衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

NVDIMM-P非易失內存標準正式公布

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2021-02-19 10:18 ? 次閱讀

我們知道,傳統的DDR DIMM內存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持數據,一旦斷電就都沒了。

Intel創造了Optane傲騰持久內存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但僅用于數據中心,和普通用戶無關。

NVDIMM-P非易失內存標準正式公布

現在,JEDEC固態技術標準協會發布了DDR4 NVDIMM-P非易失內存標準規范,序列編號JESD304-4.01,也可以在斷電后不丟失數據,而且完全兼容DDR4內存標準。

根據規范,這種新內存兼容普通的DIMM內存標準、固件,可以最大程度減少對于現有設備、平臺的更改,同時為新內存提供了低延遲接口,提高了易用性,未來也會兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能:

- 持久性:操作系統能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內存。

- 虛擬化的內存:在DDR通道啟用盡可能多的內存容量。

- 大容量:支持擴展的內存尋址功能。

- 支持即插即用:在電腦開機時可以直接插入標準的雙列內存插槽,并立刻與同一總線上的DDR內存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征:

- 與現有DDR通道完全兼容,包括物理接口、電氣性能、協議、時鐘

- 保證為下一代CPU插槽增加的針腳盡可能少。

- 協議支持數據讀取時的不確定延遲。

- 確保數據在非易失內存中的事務性操作。

- 從NAND到DRAM多種延遲模式的支持(在模塊級別)。

- 內存本身具備高可靠性、鏈路錯誤保護功能。

事實上,NVDIMM是一個系列標準,除了這里說的NVDIMM-P,還有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本質上就是DDR接口的SSD固態盤,只使用NAND閃存,優點是延遲低(納秒級別)、帶寬高(DDR4可超過200GT/s),不怕斷電,也不需要外接供電,但性能和DRAM仍然遠不是一個級別。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM,在內存條上集成NAND閃存,外接電源供電,斷電時將數據轉移保存到NAND閃存中,重新來電后恢復到DRAM,但閃存只是個備份,正常工作時閑置無法使用。

有消息稱,紫光集團旗下西安紫光國芯也成功研發出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P則是以上二者的結合,三星主導DDR4版本,美光主導DDR5版本。

NVDIMM-H正在研發,美國Netlist公司主導,類似NVDIMM-N,也是DRAM、NAND混合體,但硬件結構差異較大。
責編AJX

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 數據
    +關注

    關注

    8

    文章

    7145

    瀏覽量

    89582
  • 內存
    +關注

    關注

    8

    文章

    3055

    瀏覽量

    74333
  • DDR4
    +關注

    關注

    12

    文章

    322

    瀏覽量

    40961
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的性閃存ZB25VQ32DS

    在此次更新中,恒爍半導體(Zbit)推出的性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發的AP8000萬用燒錄器,支持包括一拖一及一拖八配置
    的頭像 發表于 01-17 09:30 ?65次閱讀
    昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>性閃存ZB25VQ32DS

    內存和微處理器的互聯演變

    設計中,內存要求很簡單,由用于操作的SRAM和滿足性存儲要求的EPROM組成。在20世紀80年代初,內存和微處理器之間的關系變得顯而易
    的頭像 發表于 12-24 13:45 ?375次閱讀

    TPL1401數字電位器性和性的區別是什么?

    數字電位器存儲類型標注具有“性”,他的意思是不是說,假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置,那么斷電再上電后,電位器就回到初始狀態位置,不再是3.5kΩ這個位置了。“
    發表于 11-21 07:15

    新思科技助力優化MRAM與RRAM的開發流程

    嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在內存領域(即用于持久性或長期數據存儲)多年來占據著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28n
    的頭像 發表于 11-18 09:29 ?411次閱讀

    CDCM6208掉電會遺失設置嗎?里面有沒有存儲器?

    這個芯片編程設置好以后,掉電會遺失設置嗎?里面有沒有存儲器?
    發表于 11-12 07:16

    什么是RAM內存 RAM內存對電腦性能的影響

    什么是RAM內存? RAM(Random Access Memory,隨機存取存儲器)是電腦中的一種性存儲器,它用于存儲電腦運行時的數據和程序。與硬盤等非易失性存儲器不同,RAM在斷電后會丟失
    的頭像 發表于 11-11 09:38 ?3244次閱讀

    邏輯內存和物理內存的區別

    Access Memory),是計算機硬件的一部分,用于存儲計算機當前正在使用的數據和程序。物理內存是計算機中的一種性存儲器,這意味著一旦斷電,存儲在物理內存中的數據就會丟失。
    的頭像 發表于 09-27 15:38 ?938次閱讀

    內存儲器和外存儲器有什么區別

    內存儲器和外存儲器作為計算機系統中不可或缺的兩大部分,它們在速度、容量、性、功能以及應用場景等方面存在顯著差異。以下將詳細介紹這兩者之間的區別。
    的頭像 發表于 08-22 14:57 ?8255次閱讀

    Jtti:新加坡云服務器運行內存和存儲內存有何區別?

    。它是一種性存儲,意味著在斷電后存儲的數據會丟失。 存儲內存:用于持久化存儲數據,如操作系統、應用程序、數據庫和用戶數據。它是一種
    的頭像 發表于 06-25 14:26 ?556次閱讀

    中芯國際獲性存儲裝置及其制作方法專利

    該專利涉及一種新型性存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區與器件區的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧
    的頭像 發表于 05-06 10:33 ?419次閱讀
    中芯國際獲<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>性存儲裝置及其制作方法專利

    韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備

    DRAM是最常用的存儲器之一,速度非常快,但具有性特性,當電源關閉時,數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備,讀/寫速度相對較慢,但它具有
    發表于 04-08 11:07 ?376次閱讀
    韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備

    昂科燒錄器支持XinCun芯存科技的串行外設接口NAND閃存 XCSP4AAPK-IT

    。 XCSP4AAPK-IT是4G位SPI(串行外設接口)NAND閃存,具有先進的寫保護機制。XCSP4AAPK-IT支持標準的串行外設接口,雙/四輸入/輸出選項。XCSP4AAPK-IT是大型
    的頭像 發表于 03-26 18:16 ?571次閱讀
    昂科燒錄器支持XinCun芯存科技的串行外設接口NAND閃存 XCSP4AAPK-IT

    昂科燒錄器支持GOWIN高云半導體的性FPGA GW2AN-UV9XUG256

    芯片燒錄行業領導者-昂科技術近日發布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表,其中GOWIN高云半導體的性FPGA GW2AN-UV9XUG256已經被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
    的頭像 發表于 03-19 18:35 ?539次閱讀
    昂科燒錄器支持GOWIN高云半導體的<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>性FPGA GW2AN-UV9XUG256

    Linux內核內存管理之內核連續物理內存分配

    我們已經知道,最好將虛擬地址映射到連續頁幀,從而更好地利用緩存并實現更低的平均內存訪問時間。然而,如果對內存區域的請求并不頻繁,那么考慮基于通過連續線性地址訪問連續頁幀的分配方案是有意義的。該模式
    的頭像 發表于 02-23 09:44 ?1079次閱讀
    Linux內核<b class='flag-5'>內存</b>管理之內核<b class='flag-5'>非</b>連續物理<b class='flag-5'>內存</b>分配

    FRAM內存耐久度的優勢分析

    FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態保持能力,或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的性部分的能力。
    發表于 02-19 10:21 ?588次閱讀
    FRAM<b class='flag-5'>內存</b>耐久度的優勢分析
    百家乐官网双面数字筹码怎么出千 | 百家乐的弱点| 百家乐官网平台哪个有在线支付呢| 红宝石百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐官网官网网站| 大发888娱乐城备用网址| 百家乐规则澳门| 泰来县| 十三张百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网玩法教程| 金利娱乐城代理| 百家乐换人| 百家乐官网英皇娱乐场| 大发888游戏平台 46| 海立方百家乐赢钱| 太阳城百家乐官网坡解| 大发888娱乐城出纳| 百家乐取胜秘笈| 百家乐官网去哪里玩最好| 大发888通宝| 高级百家乐出千工具| 广州百家乐官网赌场| bet365备用网| 百家乐技巧打| 西游记百家乐官网娱乐城| 百家乐官网美女真人| 大发888 登陆不上| 永利高百家乐进不去| 蒙城县| 大发888站群| 百家乐首选| 24山分金吉凶断| 百家乐官网视频官方下载| 真钱的棋牌游戏| 百家乐网上真钱娱乐场开户注册 | 娱乐城百家乐论坛| 百家乐官网大西洋| 喀喇沁旗| 德州扑克明星| 百家乐园云鼎赌场娱乐网规则| 百家乐怎么开户|