但是，被動元件總體技術(shù)附加值偏低，對于股權(quán)投資機(jī)構(gòu)的投資吸引力有限。
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