文件: Nd-YAG laser, passively Q-switched .fpw
該模型與以上范例相似,但采用Cr:YAG晶體用于被動調(diào)Q。可僅采用單光纖作為有源模型,可認為是包括Nd3+和Cr4+離子的單光纖,研究整個諧振長度內(nèi)的傳輸。這說明,無需采用通常的能級結(jié)構(gòu),而是用戶對雙離子的自定義方式。每一個離子具有兩個相關(guān)的電子能級。(可忽略高能級,壽命短的能級。)
圖形如下:
圖1為在一定時間段內(nèi),模擬泵浦相位的變化。傳輸持續(xù)不斷的進行,直至諧振腔往返增益為正。
圖2為脈沖輻射之前,釹離子激發(fā)的橫向分布。
圖3模擬了脈沖的產(chǎn)生過程。在此,整個動態(tài)模擬需考慮傳輸時間。該運行較慢,需持續(xù)一段時間。因此,動態(tài)模擬也需持續(xù)幾秒鐘。在對數(shù)坐標軸上模擬輸出功率的變化。
圖4為小段時間范圍內(nèi)輸出功率的變化。
圖5為脈沖產(chǎn)生后,Nd3+和Cr4+離子激發(fā)的橫向分布。
圖6為脈沖重復率、能量、脈寬與泵浦功率的函數(shù)關(guān)系。可見,高泵浦功率僅增加脈沖重復頻率,但不改變脈沖固有參量。
審核編輯:符乾江
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