說起內(nèi)存條,我們腦海里會(huì)自然的想到金士頓、威剛、海盜船等國際大牌,其實(shí)在國內(nèi)同樣存在一些有實(shí)力的本土存儲(chǔ)企業(yè),只不過在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域中并沒有上述品牌那般知名,其中最具代表的便是深圳著名移動(dòng)存儲(chǔ)品牌朗科。
要知道界第一款閃存盤發(fā)明者便是朗科,同時(shí)朗科也是政府機(jī)構(gòu)指定的移動(dòng)存儲(chǔ)品牌供應(yīng)商,所以朗科的實(shí)力毋庸置疑。而我個(gè)人早期也買過不少朗科的U盤產(chǎn)品,可以說算是老相識(shí)。聽說最近朗科開始進(jìn)軍內(nèi)存條領(lǐng)域,所以迫不及待的入了一條來和大家一起體驗(yàn)下,看看具體表現(xiàn)。
開箱曬物:經(jīng)典無馬甲設(shè)計(jì)
朗科此次一共推出了兩個(gè)版本內(nèi)存條,分別是臺(tái)式機(jī)版本與筆記本版本,考慮到我個(gè)人使用臺(tái)式機(jī)較多,所以選用的依舊是臺(tái)式機(jī)版本。
朗科DDR4內(nèi)存條整體包裝具有濃濃的科技感,正面除了印刷有對(duì)應(yīng)的品牌Logo和產(chǎn)品名外,在左側(cè)還有一個(gè)可視窗,可以直觀的看到朗科內(nèi)存上粘貼的產(chǎn)品標(biāo)簽。
包裝背面是產(chǎn)品的一些基礎(chǔ)參數(shù),這里有兩點(diǎn)信息值得一說。首先是朗科為該款內(nèi)存提供了終身質(zhì)保,解決了用戶的售后擔(dān)憂;其次這款內(nèi)存條同樣屬于朗科的超光系列,而我手上的這條只是單DDR4-2666MHz 8GB內(nèi)存,其實(shí)朗科還提供了3000MHz和3200MHz兩種頻率版本供大家選擇。
朗科DDR4 2666內(nèi)存并沒有采用馬甲包裹,可以說是典型的無馬甲內(nèi)存外觀,采用的是8層黑色PCB板。
臺(tái)式機(jī)版本的朗科DDR4 2666內(nèi)存規(guī)格為1R*8,單面8顆粒設(shè)計(jì),單顆顆粒為1G容量,工作電壓為1.2V,頻率為2666MHz,時(shí)序?yàn)镃19-19-19-43。
細(xì)看內(nèi)存條上的顆粒,可以看到是由朗科自身封裝的顆粒,型號(hào)是NKD4CB61GB-2103。
整個(gè)背面比較干凈,板材下的線路清晰可見,整體美觀度較好,同時(shí)黑色的PCB板也能更好的融入主板環(huán)境。
軟件信息識(shí)別:時(shí)序C19-19-19-43
通過軟件Thaiphoon Burner查看朗科DDR4 2666內(nèi)存的SPD信息,可以看到Thaiphoon Burner識(shí)別出朗科DDR4 2666內(nèi)存顆粒為長鑫顆粒,型號(hào)為CXDQ3A8AM,作為一顆完全國產(chǎn)顆粒,這點(diǎn)首先是值得肯定和高興的,同時(shí)長鑫顆粒具有較高的超頻潛力,這就為喜歡通過超頻壓榨內(nèi)存性能的小伙伴提供了更多的可玩空間。不過稍顯遺憾的是朗科并沒有為這條內(nèi)存提供XMP,默認(rèn)為2666MHz,時(shí)序?yàn)镃19-19-19-43。
CPU-Z的SPD選項(xiàng)頁,同樣識(shí)別出為長鑫顆粒,頻率2666MHz,電壓是1.2V。
雙通道兼容性測試
考慮到部分小伙伴購買內(nèi)存是用來升級(jí)擴(kuò)容,所以雙通道的兼容性成為了一個(gè)不可忽略的屬性,我這里找了一根芝奇的8G內(nèi)存來做雙通道兼容性測試,因?yàn)檫@兩根來自于不同的品牌,不同的顆粒,不同的時(shí)序,如果能成功組成雙通道,那么可見朗科這根內(nèi)存的雙通道兼容性良好。
從上圖的測試來看,顯然雙通道已經(jīng)組建成功,而雙通道帶來的直接好處便是性能成倍提升,但是這里還是建議有條件的小伙伴使用兩根同樣型號(hào)的朗科內(nèi)存條,這樣整體性能和穩(wěn)定性都會(huì)更加出色一些。
基礎(chǔ)性能測試:
測試平臺(tái)為平臺(tái)用的是i7-8700K+華碩ROG STRIX Z370-E GAMING,通過AIDA 64的內(nèi)存測試看看朗科DDR4 2666內(nèi)存的理論數(shù)據(jù)。
在默認(rèn)2666MHz頻率下,朗科DDR4 2666內(nèi)存的讀取、寫入和復(fù)制成績分別是19299MB/s、18441MB/s和18509MB/s,內(nèi)存延遲63.3ns,整體表現(xiàn)中規(guī)中矩。
同樣在2666MHz頻率下,通過Sisoftware測出內(nèi)存帶寬為13GB/s。
超頻測試:
正如上文提及,長鑫顆粒的潛能還是非常大的,我自然也不會(huì)這么輕松的放過這根朗科內(nèi)存。考慮到這根內(nèi)存并不支持XMP,所以直接在BIOS里將內(nèi)存頻率調(diào)整到2800MHz(第一次超,保險(xiǎn)一點(diǎn)),測試電壓依舊保持1.2V不變。
此時(shí)AIDA 64下內(nèi)存的讀取速度為21170MB/s,寫入速度19838MB/s,復(fù)制內(nèi)存20425MB/S, 分別提升至9.7%、7.5%、10.4%,內(nèi)存延遲60.1ns,而時(shí)序依舊保持C19-19-19-43不變。
內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了13.58GB/s,提升空間并不明顯,但這也是第一次保守嘗試。
接下來我準(zhǔn)備來個(gè)極限測試,但前提依舊是不調(diào)整時(shí)序和電壓,畢竟調(diào)整時(shí)序這些對(duì)于普通用戶還是有一定門檻,只在BIOS里提升內(nèi)存頻率,來看看朗科內(nèi)存日常穩(wěn)定運(yùn)行的極限成績?cè)谀睦铩?/p>
在BIOS中直接將內(nèi)存頻率提升至3200MHz,此時(shí)內(nèi)存的讀取速度為22622MB/s,寫入速度22114MB/s,復(fù)制內(nèi)存21383MB/S, 分別提升至17.2%、20%、15.5%,內(nèi)存延遲54.5ns。要知道這么高的性能就等于白撿,何樂而不為。
內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了15.76GB/s。
回到實(shí)際的應(yīng)用軟件中,在3200MHz頻率下WINRAR基準(zhǔn)測試為9141KB/s。
總結(jié):國產(chǎn)內(nèi)存開始雄起
作為一款國產(chǎn)內(nèi)存,朗科超光DDR4 2666 8G臺(tái)式內(nèi)存的表現(xiàn)令人滿意,在做工和顆粒上可圈可點(diǎn);盡管是國產(chǎn)長鑫內(nèi)存顆粒,但是性能上可以說一點(diǎn)也不含糊,雖說初始頻率并不高,但是卻留給用戶極大的超頻空間,在不改變電壓和時(shí)序的前提下,分分鐘上到3200MHz,用2666MHz的錢白撿3200MHz的性能;兼容性上也能很好的和不同品牌內(nèi)存組成雙通道,實(shí)現(xiàn)性能翻翻。
最后配合不足300元的售價(jià),可以說性價(jià)比超群。如果不是特意追求炫酷燈光和馬甲,朗科超光DDR4 2666 8G臺(tái)式內(nèi)存顯然是非常值得考慮的選擇之一,同時(shí)終身質(zhì)保也免去了消費(fèi)者的后顧之憂。而新品上市,朗科也為大家?guī)砹瞬恍〉母@?月26日新品首發(fā)價(jià)格259, 3月26日-4月30日可以享受10元疊加優(yōu)惠券和返5元E卡。(作者:十八線老編)
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