中芯國際在7nm制程工藝上取得突破
IP和定制芯片企業(yè)芯動科技完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。這也意味著中芯國際在7nm制程工藝上取得突破。
觀察者網援引中科院半導體所專業(yè)人士介紹，成功“流片”指在實驗室得到性能達到指標的器件，而要實現(xiàn)真正量產，還需要在器件可靠性、退化機制等方面得到大量的數(shù)據支持和反復檢驗。
手機中國獲悉，中芯國際FinFET N+1先進工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm制程工藝非常相似，且不需要光刻機。該工藝和中芯國際現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。不過其性能提升依然不夠，因此主要面向低功耗應用領域。
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