衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Si825xx隔離柵極驅動器支持使用碳化硅等新興技術

Silicon Labs ? 來源:SiliconLabs ? 作者:SiliconLabs ? 2020-12-29 10:32 ? 次閱讀

Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)近期更加完善隔離柵極驅動器產品陣容。新產品新型Si823Hx/825xx系列結合了更快更安全的開關、低延遲和高噪聲抑制等能力,可更靠近功率晶體管放置,實現緊湊的印制電路板(PCB)設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術。

Silicon Labs 的Si825xx系列產品為強健的柵極驅動器,適用于 SMPS逆變器等基于硅、氮化鎵或碳化硅的電源轉換器系統。該系列擁有支持高達 20 V 的高電壓輸入(邏輯端)VDD 電源引腳等升級功能。其具有強健的30 V 驅動器 VDD 能力、實現更緊的回路控制的低延遲、125 kV/μs 的高共模瞬變抗擾度 (CMTI),輸出引腳 -5 V 耐受電壓和過溫保護。這些產品還具有驅動器升壓階段,可在密勒平穩區域提供更高的電流驅動能力,以實現更快的接通時間。

基于 Silicon Labs 專有 CMOS 電容隔離技術,這些產品在強大的隔離額定值方面具有卓越的性能,以驅動先進的 Gan 或 Sic FET 來實現最大程度的系統效率提升,同時借助欠壓鎖定保護和停滯時間可編程性等功能確保安全。

Si825xx隔離柵極驅動器特色規格·采用一個封裝的 HS/LS 隔離驅動器 ·5.0kVRMS 隔離 ·異步關閉選項所需的 DIS 或 EN 引腳 ·4.5V - 20.0 V 的輸入 VDD ·4.0A 對稱灌電流/拉電流峰值輸出 ·30ns 的最大傳輸延遲 ·瞬態抗擾度:>125 kV/μs ·強勁的 30 V 驅動器側供應 ·過溫保護 Si8252x隔離柵極驅動器評估套件設計者可利用該評估板評估 Silicon Labs的 Si8252x 系列高性能驅動器。該板填充有Si82520BD-IS3。板上設有測試端子,可快速評估設備的關鍵參數,以便直接連接至設計者的終端系統。

責任編輯:xj

原文標題:【優品推薦】Si825xx 隔離柵極驅動器大幅提高電源轉換器系統能效

文章出處:【微信公眾號:SiliconLabs】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關注

    關注

    184

    文章

    17841

    瀏覽量

    251827
  • 轉換器
    +關注

    關注

    27

    文章

    8745

    瀏覽量

    148061
  • 驅動器
    +關注

    關注

    53

    文章

    8272

    瀏覽量

    147075
  • 隔離柵
    +關注

    關注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    10053

原文標題:【優品推薦】Si825xx 隔離柵極驅動器大幅提高電源轉換器系統能效

文章出處:【微信號:SiliconLabs,微信公眾號:Silicon Labs】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發表于 02-05 13:49 ?82次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術</b>介紹

    意法半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅動器概述

    意法半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈
    的頭像 發表于 01-09 14:48 ?265次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    隔離驅動BTD25350xx產品特性專門用于驅動SiC MOSFET的門極驅動芯片原方帶使能禁用腳DIS,死區時間設置腳DT副方
    發表于 01-04 12:30

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

    在高效電能轉換應用領域具有不可替代的優勢,正逐漸成為功率半導體領域的主流選擇。碳化硅器件的技術挑戰盡管SiC器件性能優越,但其單晶和外延材料價格較高,工藝不成熟,
    的頭像 發表于 12-06 17:25 ?561次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>柵極</b>氧化層缺陷的檢測<b class='flag-5'>技術</b>

    隔離柵極驅動器隔離能力評估

    隔離式 (GI) 柵極驅動器在優化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色,特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的
    的頭像 發表于 11-11 17:16 ?476次閱讀
    電<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>的<b class='flag-5'>隔離</b>能力評估

    隔離柵極驅動器選型指南

    隔離式(GI)柵極驅動器在優化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色,特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深,S
    的頭像 發表于 11-11 17:12 ?499次閱讀

    WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰

    碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極
    發表于 09-27 15:05 ?837次閱讀
    WBG 器件給<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>電源帶來的挑戰

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優點,使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本文將探討
    的頭像 發表于 09-13 11:00 ?727次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應用

    碳化硅功率器件有哪些優勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的飽
    的頭像 發表于 09-11 10:25 ?712次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件有哪些優勢

    碳化硅柵極驅動器的選擇標準

    利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時,系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 IGBT 相比,SiC
    的頭像 發表于 08-20 16:19 ?481次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>的選擇標準

    碳化硅功率器件的優勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電
    的頭像 發表于 08-07 16:22 ?693次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發基于各種半導體器件的功率模塊,如雙極結晶體管(BJT)、結型場效
    的頭像 發表于 05-30 11:23 ?915次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率器件的開關性能比較

    碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅動器研究

    對象,利用雙脈沖實驗驗證了所設計驅動電路的合理性及短路保護電路的可靠性,對于800 A的短路電流,可以在1.640 μs內實現快速短路保護。 (碳化硅功率模塊(SiC MODULE)大電流下的驅動器
    發表于 05-14 09:57

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK
    發表于 03-08 08:37
    榆中县| 百家乐官网视频二人雀神| 百家乐官网软件骗人吗| 赌片百家乐官网的玩法技巧和规则 | 玩百家乐犯法| 威尼斯人娱乐网站安全吗| 金木棉赌场| 百家乐官网tt赌场娱乐网规则| 在线百家乐博彩网| bet365在线体育| 网络百家乐官网棋牌| 百家乐澳门路规则| 德州扑克顺子| 百家乐官网信息| 娱百家乐下载| 湟源县| 视频百家乐官网平台| 全讯网999| 博九百家乐官网娱乐城| 百家乐长龙有几个| 博彩旅游业| 鼎龙百家乐官网的玩法技巧和规则| 百利宫百家乐的玩法技巧和规则| 六盘水市| 百家乐总厂在哪里| 斗地主棋牌游戏| 现场百家乐官网能赢吗| 百家乐大路小路三珠路| 门头沟区| 百家乐投注哪个信誉好| 电玩百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网如何视频| 百家乐官网波音平台开户导航 | 现金棋牌网站| 百家乐官网谁能看准牌| 百家乐娱乐城体验金| 百家乐官网网络赌博真假| 伟易博百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网澳门百家乐官网| 百家乐服务区| 百家乐官网巴黎|