ANYLAYER(任意階)技術
近些年來,為了滿足一些高端消費類電子產品小型化的需要,芯片的集成度越來越高,BGA管腳間距越來越近(小于等于0.4pitch),PCB的布局也越來緊湊,走線密度也越來越大,為了提高設計的布通率且不影響信號完整性等性能,ANYLAYER(任意階)技術應用而生,這個就是任意過孔技術(ALIVH-Any Layer IVH Structure Multilayer Printed Wiring Board)。
任意層過孔技術特點
任意層過孔技術與HDI技術的特征比較,ALIVH的最大優勢就是設計自由度大大增加,可以在層間隨意打孔,而HDI工藝不能做到這點。一般國內廠商做到最復雜的結構也就是HDI的設計極限為三階HDI板,由于HDI不是完全采用激光鉆孔,在內層的埋孔采用的是機械孔,所以孔盤的要求比激光孔大很多,而機械孔要占用所經過的層面上空間。所以一般來說HDI這種結構比起ALIVH技術的任意打孔,內層核板的孔徑也可用0.2mm的微孔還是有很大差距的。所以ALIVH板的走線空間比HDI大概有很大的提高。同時,ALIVH的成本和加工難度也比HDI工藝要高。如圖三所示,是一個ALIVH的示意圖。
圖三 ALIVH的示意圖
任意層過孔的設計挑戰
任意層過孔技術完全顛覆了傳統過孔設計方法。如果還是需要設置不同層的過孔,會增加管理難度。需要設計工具具備智能化打孔的能力,同時能隨意的進行組合和拆分。
Cadence在傳統的基于換線層的布線方式上,增加了基于Working Layer的換線方式,如圖四所示:可以在Working Layer面板中勾選可以進行環線的層,然后在雙擊打孔的時候,就可以選擇任意層之間進行換線。
圖四 基于Working Layer的布線方式
ALIVH設計制板實例:
10層ELIC設計
OMAP? 4 Platform
圖五 ALIVH設計制板案例
埋阻、埋容和埋入式元器件
對高速訪問互聯網和社交網絡要求手持設備高集成和小型化。目前靠最先進的4-N-4的HDI技術。但為了下一代新技術,實現更高的互連密度,在這個領域,埋入無源甚至于有源的零件進入PCB和基板中可滿足以上要求。當你設計手機,數碼相機等消費類電子產品,考慮如何將無源和有源的零件埋入PCB和基板是當前設計的最好選擇。這種方法可能因為你采用不同的供應商略有不同。埋入零件的另外一個好處,該技術提供對知識產權保護,防止所謂的逆向設計。Allegro PCB Editor可以提供最好的工業級解決方案。Allegro PCB Editor還可以同HDI板,柔板和埋入式零件更加緊密的合作。你可以得到正確的參數和約束對完成埋入式零件的設計。埋入器件的設計不僅可以簡化后面SMT的工藝,同時對產品表明的整潔度都有很大的提高。
埋阻、埋容設計
埋阻又稱埋電阻或者薄膜電阻,是將特殊的電阻材料壓合在絕緣基材上,然后通過印刷,蝕刻等工藝,得到所需電阻值,然后與其他PCB板層一起壓合,形成平面電阻層。常見的有PTFE埋電阻多層印制板制造技術,可以達到所需的電阻精度。
埋電容則是利用具有較高電容密度的材料,同時減少層間的距離,來形成一個足夠大的平板間電容,來起到電源供電系統的去耦和濾波作用,從而減少板子上所需的分立電容,并且能達到更好的高頻濾波特性。埋容由于其寄生電感非常小,其諧振頻率點會比普通電容或者低ESL電容效果都好。
由于工藝和技術的成熟,以及高速設計對于電源供電系統的需要,埋容的技術應用越來越多,使用埋容技術,我們首先得計算平板電容的大小,公式如下:
C =
圖六 平板電容計算公式
其中:
C是埋容(平板電容)的電容量
A是平板的面積,大部分設計在結構確定的情況下,平板間面積很難增大
D_k是平板間介質的介電常數,平板間電容量和介電常數成正比
K是真空介電常數(Vacuum permittivity),又稱真空電容率,是一個物理常數,值為8.854 187 818× 10-12法拉/米(F/m);
H是平面之間的厚度,平板間電容量和厚度成反比,所以我們想要得到較大的電容量,需要減小層間厚度,3M的C-ply埋容材料可以做到0.56mil的層間介質厚度,加上16的介電常數,大大增加了平板間電容量。
經過計算,3M的C-ply埋容材料,在每平方英寸的面積上,能實現6.42nF的平板間電容量。
同時,還需要使用PI仿真工具進行PDN目標阻抗的仿真,從而確定單板的電容設計方案,避免埋容和分立電容的冗余設計。圖七是一個埋容設計的PI仿真結果,只考慮板間電容的效果,沒有加入分立電容的效應。能看到只是增加埋容,整個電源阻抗曲線性能得到很大提升,尤其是500MHZ以上,是板級分立濾波電容很難起作用的頻段,平板電容能有效降低電源阻抗。
圖七 埋容對于PI的效果
埋容設計案例:
28層板,4層埋容設計
圖八 埋容設計案例
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