三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足
據報道，盡管存儲行業受疫情影響小于其他行業，但消費產品仍受到負面影響，外界對前景產生擔憂。
而三星正利用這一時期擴大領先優勢，三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
一位投資經理表示，明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足，從而導致價格和利潤回升。三星在這方面顯示出非常有吸引力的風險回報。
他進一步表示，三星正在與零部件供應商進行討論，確保在下訂單之前解決任何潛在問題。
三星在京畿道平澤工廠將在處理新增產能方面發揮核心作用。在最近公布的三季度業績電話會議上，三星表示隨著存儲芯片庫存水平的合理調整，公司收到了更多服務器芯片訂單，預計將出現轉機。
NH Investment分析師Do Hyun-woo表示，三星將積極生產NAND閃存芯片，而在DRAM方面保持保守離場。考慮到代工芯片的短缺，三星明年將向平澤和美國奧斯汀的工廠投資至少10萬億韓元。
三星對NAND閃存芯片業務的需求之所以上升，是因為目前的DRAM技術能否在小于1nm的產品中維持存儲能力越來越令人質疑。雖然NAND芯片在10-20nm的層面上很快將面臨挑戰，但三星相信隨著EUV技術推進制造工藝，NAND芯片在密度和成本改善方面處于優勢地位。
責任編輯:tzh
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51170瀏覽量
427261 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15875瀏覽量
181331 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4973瀏覽量
128315
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子否認1b DRAM重新設計報道
據報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出，
三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似，顯示出
三星電子削減NAND閃存產量
價格將出現暴跌。在這樣的市場環境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產力。 據報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應規模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環境，
三星MLC NAND閃存或面臨停產傳聞
的廣泛關注。 然而，三星電子并未對這一傳聞進行正面回應，反而強調市場傳言不實，并表示未來將持續生產MLC NAND閃存。盡管如此，多家供應鏈業者仍指出，三星在年底進行的人事大改組后，產
MLC NAND產能或遭削減？三星否認停產傳聞
停產該產品。 然而，三星對此傳聞表示否認，并強調市場傳言不實，稱公司未來將持續生產MLC NAND。盡管如此，供應鏈業者仍指出，隨著三星年底的人事大改組，產線規劃可能會有所調整。 ML
用AIC3254做20段均衡，資源嚴重不足怎么解決？
請問，我用AIC3254做20段均衡，資源嚴重不足。這個怎么辦才好。3254貌似只能夠做雙通道的15段，我想做的是獨立通道均衡，比如，我有兩個通道輸入，每一個通道都想做一個15段均衡獨立調節，而
發表于 11-04 06:26
三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資
據韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線，并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要
今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%；傳蘋果將大砍一半產線員工
1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ，現已通報客戶 ? 6月26日，多家媒體報道稱，三星計劃于第三季度把動態隨
發表于 06-27 11:02
?486次閱讀
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日，據韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前，該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應對這一局面，三星
三星、SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態度
在DRAM和NAND芯片的生產上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能，進而推
任天堂Switch 2將大幅依靠三星供應鏈
據悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術以及
三星大幅削減NAND產量至50%以下，市場供應或將受影響
該報告援引“業內人士”的話說，三星從去年年底開始縮減NAND產能，現在才開始向下游市場滲透。三星也不回避自己的戰略，一位發言人表示:“我們減少NAND產能的態度沒有改變。
發表于 04-02 11:32
?651次閱讀
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就
工商網監
評論