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集微網消息，9月18日，有投資者在互動平臺提問：目前公司14納米已經量產，N+1 代芯片進入客戶導入階段，可望于 2021年進入量產，以上新聞報道的信息是否屬實？對此，中芯國際表示，公司第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產；第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段，可望于2020年底小批量試產。

據集微網2月報道，在中芯國際2019第四季度財報會議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代“N+1”工藝的詳細數據。

梁孟松博士透露，中芯國際的下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。所以在功率和穩定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區別在于性能方面，N+1工藝的提升較小，市場基準的性能提升應該是35%。所以，中芯國際的N+1工藝是面向低功耗應用領域的。

據了解，2019年第四季度，中芯國際的14nm首次貢獻營收。趙海軍博士則表示，來自14nm的營收將在今年繼續穩步上升，14nm產能也將隨著中芯南方12英寸廠的產能爬坡而增長。14nm的應用領域包括高端消費電子、高性能計算、媒體應用、人工智能和汽車電子等領域。

原文標題：中芯國際：第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段，年底有望小批量試產

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責任編輯：haq